中子捕获治疗系统的制作方法

技术特征：
1.一种中子捕获治疗系统，包括加速器、射束传输部、中子束生成部，所述加速器对带电粒子进行加速产生带电粒子束，所述射束传输部将所述加速器产生的带电粒子束传输至所述中子束生成部，所述中子束生成部产生治疗用中子束，其特征在于，所述中子捕获治疗系统还包括容纳所述加速器、射束传输部、中子束生成部的屏蔽壁，在所述屏蔽壁朝向射束传输方向上游的一侧由所述射束传输部或所述中子束生成部穿过的部位设置屏蔽体，所述屏蔽体为可移动的并具有第一位置和第二位置，在所述第一位置，形成所述射束传输部穿过的容纳孔，在所述第二位置，所述容纳孔打开。2.如权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述中子捕获治疗系统还包括带电粒子束生成室和照射室，所述带电粒子束生成室容纳所述加速器和至少部分所述射束传输部，患者在所述照射室中进行中子束照射的治疗，所述屏蔽壁包括所述照射室和所述带电粒子束生成室的分隔壁，所述中子束生成部的至少一部分埋入于所述分隔壁，在所述第一位置，覆盖所述中子束生成部朝向所述加速器的端部，在所述第二位置，至少部分露出所述中子束生成部朝向所述加速器的端部。3.如权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述射束传输部包括与所述加速器连接的第一传输部、切换带电粒子束行进方向的射束方向切换器和将带电粒子束传输到所述中子束生成部的第二传输部，所述第二传输部穿过所述第一屏蔽体到达所述中子束生成部，所述容纳孔容纳所述第二传输部。4.如权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述分隔壁靠近所述照射室的一侧设置至少部分容纳所述中子束生成部及用于支撑所述中子束生成部的支撑模块的容纳槽，靠近所述带电粒子束生成室的一侧设置用于所述射束传输部穿过的槽，所述容纳槽和所述槽在所述中子线传输方向贯通所述分隔壁，在垂直于所述中子线传输方向的平面上，所述中子束生成部及其支撑模块的横截面轮廓位于所述容纳槽和所述槽的横截面轮廓之间。5.如权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述屏蔽体包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部分别沿靠近所述中子束生成部的第一、第二方向运动到所述第一位置，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部分别具有第一、第二凹槽，所述第一、第二凹槽在所述第一位置共同形成所述容纳孔。6.如权利要求5所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部沿导轨滑动，所述导轨固定在所述屏蔽壁朝向射束传输方向上游的一侧且延伸方向平行于地面。7.如权利要求5所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部的材料包括中子屏蔽材料，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部的材料为含硼的pe或重晶石混凝土或铅。8.如权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述中子捕获治疗系统还包括治疗台，所述中子束生成部包括靶材、射束整形体和准直器，所述靶材设置在所述射束传输部和所述射束整形体之间，所述加速器产生的带电粒子束经所述射束传输部照射到所述靶材并与所述靶材作用产生中子，所述产生的中子依次通过所述射束整形体和准直器形成治疗用中子束并照射向所述治疗台上的患者。9.如权利要求8所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述射束整形体包括反射体、
缓速体、热中子吸收体、辐射屏蔽体和射束出口，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体包围所述缓速体并将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述准直器设置在所述射束出口后部以汇聚中子束，所述患者和射束出口之间设置辐射屏蔽装置以屏蔽从所述射束出口出来的射束对患者正常组织的辐射。10.如权利要求9所述的中子捕获治疗系统，其特征在于，所述射束传输部具有对带电粒子束进行加速或传输的传输管，所述传输管沿带电粒子束方向伸入所述射束整形体，并依次穿过所述反射体和缓速体，所述靶材设置在所述缓速体内并位于所述传输管的端部，所述传输管和所述反射体和缓速体之间设置冷却管，所述冷却管用于与外部冷却源连接并冷却所述靶材，所述容纳孔容纳所述冷却管。

技术总结
本发明提供一种中子捕获治疗系统，可以避免或降低在屏蔽壁或地板由组件或元件穿过的地方造成的中子及其他辐射线的泄露。本发明的中子捕获治疗系统，包括加速器、射束传输部、中子束生成部，所述加速器对带电粒子进行加速产生带电粒子束，所述射束传输部将所述加速器产生的带电粒子束传输至所述中子束生成部，所述中子束生成部产生治疗用中子束，所述中子捕获治疗系统还包括容纳所述加速器、射束传输部、中子束生成部的屏蔽壁，在所述屏蔽壁朝向射束传输方向上游的一侧由所述射束传输部或所述中子束生成部穿过的部位设置屏蔽体，所述屏蔽体为可移动的并具有第一位置和第二位置，在所述第一位置，形成所述射束传输部穿过的容纳孔，在所述第二位置，所述容纳孔打开。所述容纳孔打开。所述容纳孔打开。


技术研发人员：陈韦霖 伍盛煜
受保护的技术使用者：中硼（厦门）医疗器械有限公司
技术研发日：2020.03.18
技术公布日：2021/10/11