一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法与流程

技术特征：
1.一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法，其特征在于，在绝缘衬底表面构筑有机半导体薄膜，然后在构筑的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入纳米粒子，所述纳米粒子均匀且不连续，所述纳米粒子体积分数占有机半导体薄膜体积的0.1%
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3%。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括制备栅极导电电极。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机半导体薄膜为多晶薄膜。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述有机半导体薄膜是有机小分子半导体或有机聚合物半导体。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米粒子直径在0.01nm
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100nm之间。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述纳米粒子包括金属导体粒子、有机及无机半导体粒子或绝缘体粒子中的一种。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括图案化制备源、漏电极。

技术总结
本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法：构筑有机半导体薄膜，然后在构筑的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。在常温储存条件下，引入纳米粒子稳定的有机半导体形貌几乎不会发生变化，保证了以有机半导体薄膜所制备的有机晶体管器件在高温工作环境和实际大气环境中电学性能的稳定。中电学性能的稳定。中电学性能的稳定。


技术研发人员：李立强 陈小松 戚建楠 胡文平
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2021/10/28