三电平半导体开关管门极驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种三电平半导体开关管门极驱动电路，其特征在于：包括4个mos管，分别称为m1、m2、m3、m4，其中的m2和m4为低压n沟道mosfet，m1和m3为低压p沟道mosfet；m1的漏极与m2的漏极相连，m1的栅极与m2的栅极相连，m1的源极和m2的源极共同连接有pwm信号a；m3的漏极与m4的漏极相连，m3的栅极与m4的栅极相连，m3的源极和m4的源极共同连接有pwm信号b；m1的漏极和m2的漏极共同通过电容c与m3的源极连接；vcc的负极与vee的正极相连并且接地，vcc的正极与m1的源极连接，vcc的正极通过二极管d与m3的源极及电容c连接；m3的漏极和m4的漏极共同输出驱动电路的输出信号。2.根据权利要求1所述的三电平半导体开关管门极驱动电路，其特征在于：所述的pwm信号a是由负载电路中m6的漏极与源极的电压经过比较器处理后得到，该pwm信号a用于驱动m1和m2，当pwm信号a为高电平时，m2导通，当pwm信号a为低电平时，m1导通。3.根据权利要求1所述的三电平半导体开关管门极驱动电路，其特征在于：所述的pwm信号b由脉冲电源提供，该pwm信号b用于驱动m3和m4，当pwm信号b为高电平时，m4导通，当pwm信号b为低电平时，m3导通。4.根据权利要求1所述的三电平半导体开关管门极驱动电路，其特征在于：所述的vcc与vee都是正电压的直流电压源。5.根据权利要求1所述的三电平半导体开关管门极驱动电路，其特征在于：所述的输出信号与负载电路直接相连。

技术总结
本发明公开了一种三电平半导体开关管门极驱动电路，包括4个MOS管，分别称为M1、M2、M3、M4，M1与M2的漏极相连，M1与M2的栅极相连，M1和M2的源极共同连接有PWM信号A；M3与M4的漏极相连，M3与M4的栅极相连，M3和M4的源极共同连接有PWM信号B；M1和M2的漏极共同通过电容C与M3的源极连接；Vcc的负极与Vee的正极相连并且接地，Vcc的正极与M1的源极连接，Vcc的正极通过二极管D与M3的源极及电容C连接；M3和M4的漏极共同输出驱动电路的输出信号。本发明的驱动电路结构所需的器件更少，成本更低，有效减小系统的开关损耗。统的开关损耗。统的开关损耗。


技术研发人员：付永升 马峥嵘 任海鹏
受保护的技术使用者：西安工业大学
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/10/8