一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法与流程

技术特征：
1.一种镁合金表面mbt/植酸自修复体系的制备方法，其特征在于，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2
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巯基苯并噻唑(mbt)负载到植酸微裂纹存储器中，制成mbt/植酸自修复体系；按照下述步骤进行制备：步骤1，植酸微裂纹存储器的制备：将植酸溶解在去离子水中制成植酸溶液，在减压条件下将经过预处理的镁合金片浸渍在植酸溶液中，一段时间后取出用去离子水将镁合金表面冲洗干净，然后在60℃的烘箱中干燥；步骤2，mbt的负载：将mbt溶解在无水乙醇中形成溶液，在减压条件下将具有植酸微裂纹的镁合金片浸渍在mbt溶液中，一段时间后取出用无水乙醇将镁合金样品冲洗干净，然后在60℃的烘箱中干燥。2.根据权利要求1所述的一种镁合金表面mbt/植酸自修复体系的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，减压条件下真空度控制在0.06
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0.08mpa，植酸的浓度为9.5
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10.5mg/ml，镁合金片在植酸溶液中浸渍140
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160秒。3.根据权利要求1所述的一种镁合金表面mbt/植酸自修复体系的制备方法，其特征在于，所诉步骤2中，mbt的浓度控制在38
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40mg/ml，减压条件下真空度控制在0.08
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0.1mpa，镁合金片在mbt溶液中的浸渍时间为9
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11分钟，浸渍完成后的冲洗方式为在镁合金片的一侧以160
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170度的冲洗角度使无水乙醇从镁合金片的一侧缓慢流过整个区域，冲洗次数为5
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6次。

技术总结
本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2


技术研发人员：王艳力 张文佳 闫大帅 张振华
受保护的技术使用者：哈尔滨工程大学
技术研发日：2021.07.08
技术公布日：2021/10/28