IGBT器件及其制作方法与流程

igbt器件及其制作方法
技术领域
1.本发明属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种igbt器件及其制作方法。


背景技术：

2.igbt(绝缘栅双极型晶体管)，是由bjt(双极型三极管)和mosfet(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，因此它既具有mosfet输入阻抗高、驱动电路功率小、驱动简单、开关速度快、开关损耗小的优点，又具有bjt电流密度大、电流处理能力强、导通饱和压降低的优点。自从80年代初发明以来，受到国内外广泛研究，目前igbt应用前景广阔，广泛应用于新能源汽车、工业变频、光伏、智能电网和机车等多个领域，随着技术的不断发展，无疑对igbt的性能及可靠性提出更高的要求。


技术实现要素：

3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种igbt器件及其制作方法，用于解决现有技术中igbt关断时过渡区所承受的电流过大的问题。
4.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种igbt器件的制作方法，所述制作方法包括步骤：提供一衬底，所述衬底包括相对的第一主面及第二主面，于所述第一主面完成igbt器件的正面工艺，形成所述igbt器件的有源区、过渡区及终端区；通过图形掩膜对所述过渡区及终端区的第二主面进行氧离子注入，以在所述过渡区及终端区的第二主面内形成氧离子缺陷层；对所述衬底的第二主面进行导电掺杂离子注入，以在所述衬底的第二主面形成集电极区；对所述衬底的第二主面进行氢离子注入，以在所述的第二主面内形成氢离子掺杂区，所述氧离子缺陷层位于所述氢离子掺杂区内，其中，所述氧离子缺陷层的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加所述氢离子掺杂区内的氢离子的掺杂浓度。
5.可选地，在完成igbt器件的正面工艺之后还包括对所述衬底的第二主面进行减薄的步骤。
6.可选地，所述igbt器件的有源区包括设置于所述衬底的第一主面的阱区、沟槽栅结构、发射极区及载流子存储掺杂区，所述沟槽栅结构贯穿所述阱区至所述衬底中，所述发射极区设置于所述阱区内，且位于所述沟槽栅结构的侧面，所述载流子存储掺杂区设置于所述阱区下方，所述发射极金属层与所述发射极区和所述阱区连接。
7.可选地，所述过渡区包括设置于所述衬底的第一主面的阱区以及与所述阱区连接的连接孔，所述igbt器件的终端区包括位于所述衬底的第一主面上的场氧层及位于所述终端区边缘的截止环，所述过渡区与所述终端区还包括横跨所述过渡区与所述终端区的横向变掺杂层。
8.可选地，所述氧离子注入的氧离子注入剂量介于1e10cm
‑2~1e15cm
‑2之间，氧离子注入能量介于200kev~15mev之间。
9.可选地，所述导电掺杂离子注入的导电离子注入剂量为1e12
‑
1e14cm
‑2之间，导电
离子注入能量介于20kev~60kev之间，然后还包括采用激光退火工艺激活所述导电掺杂离子，激光的能量介于1j~2j之间，或采用炉管退火工艺激活所述导电掺杂离子，退火温度介于400~500℃之间。
10.可选地，所述氢离子注入包括对所述衬底的第二主面进行多次氢离子注入并退火，以使所述氢离子掺杂区具有不同氢离子掺杂浓度的多个氢离子掺杂层，多个所述氢离子掺杂层的氢离子掺杂浓度自所述第二主面向所述第一主面的方向逐渐减小。
11.可选地，所述氢离子注入的次数介于2次~4次之间。
12.可选地，所述氢离子注入的氢离子注入剂量介于5e11~5e16cm
‑2之间，氢离子注入能量介于200kev~1.5mev之间，所述退火的温度介于300℃~500℃之间，退火时间介于0.5h~5h之间。
13.本发明还提供一种igbt器件，所述igbt器件包括：衬底，所述衬底包括相对的第一主面及第二主面，所述第一主面形成有igbt器件的正面结构，所述igbt器件包括有源区、过渡区及终端区；氧离子缺陷层，形成于所述过渡区及终端区的第二主面内；集电极区，形成于所述衬底的第二主面；氢离子掺杂区，形成于所述衬底的第二主面内，所述氧离子缺陷层位于所述氢离子掺杂区内，其中，所述氧离子缺陷层的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加所述氢离子掺杂区内的氢离子的掺杂浓度。
14.可选地，所述igbt器件的有源区包括设置于所述衬底的第一主面的阱区、沟槽栅结构、发射极区及载流子存储掺杂区，所述沟槽栅结构贯穿所述阱区至所述衬底中，所述发射极区设置于所述阱区内，且位于所述沟槽栅结构的侧面，所述载流子存储掺杂区设置于所述阱区下方。
15.可选地，所述过渡区包括设置于所述衬底的第一主面的阱区以及与所述阱区连接的连接孔，所述igbt器件的终端区包括位于所述衬底的第一主面上的场氧层及位于所述终端区边缘的截止环，所述过渡区与所述终端区还包括横跨所述过渡区与所述终端区的横向变掺杂层。
16.可选地，所述氧离子缺陷层包含的氧离子注入剂量介于1e10cm
‑2~1e15cm
‑2之间，氧离子注入能量介于200kev~15mev之间。
17.可选地，所述集电极区包含的导电掺杂离子注入剂量为1e12
‑
1e14cm
‑2之间，导电掺杂离子注入能量介于20kev~60kev之间。
18.可选地，所述氢离子掺杂区具有不同氢离子掺杂浓度的多个氢离子掺杂层，多个所述氢离子掺杂层的氢离子掺杂浓度自所述第二主面向所述第一主面的方向逐渐减小。
19.可选地，所述氢离子掺杂区包含的氢离子掺杂层的个数为2个~4个之间。
20.可选地，所述氢离子掺杂区包含的氢离子注入剂量介于5e11~5e16cm
‑2之间，氢离子注入能量介于200kev~1.5mev之间。
21.如上所述，本发明的igbt器件及其制作方法，具有以下有益效果：本发明在igbt器件过渡区和终端区背面设置氧离子缺陷层，降低了过渡区和终端区的空穴寿命，进而在igbt器件导通时，降低了igbt过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。
22.本发明通过一个或者多个氢离子吸附在氧杂质和自间隙上形成n型掺杂，在一定氢注入条件下，增加氧离子可以增加氢离子吸附载体，增加n型掺杂浓度，即可以有效增加
缓冲层总浓度，进而在igbt器件导通时，进一步降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。
23.本发明的氧离子缺陷层可以降低过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率，在igbt器件导通时，可以降低从igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的注入的空穴量，在igbt器件关断时会加快过渡区和终端区电子和空穴复合速度，减少了从过渡区开孔处抽出的空穴量，缓解电流集中问题。
24.本发明在igbt器件过渡区和终端区背面增加氧离子缺陷层，在igbt器件导通时，可以降低过渡区和终端区的发射效率，同时在igbt器件关断时，可以提高过渡区和终端区电子和空穴复合速度，从而有效缓解过渡区存在的电流集中问题，提高igbt芯片的可靠性。
附图说明
25.图1~图5显示为本发明实施例的igbt器件的制作方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图5显示为本发明实施例的igbt器件的结构示意图。
26.元件标号说明：101衬底，102横向变掺杂层，103场氧层，104截止环，105栅介质层，106多晶硅层，107载流子存储掺杂区，108阱区，109发射极区，110绝缘层，111正面金属，112集电极区，113氧离子缺陷层，114氢离子掺杂区，115背面金属，141第一掺杂峰、142第二掺杂峰、143第三掺杂峰、144第四掺杂峰。
具体实施方式
27.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
28.如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
29.为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
30.在本技术的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
31.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
32.实施例1
igbt器件可以分为三个区域，分别是有源区、过渡区和终端区。igbt器件导通时，背面p型集电极开始往igbt器件的漂移区注入空穴，在igbt器件关断期间，需要将导通期间注入在漂移区的电子和空穴全部抽出，电子从igbt器件的背面流出，空穴从igbt器件的正面流出。有源区的空穴可以直接从有源区正面开孔处流出，但终端区的正面并没有电流通道，终端区的空穴主要从过渡区的开孔处流出，这会导致过渡区存在电流集中问题，局部电流的过渡集中，导致局部温度上升，降低了igbt器件的可靠性。
33.为了解决上述问题，如图1~图5所示，本实施例提供一种igbt器件的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：如图1所示，首先进行步骤1），提供一衬底101，所述衬底101包括相对的第一主面及第二主面，于所述第一主面完成igbt器件的正面工艺，形成所述igbt器件的有源区、过渡区及终端区。
34.所述衬底101可以是单晶硅衬底。在一些实施例中所述衬底101也可由其它材料制成，例如但不限于硅锗或锗。在其它实施例中，所述衬底101还可以为包括其他元素半导体或化合物半导体的衬底，例如砷化镓、磷化铟或碳化硅等。
35.于所述第一主面完成igbt器件的正面工艺包括制备所述igbt器件的有源区、过渡区及终端区的正面结构，具体地，所述igbt器件的有源区包括设置于所述衬底101的第一主面的阱区108、沟槽栅结构、发射极区109及载流子存储掺杂区107，所述沟槽栅结构贯穿所述阱区108至所述衬底101中，所述沟槽栅结构包括延伸至所述阱区108下方的沟槽、位于所述沟槽侧壁的栅介质层105及填充于所述沟槽中的多晶硅层106，所述发射极区109设置于所述阱区108内，且位于所述沟槽栅结构的侧面，所述载流子存储掺杂区107设置于所述阱区108下方。所述过渡区包括设置于所述衬底101的第一主面的阱区108以及与所述阱区108连接的连接孔，所述igbt器件的终端区包括位于所述衬底101的第一主面上的场氧层103及位于所述终端区边缘的截止环104，所述过渡区与所述终端区还包括横跨所述过渡区与所述终端区的横向变掺杂层102。所述igbt器件的第一主面上还形成有绝缘层110，所述绝缘层110上形成有正面金属111，所述正面金属111包括发射极金属层及栅极金属层，所述发射极金属通过连接孔与所述有源区的发射极区109及阱区108连接，同时通过连接孔与所述过渡区的阱区108连接，所述栅极金属层与所述沟槽栅结构中的多晶硅层106连接，在本实施例中，所述栅极金属层设置于所述终端区的场氧层103上方，以节省有源区的面积，同时便于沟槽栅结构的电引出。
36.在本实施例中，所述igbt器件基于n型衬底实现，所述衬底101为n型掺杂，所述阱区108为p型掺杂，所述发射极区109为n型掺杂，所述载流子存储掺杂区107为n型掺杂，所述截止环104为n型掺杂，所述横向变掺杂层102为p型掺杂。上述各掺杂区的离子掺杂浓度可依据器件的导通电阻、反向耐压性能等参数设定。
37.在一实施例中，在完成igbt器件的正面工艺之后还包括对所述衬底101的第二主面进行减薄的步骤，所述减薄的工艺例如可以为研削工艺等，所述衬底101的减薄厚度可以依据器件的耐压等性能进行设定。
38.如图2所示，然后进行步骤2），通过图形掩膜对所述过渡区及终端区的第二主面进行氧离子注入，以在所述过渡区及终端区的第二主面内形成氧离子缺陷层113。
39.作为示例，首先在所述衬底101的第二主面形成图形掩膜，所述图形掩膜显露所述
过渡区及终端区，然后对所述过渡区及终端区的第二主面进行氧离子注入，所述氧离子注入的氧离子注入剂量介于1e10cm
‑2~1e15cm
‑2之间，氧离子注入能量介于200kev~15mev之间。在一具体的实施例中，所述氧离子注入的氧离子注入剂量为1e13cm
‑2，氧离子注入能量为1mev。在又一具体的实施例中，所述氧离子注入的氧离子注入剂量为1e14cm
‑2，氧离子注入能量为3mev。所述氧离子注入可以在所述衬底101中形成氧离子缺陷层113，，在igbt器件过渡区和终端区背面设置氧离子缺陷层113，降低了过渡区和终端区的空穴寿命，进而在igbt器件导通时，降低了igbt过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。如图3所示，然后进行步骤3），对所述衬底101的第二主面进行导电掺杂离子注入，以在所述衬底101的第二主面形成集电极区112。
40.作为示例，所述导电掺杂离子例如可以为硼或硼的化合物，所述导电掺杂离子注入的导电离子注入剂量为1e12
‑
1e14cm
‑2之间，导电离子注入能量介于20kev~60kev之间，然后还包括采用激光退火工艺激活所述导电掺杂离子，激光的能量介于1j~2j之间，或采用炉管退火工艺激活所述导电掺杂离子，退火温度介于400~500℃之间。同时，上述的激光退火工艺或炉管退火工艺可以消除在高温下不稳定的氧离子缺陷，留下在高温下稳定的氧离子缺陷。本发明可以按照器件使用频率需求，选择激光退火设备或者炉管退火设备。例如，对于高频应用的igbt器件的退火，优先选用炉管设备进行退火，可以有效提高退火批量和效率，提高产能，同时降低退火设备的成本。
41.如图4所示，接着进行步骤4），对所述衬底101的第二主面进行氢离子注入，以在所述的第二主面内形成氢离子掺杂区114，所述氧离子缺陷层113位于所述氢离子掺杂区114内； 通过所述氧离子缺陷层113降低过渡区和终端区的空穴寿命，同时所述氧离子缺陷层113的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加所述氢离子掺杂区114内的氢离子的掺杂浓度。
42.在本实施例中，所述氢离子注入包括对所述衬底101的第二主面进行多次氢离子注入并退火，以使所述氢离子掺杂区114具有不同氢离子掺杂浓度的多个氢离子掺杂层，多个所述氢离子掺杂层的氢离子掺杂浓度自所述第二主面向所述第一主面的方向逐渐减小。例如，所述氢离子注入的氢离子注入剂量介于5e11~5e16cm
‑2之间，氢离子注入能量介于200kev~1.5mev之间，所述退火的温度介于300℃~500℃之间，退火时间介于0.5h~5h之间。具体地，所述氢离子注入的次数介于2次~4次之间，通过调整每次所述氢离子注入的剂量和能量，在退火后可以在所述衬底101中形成具有多个不同掺杂峰的氢离子掺杂层，例如，在本实施例中，所述氢离子掺杂区114中具有四个不同的掺杂峰，例如包括第一掺杂峰141、第二掺杂峰142、第三掺杂峰143和第四掺杂峰144，如图4所示。
43.本实施例中，在一定氢注入条件下，增加氧离子，可以增加氢离子吸附体，从而增加n型掺杂浓度，即可以有效增加缓冲层总浓度，进而在igbt器件导通时，进一步降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。
44.基于上述，通过氧离子缺陷层113，一方面，可以降低过渡区和终端区的空穴寿命，从而在igbt器件导通时，降低了igbt过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率，另一方面，氧离子缺陷层113的氧离子作为氢离子的吸附体，可以增加氢离子掺杂区114内的氢离子的掺杂浓度，在igbt器件导通时，进一步降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。由于氧离子缺陷层113可以降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率，则当igbt器件在导通时，降低了从igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的注入的
空穴量，同时igbt器件背面过渡区和终端区背面存在低寿命区（氧离子缺陷层113），在igbt器件关断时会加快过渡区和终端区电子和空穴复合速度，减少了从过渡区开孔处抽出的空穴量，缓解电流集中问题。
45.如图5所示，最后进行步骤5），于所述衬底101的第二主面形成背面金属115，以完成所述igbt器件的制作。例如，所述背面金属115可以为al/ti/ni/ag金属叠层。
46.实施例2如图5所示，本实施例提供一种igbt器件，所述igbt器件包括：衬底101，所述衬底101包括相对的第一主面及第二主面，所述第一主面形成有igbt器件的正面结构，所述igbt器件包括有源区、过渡区及终端区；氧离子缺陷层113，形成于所述过渡区及终端区的第二主面内；集电极区112，形成于所述衬底101的第二主面；氢离子掺杂区114，形成于所述衬底101的第二主面内，所述氧离子缺陷层113位于所述氢离子掺杂区114内；通过所述氧离子缺陷层113降低过渡区和终端区的空穴寿命，同时所述氧离子缺陷层113的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加所述氢离子掺杂区114内的氢离子的掺杂浓度。
47.例如，所述衬底101可以是单晶硅衬底。在一些实施例中所述衬底也可由其它材料制成，例如但不限于硅锗或锗。在其它实施例中，所述衬底101还可以为包括其他元素半导体或化合物半导体的衬底，例如砷化镓、磷化铟或碳化硅等。
48.如图5所示，所述igbt器件的有源区包括设置于所述衬底101的第一主面的阱区108、沟槽栅结构、发射极区109及载流子存储掺杂区107，所述沟槽栅结构贯穿所述阱区108至所述衬底101中，所述沟槽栅结构包括延伸至所述阱区108下方的沟槽、位于所述沟槽侧壁的栅介质层105及填充于所述沟槽中的多晶硅层106，所述第一导电类型的发射极设置于所述阱区108内，且位于所述沟槽栅结构的侧面，所述载流子存储掺杂区107设置于所述阱区108下方。所述过渡区包括设置于所述衬底101的第一主面的阱区108以及与所述阱区108连接的连接孔，所述igbt器件的终端区包括位于所述衬底101的第一主面上的场氧层103及位于所述终端区边缘的截止环104，所述过渡区与所述终端区还包括横跨所述过渡区与所述终端区的横向变掺杂层102。所述igbt器件的第一主面上还形成有绝缘层110，所述绝缘层110上形成有正面金属111，所述正面金属111包括发射极金属层及栅极金属层，所述发射极金属通过连接孔与所述有源区的发射极区109及阱区108连接，同时通过连接孔与所述过渡区的阱区108连接，所述栅极金属层与所述沟槽栅结构中的多晶硅层106连接，在本实施例中，所述栅极金属层设置于所述终端区的场氧层103上方，以节省有源区的面积，同时便于沟槽栅结构的电引出。
49.在本实施例中，所述igbt器件基于n型衬底101实现，所述衬底101为n型掺杂，所述阱区108为p型掺杂，所述发射极区109为n型掺杂，所述载流子存储掺杂区107为n型掺杂，所述截止环104为n型掺杂，所述横向变掺杂层102为p型掺杂。上述各掺杂区的离子掺杂浓度可依据器件的导通电阻、反向耐压性能等参数设定。
50.作为示例，所述氧离子缺陷层113包含的氧离子注入剂量介于1e10cm
‑2~1e15cm
‑2之间，氧离子注入能量介于200kev~15mev之间。在一具体的实施例中，所述氧离子注入的氧离子注入剂量为1e13cm
‑2，氧离子注入能量为1mev。在又一具体的实施例中，所述氧离子注入的氧离子注入剂量为1e14cm
‑2，氧离子注入能量为3mev。所述氧离子注入可以在所述衬底101中形成氧离子缺陷层113，一方面，在igbt器件过渡区和终端区背面设置氧离子缺陷层
113，降低了过渡区和终端区的空穴寿命，进而在igbt器件导通时，降低了igbt过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。另一方面，后续可以通过一个或者多个氢离子吸附在氧杂质和自间隙上形成n型掺杂，在一定氢注入条件下，增加氧离子可以增加氢离子吸附载体，增加n型掺杂浓度，即可以有效增加缓冲层总浓度，进而在igbt器件导通时，进一步降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。又一方面，氧离子缺陷层113可以降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率，igbt器件在导通时，降低了从igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的注入的空穴量，同时igbt器件背面过渡区和终端区背面存在低寿命区（氧离子缺陷层113），在igbt器件关断时会加快过渡区和终端区电子和空穴复合速度，减少了从过渡区开孔处抽出的空穴量，缓解电流集中问题。
51.所述集电极区112包含的导电掺杂离子注入剂量为1e12
‑
1e14cm
‑2之间，导电掺杂离子注入能量介于20kev~60kev之间。例如，所述导电掺杂离子例如可以为硼或硼的化合物。
52.如图5所示，所述氢离子掺杂区114具有不同氢离子掺杂浓度的多个氢离子掺杂层，多个所述氢离子掺杂层的氢离子掺杂浓度自所述第二主面向所述第一主面的方向逐渐减小。所述氢离子掺杂区114包含的氢离子注入剂量介于5e11~5e16cm
‑2之间，氢离子注入能量介于200kev~1.5mev之间。具体地，所述氢离子掺杂区114具有2个~4个不同氢离子掺杂浓度的氢离子掺杂层，本实施例通过调整每次所述氢离子注入的剂量和能量，在退火后可以在所述衬底101中形成具有多个不同掺杂峰的氢离子掺杂层了，例如，在本实施例中，所述氢离子掺杂区114中具有四个不同的掺杂峰，例如包括第一掺杂峰141、第二掺杂峰142、第三掺杂峰143和第四掺杂峰144。
53.如图5所示，所述衬底101的第二主面还形成有背面金属115。例如，所述背面金属115可以为al/ti/ni/ag金属叠层。
54.如上所述，本发明的igbt器件及其制作方法，具有以下有益效果：本发明在igbt器件过渡区和终端区背面设置氧离子缺陷层113，降低了过渡区和终端区的空穴寿命，进而在igbt器件导通时，降低了igbt过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。
55.本发明通过一个或者多个氢离子吸附在氧杂质和自间隙上形成n型掺杂，在一定氢注入条件下，增加氧离子可以增加氢离子吸附载体，增加n型掺杂浓度，即可以有效增加缓冲层总浓度，进而在igbt器件导通时，进一步降低igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的发射效率。
56.本发明的氧离子缺陷层113可以降低过渡区和终端区背面p型集电极的
‑
发射效率，在igbt器件导通时，可以降低从igbt器件过渡区和终端区背面p型集电极的注入的空穴量，在igbt器件关断时会加快过渡区和终端区电子和空穴复合速度，减少了从过渡区开孔处抽出的空穴量，缓解电流集中问题。
57.本发明在igbt器件过渡区和终端区背面增加氧离子缺陷层113，在igbt器件导通时，可以降低过渡区和终端区的发射效率，同时在igbt器件关断时，可以提高过渡区和终端区电子和空穴复合速度，从而有效缓解过渡区存在的电流集中问题，提高igbt芯片的可靠性。
58.所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
59.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。