阵列基板及制作方法、显示面板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底(10)；设于所述基底(10)上的第一金属层(11)，所述第一金属层(11)包括数据线(111)；设于所述第一金属层(11)上侧的金属氧化物层(12)，所述金属氧化物层(12)包括半导体部分和导体部分，所述半导体部分包括有源层(123)，所述导体部分包括源极(121)、漏极(122)以及保护部(124)，所述有源层(123)分别与所述源极(121)和所述漏极(122)导电连接，所述源极(121)与所述数据线(111)导电连接，所述保护部(124)覆盖在所述第一金属层(11)的上表面并用于保护所述第一金属层(11)；覆盖所述金属氧化物层(12)的第一绝缘层(101)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的第二金属层(13)，所述第二金属层(13)包括扫描线(131)和栅极(132)，所述栅极(132)在所述金属氧化物层(12)上的投影与所述有源层(123)相对应；覆盖所述第二金属层(13)的第二绝缘层(102)；设于所述第二绝缘层(102)上侧的像素电极(15)，所述像素电极(15)与所述漏极(122)导电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(11)包括遮光部(112)，所述遮光部(112)与所述有源层(123)相对应，所述遮光部(112)在所述金属氧化物层(12)上的投影覆盖住所述有源层(123)，所述金属氧化物层(12)与所述遮光部(112)之间设有绝缘间隔层(103)，所述绝缘间隔层(103)与所述遮光部(112)相对应，所述遮光部(112)与所述数据线(111)相互间隔开；或所述遮光部(112)与所述数据线(111)导电连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极(14)，所述公共电极(14)设于所述第二绝缘层(102)的上侧，所述公共电极(14)与所述像素电极(15)位于不同层并相互绝缘。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层(13)还包括公共电极线(133)，所述公共电极线(133)与所述公共电极(14)导电连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层(102)的上表面设有平坦层(105)，所述公共电极(14)与所述像素电极(15)均设于所述平坦层(105)的上侧。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权利要求1
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5任一项所述的阵列基板，所述制作方法包括：提供基底(10)；在所述基底(10)上形成第一金属层(11)，对所述第一金属层(11)进行蚀刻并形成图案化的数据线(111)；在所述基底(10)上形成覆盖所述数据线(111)的金属氧化物层(12)，对所述金属氧化物层(12)进行蚀刻并形成源极(121)、漏极(122)、有源层(123)以及保护部(124)，所述有源层(123)分别与所述源极(121)和所述漏极(122)导电连接，所述源极(121)与所述数据线(111)导电连接，所述保护部(124)覆盖在所述第一金属层(11)的上表面并用于保护所述第一金属层(11)；对所述源极(121)、所述漏极(122)以及所述保护部(124)进行导体化处理，使所述金属氧化物层(12)形成对应所述源极(121)、所述漏极(122)以及所述保护部(124)的导体部分
以及对应所述有源层(123)的半导体部分；在所述金属氧化物层(12)上形成第一绝缘层(101)；在所述第一绝缘层(101)上形成第二金属层(13)，对所述第二金属层(13)进行蚀刻并形成图案化的扫描线(131)和栅极(132)，所述栅极(132)在所述金属氧化物层(12)上的投影与所述有源层(123)相对应；在所述第二金属层(13)上形成第二绝缘层(102)；在所述第二绝缘层(102)的上侧形成像素电极(15)，所述像素电极(15)与所述漏极(122)导电连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一金属层(11)进行蚀刻时还形成遮光部(112)，所述遮光部(112)与所述有源层(123)相对应，所述遮光部(112)在所述金属氧化物层(12)上的投影覆盖住所述有源层(123)，所述遮光部(112)与所述数据线(111)相互间隔开；或所述遮光部(112)与所述数据线(111)导电连接；在所述金属氧化物层(12)与所述遮光部(112)之间还形成有绝缘间隔层(103)，所述绝缘间隔层(103)与所述遮光部(112)相对应。8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述源极(121)、所述漏极(122)以及所述保护部(124)进行导体化处理的步骤具体为：在形成所述第一绝缘层(101)之前，在所述金属氧化物层(12)的上表面形成对应所述有源层(123)的阻挡层；采用氢气注入工艺对所述源极(121)、所述漏极(122)以及所述保护部(124)进行导体化处理；或者，在形成所述扫描线(131)和所述栅极(132)之后，以所述栅极(132)为阻挡，并采用等离子溅射工艺或紫外光照射工艺对所述源极(121)、所述漏极(122)以及所述保护部(124)进行导体化处理。9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第二金属层(13)进行蚀刻时还形成公共电极线(133)；在所述第二绝缘层(102)的上表面制作公共电极(14)，所述公共电极(14)通过接触孔与所述公共电极线(133)导电连接；在所述公共电极(14)的上表面形成第三绝缘层(104)，在所述第三绝缘层(104)的上表面制作所述像素电极(15)。10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1
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5任一项所述的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的对置基板(20)以及设于所述阵列基板和所述对置基板(20)之间的液晶层(30)，所述对置基板(20)上设有上偏光片(41)，所述阵列基板上设有下偏光片(42)，所述上偏光片(41)的透光轴与所述下偏光片(42)的透光轴相互垂直。

技术总结
本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板，阵列基板包括：基底；设于基底上的数据线；设于数据线上侧的金属氧化物层，金属氧化物层包括对应有源层的半导体部分以及对应源极、漏极和保护部的导体部分，保护部覆盖在第一金属层的上表面并用于保护第一金属层；覆盖金属氧化物层的第一绝缘层；设于第一绝缘层上侧的扫描线和栅极，栅极在金属氧化物层上的投影与有源层相对应；覆盖扫描线和栅极的第二绝缘层；设于第二绝缘层上侧的像素电极。本发明公开的阵列基板的数据线上覆盖有保护部，避免数据线在后续蚀刻工艺中损坏，将栅极设于有源层的上侧，在对金属氧化物层进行导体化处理时，使得栅极可以对有源层进行阻挡，减少处理工艺。工艺。工艺。


技术研发人员：钟德镇 蒋隽
受保护的技术使用者：昆山龙腾光电股份有限公司
技术研发日：2021.07.27
技术公布日：2021/10/28