一种芯片封装方法与流程

技术特征：
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在陶瓷基板上蚀刻或多层焊接出3d结构的金属面层；采用蚀刻制备金属面层时，正常蚀刻沟槽后，采用丝网印刷油墨遮挡，逐级刻蚀；采用多层焊接制备金属面层时，与瓷片接触的金属层采用真空活性钎焊或者直接键合，其余的金属层之间采用扩散焊；步骤二，在陶瓷盖板上敷接盖板金属层，所述盖板金属层上采用激光精雕或者蚀刻的方式制备图形层；步骤三，将芯片焊接在金属面层上的芯片安装位上；步骤四，将陶瓷盖板与陶瓷基板进行上下拼合后，焊接固定。2.根据权利要求1所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述步骤二中的图形层包括线路层；步骤四中，所述芯片上的芯片端子与所述线路层相连。3.根据权利要求2所述的一种芯片封装方法，其特征在于：步骤二中，所述图形层还包括与所述陶瓷金属面层卡接的卡接结构；所述卡接结构与所述线路层之间设有分隔间隙。4.根据权利要求1所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述金属面层包括孤立设置的芯片安装部，所述金属面层还包括盖板安装部；所述芯片安装部的高度低于所述盖板安装部的高度；所述芯片安装部位于所述陶瓷基板的中央；所述陶瓷基板的至少一侧的边缘设有所述盖板安装部，所述盖板安装部与所述卡接结构卡接。5.根据权利要求4所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述金属面层还包括孤立设置的金属布线焊区，金属布线焊区位于所述芯片安装部与所述盖板安装部之间；所述陶瓷盖板与所述陶瓷基板上下拼合时，所述芯片上的芯片端子通过所述线路层与所述金属布线焊区电相连。6.根据权利要求4所述的一种芯片封装方法，其特征在于：金属面层包括从上至下依次设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层；所述第二金属层上设有卡口凹陷部；所述卡接结构是与所述卡口凹陷部相匹配的卡口突出部。7.根据权利要求4所述的一种芯片封装方法，其特征在于：步骤四之后，在陶瓷盖板与陶瓷基板之间注入硅胶。8.根据权利要求4所述的一种芯片封装方法，其特征在于：步骤二中，陶瓷盖板上开孔，用于引出线路层上的端子。9.根据权利要求4所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述金属面层的厚度为0.127mm
‑
1.2mm。10.根据权利要求4所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述第三金属层包括正投影区域与所述第二金属层相匹配的第二金属层覆盖区以及位于中央的芯片覆盖区，所述芯片安装位固定在所述芯片覆盖区；所述芯片覆盖区与所述第二金属层覆盖区之间存有沟槽；
所述第二金属层位于所述第二金属层覆盖区的上方；所述第二金属层包括正投影区域与所述第一金属层相匹配的第一金属层覆盖区以及用于卡接卡口突出部的连接区；所述连接区位于所述芯片覆盖区的四周的至少一侧；所述第一金属层覆盖在所述第一金属层覆盖区的上方。

技术总结
本发明涉及半导体技术领域。一种芯片封装方法，包括如下步骤：步骤一，在陶瓷基板上蚀刻或多层焊接出3D结构的金属面层；步骤二，在陶瓷盖板上敷接盖板金属层，所述盖板金属层上采用激光精雕或者蚀刻的方式制备图形层；步骤三，将芯片焊接在金属面层上的芯片安装位上；步骤四，将陶瓷盖板与陶瓷基板进行上下拼合后，焊接固定。3D结构的陶瓷基板能显著提高芯片封装密度；以陶瓷盖板上刻蚀有的线路层，陶瓷盖板焊接在陶瓷基板及芯片上来取代传统的引线键合或导线键合，提供一种新的取代引线键合的方法。合的方法。合的方法。


技术研发人员：王斌 贺贤汉 周轶靓 葛荘 吴承侃
受保护的技术使用者：上海富乐华半导体科技有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/10/28