一种量子计算用C波段低温低噪声放大器的制作方法

技术特征：
1.一种量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，包括：外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器，外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器通过金丝w2级联，宽带单片低噪声放大器采用三级mhemt管芯电路结构。2.如权利要求1所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述外部输入微带匹配电路包括串联匹配电容c1、第一偏置电路和微带线tl1、tl2；微带线tl1与电容c1串联，电容c1与微带线tl2经金丝w1连接后与第一偏置电路连接，微带线tl2经金丝w2与所述宽带单片低噪声放大器级联。3.如权利要求2所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述第一偏置电路包括微带线tl3、滤波电容c2、c3和电阻r1，微带线tl3接入所述电容c1和所述微带线tl2的连接线上，电阻r1与微带线tl3串联，滤波电容c2、c3并联在电阻r1两端。4.如权利要求2所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器包括第一级管芯t1、第二级管芯t2和第三级管芯t3；第一级管芯t1的栅极通过所述金丝w2连接到所述外部输入微带匹配电路，源极通过微带线tl4接地，漏极通过隔直电容c5与第二级管芯t2的栅极连接；第二级管芯t2的源极通过微带线tl5和微带线tl6接地，漏极通过隔直电容c8与第三级管芯t3的栅极连接；第三级管芯t3的源极通过微带线tl7和微带线tl8接地，漏极通过隔直电容c11和电阻r9与输出pad相连。5.如权利要求4所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器还包括第二偏置电路、第三偏置电路、第四偏置电路、第五偏置电路和第六偏置电路，第二偏置电路包括电阻r2、电感l1和电容c4，第三偏置电路包括电阻r3、r4和电容c6，第四偏置电路包括电阻r5和电容c7，第五偏置电路电阻r6、r7和电容c9，第六偏置电路包括电阻r8、电感l2和电容c10；所述第一偏置电路用于提供所述第一级管芯t1的栅压vg1，第二偏置电路提供所述第一级管芯t1的漏压vd1且第二偏置电路通过pad1与外部电源连接，第三偏置电路提供所述第二级管芯t2的栅压vg2且第三偏置电路通过pad4与外部电源相连，第四偏置电路提供所述第二级管芯t2的漏压vd2并通过pad2与外部电源连接，第五偏置电路提供所述第三级管芯t3的栅压vg3并通过pad5与外部电源连接，第六偏置电路提供所述第三级管芯t3的漏压vd3，并通过pad3与外部电源连接。6.如权利要求3所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述电容c1、c2和c3均采用芯片电容，所述电阻r1采用薄膜电阻。7.如权利要求4所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述第一级管芯t1的栅指数为2，总栅宽为200um；第二级和第三级管芯t2和t3的栅指数均为2，总栅宽均为100um。8.如权利要求1
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7任一项所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器采用70nm gaas mhemt工艺制备，且电路板厚度为100um。9.如权利要求1
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7任一项所述的量子计算用c波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器的输出pad经金丝w3与微带线tl9连接。

技术总结
本发明公开了一种量子计算用C波段低温低噪声放大器，属于微波器件技术领域，包括外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器，外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器通过金丝W2级联，宽带单片低噪声放大器采用三级mHEMT管芯电路结构。本发明采用了混合微波集成电路形式，整个放大器电路除了第一级输入匹配采用外部电路结构，其他均采用微波单片集成电路，在缩小电路体积的同时，拓展了带宽。拓展了带宽。拓展了带宽。


技术研发人员：张诚 何川 王小川 渠慎奇 王生旺 陆勤龙 王丽 詹超 王自力 吴志华 张士刚
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十六研究所
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2021/10/28