噪声抑制薄片的制作方法

1.本公开涉及一种噪声抑制薄片(noise suppression sheet)。


背景技术：

2.近年来，伴随着电子设备等中的数字电路的操作速度的高速化，由从电路产生的电磁波等的噪声引起的电子设备的误操作或对人体的影响严重化。因此，正在进行用于抑制(阻挡)噪声的噪声抑制薄片的开发。
3.例如，日本特开2004-153213号公报公开了一种具有使绝缘膜贴合于feni合金的结构的噪声抑制薄片。本文献公开了一种经由粘结剂层而使feni合金箔和绝缘膜贴合的技术。


技术实现要素：

4.发明人等对噪声抑制薄片的磁屏蔽特性进行了反复研究，其结果，新发现了即使在高频区域也可以实现高磁屏蔽特性的技术。
5.根据本公开，提供了一种谋求了磁屏蔽特性的提高的噪声抑制薄片。
6.本公开的一个方式所涉及的噪声抑制薄片具备呈箔状的金属磁性体层、非磁性金属体层和粘着材料层，金属磁性体层和非磁性金属体层经由粘着材料层而贴合。
7.另外，根据另一个方式所涉及的噪声抑制薄片，其中，粘着材料层的介电常数为5.0以下。
8.进一步地，根据另一个方式所涉及的噪声抑制薄片，其中，金属磁性体层的厚度为20μm以下。
9.另外，根据另一个方式所涉及的噪声抑制薄片，其中，粘着材料层的厚度为5～100μm。
10.进一步地，根据另一个方式所涉及的噪声抑制薄片，其中，金属磁性体层由feni合金构成。
11.另外，根据另一个方式所涉及的噪声抑制薄片，其中，非磁性金属体层由选自cu和al中的至少一种构成。
附图说明
12.图1是示出噪声抑制薄片的一个实施方式的示意截面图。
13.图2是示出实施例所涉及的评价结果的表。
具体实施方式
14.在下文中，将适当地参照附图，对本公开的优选实施方式进行详细地说明。然而，本公开不限于以下的实施方式。
15.图1是示出噪声抑制薄片的一个实施方式的示意截面图。图1所示的噪声抑制薄片
1具有层叠构造，并且以金属磁性体层10、粘着材料层30和非磁性金属体层20的顺序层叠。更具体地，在噪声抑制薄片1中，金属磁性体层10和非磁性金属体层20经由粘着材料层30而结合(即，贴合)。从薄化的观点出发，噪声抑制薄片1的厚度被设计为100μm以下。
16.金属磁性体层10呈箔状，并且由金属磁性体构成。金属磁性体层10例如可以通过滚轧或薄片制造法而得到。金属磁性体层10例如由feni合金(坡莫合金)、硅钢板、fesial合金(sendust)等构成。在本实施方式中，金属磁性体层10由含有70～84wt％的ni且含有16～30wt％的fe的feni合金构成。在金属磁性体层10中可以添加2～8wt％的si。金属磁性体层10具有高磁导率，并且发挥作为吸收噪声的磁屏蔽层的作用。
17.金属磁性体层10的厚度在本实施方式中被设计为20μm以下(作为一例，为10μm)。从噪声抑制薄片1的薄化的观点出发，金属磁性体层10的厚度可以为10μm以下、7μm以下或5μm以下。从更有效地吸收噪声的观点出发，金属磁性体层10的厚度可以为0.5μm以上、1μm以上或3μm以上。
18.金属磁性体层10被设计为有高的电阻率，并且本实施方式所涉及的金属磁性体层10的电阻率为70～115μω
·
cm(作为一例，为95μω
·
cm)。
19.非磁性金属体层20是箔或薄膜，并且由非磁性金属构成。构成非磁性金属体层20的非磁性金属例如可以列举为cu、al、sn、bi等。非磁性金属体层20可以由单一的非磁性金属构成，也可以由金属种类不同的多种非磁性金属构成。本实施方式所涉及的非磁性金属体层20由选自cu和al中的至少一种构成。非磁性金属体层20发挥作为反射电磁波噪声的电磁波屏蔽的功能。
20.非磁性金属体层20的厚度在本实施方式中被设计为20μm以下(作为一例，为12μm)。从更有效地反射电磁波噪声的观点出发，非磁性金属体层20的厚度可以为1μm以上、或2μm以上，从噪声抑制薄片1的薄化的观点来看，可以为4μm以下、3μm以下、或2μm以下。
21.在非磁性金属体层20是箔(或薄片)的情况下，非磁性金属体层20例如可以通过滚轧或薄片制造法而得到。在非磁性金属体层20是薄膜的情况下，非磁性金属体层20可以通过电解加工或蒸镀等而得到。
22.粘着材料层30由粘着材构成，并且介于金属磁性体层10和非磁性金属体层20之间。粘着材料层30由粘着材构成，并且作为一例，由乙烯基苄基构成。粘着材料层30由介电常数为5.0以下的粘着材构成。粘着材料层30的厚度为5～100μm，作为一例，为50μm。
23.对通过使金属磁性体层10与非磁性金属体层20贴合而得到噪声抑制薄片1的方法，没有特别限定，可以采用各种方法。
24.例如，在非磁性金属体层20是箔的情况下，通过经由粘着材料层30而使金属磁性体层10和非磁性金属体层20贴合，从而可以形成噪声抑制薄片1。即，可以仅在贴合工序中形成噪声抑制薄片1。因此，不需要成膜装置就可以比较简单地形成噪声抑制薄片1。
25.在非磁性金属体层20是成膜于基材等的薄膜的情况下，对于非磁性金属体层20，通过经由粘着材料层30而贴附金属磁性体层10，可以形成噪声抑制薄片1。在该情况下，也可以仅在贴合工序中形成噪声抑制薄片1，并且可以比较简单地形成噪声抑制薄片1。
26.通过将上述的噪声抑制薄片1安装于电子部件等，可以吸收、抑制从电子部件中的电路等产生的噪声(磁、电磁波等)。在噪声抑制薄片1中，噪声被金属磁性体层10吸收。对于未被金属磁性体层10吸收而透过的噪声，其可以被非磁性金属体层20反射并再次被金属磁
性体层10吸收，因此噪声抑制薄片1可以更有效地抑制噪声。
27.另外，根据噪声抑制薄片1，可以实现高的磁屏蔽特性。在噪声抑制薄片1中，特别地，在金属磁性体层10中可以实现70～115μω
·
cm的高的电阻率，并且由于即使在1mhz～10mhz程度的高频区域中也维持了高的磁导率，因此介电常数的频率依赖性变低。
28.进一步地，由于噪声抑制薄片1具备高的磁屏蔽特性，因此可以作为噪声抑制薄片保持实用上足够的磁屏蔽特性，并且谋求薄化。
29.另外，在噪声抑制薄片1中，由于粘着材料层的介电常数为5.0以下，因此如后述的实施例所示，实现了高的噪声衰减量。
30.进一步地，在噪声抑制薄片1中，金属磁性体层的厚度为20μm以下，并且谋求了薄化和柔软性的提高。
31.另外，在噪声抑制薄片1中，粘着材料层的厚度为5～100μm，并且谋求了薄化和柔软性的提高。
32.实施例
33.在下文中，根据实施例对本公开进行具体地说明。然而，本公开不限于这些实施例。
34.[噪声抑制薄片的准备]
[0035]
(实施例1)
[0036]
作为实施例1，准备了具有经由粘着材料层而贴合有由feni合金构成的呈箔状的金属磁性体层和由cu构成的呈箔状的非磁性金属体层的层叠构造(三层构造)的噪声抑制薄片。设金属磁性体层的厚度为10μm，非磁性金属体层的厚度为12μm，粘着材料层的厚度为50μm。粘着材料层使用介电常数为4.95的粘着材料而构成。
[0037]
(实施例2、3)
[0038]
作为实施例2、3，准备了除了粘着材料层的介电常数以外，其它都与实施例1相同的噪声抑制薄片。在实施例2中，使用介电常数为3.45的粘着材料来构成粘着材料层。在实施例3中，使用介电常数为2.25的粘着材料来构成粘着材料层。
[0039]
(比较例1)
[0040]
作为比较例1，准备了仅由由feni合金构成的呈箔状的金属磁性体层构成的噪声抑制薄片。
[0041]
(比较例2、3)
[0042]
作为比较例2、3，准备了除了粘着材料层的介电常数以外，其它都与实施例1相同的噪声抑制薄片。在比较例2中，使用介电常数为6.22的粘着材料来构成粘着材料层。在比较例3中，使用介电常数为5.38的粘着材料来构成粘着材料层。
[0043]
[噪声抑制薄片的评价]
[0044]
(噪声衰减量的测量)
[0045]
对在实施例1～3中所得的噪声抑制薄片和在比较例1～3中所得的噪声抑制薄片的各个分别进行噪声衰减量(dbμv)的测量。更具体地，使用emi测试仪(peritec corporation制的emv-200)测量了在20mhz、100mhz、500mhz和1200mhz的各频率下的噪声中的噪声衰减量(dbμv)。将其结果示于图2的表中。
[0046]
如图2的表所示，粘着材料层的介电常数为5.0以下的实施例1～3中的任一者在所
有的频率下均得到了25dbμv以上的高的噪声衰减量。在比较例1中，在低的频率下没有得到足够的噪声衰减量。在粘着材料层的介电常数超过5.0的比较例2、3中，低的频率下噪声衰减量低于25dbμv，并且没有得到足够的噪声衰减量。
[0047]
从上述的结果可以确认，根据粘着材料层的介电常数为5.0以下的噪声抑制薄片，得到了高的噪声衰减量，并且可以谋求磁屏蔽特性的提高。