一种分立元件组成的密码锁控制电路的制作方法

1.本实用新型涉及一种密码锁控制电路，尤其是一种分立元件组成的密码锁控制电路，属于电子技术领域。


背景技术：

2.密码锁已广泛得以使用。但当前主流密码锁，采用微控制器控制，成本高，设置密码操作复杂，且在特斯拉线圈的高频高压辐射干扰下，程序易错乱，易产生误开锁动作，成为一个不安全因素。


技术实现要素：

3.针对背景技术所提问题，本实用新型提供一种分立元件组成的密码锁控制电路，密码锁控制电路由单向可控硅、拨码开关、三极管、稳压二极管等分立元件完成，具有成本低、密码设置操作简单，抗特斯拉线圈高频高压辐射干扰强的特点。具体技术方案如下：
4.一种分立元件组成的密码锁控制电路，包括可控硅u1～u4、三极管q1～q6、拨码开关dsw1～dsw4、按键k1～k4、稳压二极管d1～d4、电阻r1～r11、电容c1和c2、输出端口vo，其中按键k1～k4的一端都接 5v，按键k1的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的1脚，按键k2的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的2脚，按键k3的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的3脚，按键k4的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的4脚，拨码开关dsw1～dsw4的5脚分别接电阻r1、r3、r5、r7的一端；可控硅u1的控制极接电阻r1的另一端，阳极接电阻r2的一端和三极管q1的基极，电阻r2的另一端接 5v；可控硅u2的控制极接三极管q1的集电极，阳极接电阻r4的一端和三极管q2的基极，三极管q1的发射极接电阻r3的另一端和稳压二极管d1的负极，电阻r4的另一端接 5v；可控硅u3的控制极接三极管q2的集电极，阳极接电阻r6的一端和三极管q3的基极，三极管q2的发射极接电阻r5的另一端和稳压二极管d2的负极，电阻r6的另一端接 5v；可控硅u4的控制极接三极管q3的集电极，阳极接电阻r8的一端、电阻r11的一端和输出端口vo，三极管q3的发射极接电阻r7的另一端和稳压二极管d3的负极，电阻r8的另一端接 5v；三极管q4的发射极接地，集电极接电阻r9的一端和三极管q5的基极，基极接电阻r10的一端、电容c1的正极和三极管q6的集电极，电阻r10的另一端接稳压二极管d1～d3的正极，电阻r9的另一端接 5v，电容c1的负极接地；三极管q5的集电极接可控硅u1～u4的阴极，发射极接地；三极管q6的基极接电阻r11的另一端和电容c2的正极，发射极接稳压二极管d4的正极，稳压二极管d4的负极接 5v，电容c2的负极接地；可控硅u1～u4为小功率的单向可控硅，稳压二极管d1～d4采用3.3v稳压二极管。
5.本实用新型提供一种分立元件组成的密码锁控制电路，密码锁控制电路由单向可控硅、拨码开关、三极管、稳压二极管等分立元件完成，具有成本低、密码设置操作简单、抗特斯拉线圈的高频高压辐射干扰强的特点。
附图说明
6.图1是本实用新型电路图。
具体实施方式
7.下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
8.如图1所示，一种分立元件组成的密码锁控制电路，包括可控硅u1～u4、三极管q1～q6、拨码开关dsw1～dsw4、按键k1～k4、稳压二极管d1～d4、电阻r1～r11、电容c1和c2、输出端口vo，其中按键k1～k4的一端都接 5v，按键k1的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的1脚，按键k2的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的2脚，按键k3的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的3脚，按键k4的另一端接拨码开关dsw1～dsw4的4脚，拨码开关dsw1～dsw4的5脚分别接电阻r1、r3、r5、r7的一端；可控硅u1的控制极接电阻r1的另一端，阳极接电阻r2的一端和三极管q1的基极，电阻r2的另一端接 5v；可控硅u2的控制极接三极管q1的集电极，阳极接电阻r4的一端和三极管q2的基极，三极管q1的发射极接电阻r3的另一端和稳压二极管d1的负极，电阻r4的另一端接 5v；可控硅u3的控制极接三极管q2的集电极，阳极接电阻r6的一端和三极管q3的基极，三极管q2的发射极接电阻r5的另一端和稳压二极管d2的负极，电阻r6的另一端接 5v；可控硅u4的控制极接三极管q3的集电极，阳极接电阻r8的一端、电阻r11的一端和输出端口vo，三极管q3的发射极接电阻r7的另一端和稳压二极管d3的负极，电阻r8的另一端接 5v；三极管q4的发射极接地，集电极接电阻r9的一端和三极管q5的基极，基极接电阻r10的一端、电容c1的正极和三极管q6的集电极，电阻r10的另一端接稳压二极管d1～d3的正极，电阻r9的另一端接 5v，电容c1的负极接地；三极管q5的集电极接可控硅u1～u4的阴极，发射极接地；三极管q6的基极接电阻r11的另一端和电容c2的正极，发射极接稳压二极管d4的正极，稳压二极管d4的负极接 5v，电容c2的负极接地；可控硅u1～u4为小功率的单向可控硅，稳压二极管d1～d4采用3.3v稳压二极管。
9.拨码开关dsw～dsw4用于设置密码，当前密码设置为：2
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3。设置方法为：先将dsw1～dsw4的每一路都拨向off，然后将dsw1的第2路拨向on，将dsw2的第1路拨向on，将dsw3的第4路拨向on，将dsw4的第3路拨向on；按键k1～k4用于开锁时输入密码；由输出端口vo送出开锁信号，约定，高电平为关锁信号，低电平为开锁信号。
10.刚通电时，无人按下任何按键，可控硅u1～u4得不到触发而截止，电容c2获得充电，电容c2电压渐升至 5v，使三极管q6截止。由于三极管q6和稳压二极管d1～d3都截止，三极管q4也截止，三极管q5的基极获得驱动电流，三极管q5进入饱和导通状态，使可控硅u1～u4具备导通条件。
11.正常的开锁顺序，以2
‑1‑4‑
3密码例，是以k2
‑
k1
‑
k4
‑
k3顺序按下按键。先按下k2，触发可控硅u1导通，可控硅u1阳极输出低电平，使三极管q1获得导通条件；再按k1，触发可控硅u2导通，可控硅u2阳极输出低电平，使三极管q2获得导通条件；再按k4，触发可控硅u3导通，可控硅u3阳极输出低电平，使三极管q3获得导通条件；最后按k3触发可控硅u4导通，可控硅u4阳极输出低电平。可控硅u4输出低电平经输出端口vo送给开锁执行机构，实现开锁。开锁时，电容c2经电阻r11放电，其电压渐降，数秒钟后，其电压降至约 1v，三极管q6导通，其又驱动三极管q4导通，进而使三极管q5截止，最终使可控硅u1～u4截止，可控硅u4阳极恢复为高电平，此高电平经输出端口vo送给开锁执行机构，实现开锁数秒后又自动关锁。
自动关锁后，电容c2又获充电，最终又导致三极管q6和q4截止，使三极管q5饱和导通，为下次开锁做好准备。
12.若用户不能按密码设定的顺序开锁，只要有一位密码错，会引发稳压二极管d1～d3中的一个导通，进而引发三极管q4导通，又引发三极管q5截止，最后使可控硅u1～u4截止，导致本次开锁操作失败。
13.如在当前2
‑1‑4‑
3密码例下，正确开锁顺序是k2
‑
k1
‑
k4
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k3。若用户先按下k2后，没接着按下k1，就按下k4，导致：可控硅u1受k2触发导通，其输出低电平，使三极管q1获得导通条件；但由于用户没有紧接着按下k1，可控硅u2没有获得触发，其还维持截止状态，使三极管q2没有获得导通条件；当用户按下k4后，因三极管q2截止，无法触发可控硅u3导通，同时，引发稳压二极管d2导通，进而驱动三极管q4导通，使三极管q5截止，最后使可控硅u1～u4截止，使本次开锁操作失败。
14.若串接更多单元，增加更多按键，可提高密码容量，提高密码被破译的难度。