用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料的制作方法

技术特征：
1.用于反射型掩模坯料的带膜的基板，包括：基板、在所述基板的主表面上形成并反射极紫外(euv)光的多层反射膜、和与所述多层反射膜相接地形成的保护膜，其中所述多层反射膜具有其中将钼(mo)层和硅(si)层交替地层叠且具有最上层硅(si)层的周期性层叠结构，并且在所述钼(mo)层和所述硅(si)层之间的一个边界部存在一个含有mo和si的混合层，所述保护膜含有钌(ru)作为主成分，且在所述最上层硅(si)层与所述保护膜之间的另一边界部生成含有ru和si的另一混合层，并且以下定义的膜和层的厚度满足下述表达式(1)至(3)的全部：5.3≤t
upsi
t
rusi
t
ru
/2≤5.5
ꢀꢀ
(1)1.1≤t
ru
/2
‑
(t
si
‑
t
upsi
)≤1.3
ꢀꢀ
(2)3.0≤t
ru
≤4.0
ꢀꢀ
(3)其中t
ru
(nm)表示所述保护膜的厚度，t
rusi
(nm)表示在所述最上层硅(si)层和所述保护膜之间的所述另一边界部的所述另一混合层的厚度，t
upsi
(nm)表示除混合层外的所述最上层硅(si)层的厚度，且t
si
(nm)表示在所述最上层硅(si)层下方的周期性层叠结构中的除混合层外的所述硅(si)层的厚度。2.根据权利要求1所述的用于反射型掩模坯料的带膜的基板，其中，相对于euv光的入射角1.3至10.7
°
的范围内的最低反射率r
min
(％)满足下述表达式(4)：r
min
≥72
‑2×
t
ru
ꢀꢀ
(4)其中t
ru
表示所述保护膜的厚度(nm)。3.反射型掩模坯料，包括：根据权利要求1或2所述的用于反射型掩模坯料的带膜的基板、在所述保护膜上形成并吸收极紫外(euv)光的吸收体膜、和在所述基板的相反侧的主表面上形成的导电层。

技术总结
本发明涉及用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料。提供一种用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料，该用于反射型掩模坯料的带膜的基板包括：基板、Mo层和Si层的多层反射膜、以及Ru保护膜。基板和坯料包括在Mo层和Si层之间存在的含有Mo和Si的混合层，和在最上层Si层和Ru保护膜之间生成的含有Ru和Si的另一混合层；该膜和层具有满足限定的表达式的厚度。定的表达式的厚度。定的表达式的厚度。


技术研发人员：寺泽恒男 金子英雄 稻月判臣 高坂卓郎
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2021.04.27
技术公布日：2021/10/28