一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路
技术领域
1.本实用新型涉及ipm模块领域，特别是一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路。
背景技术：
2.智能功率模块(ipm)是intelligent power module的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有gtr(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及mosfet(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且ipm内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(pic)，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。
3.目前国内ipm模块技术大多由国外提供，为解决此问题。我公司采用全国产化技术，设计一种ipm智能功率模块，其目的是将ipm技术全国产化，使国内具备自主研制能力和生产能力，为国产化需求的应用领域提供ipm应用保障。基于国产化技术的ipm模块中，我公司设计了一种新的用于ipm模块的接通关断控制电路。
技术实现要素：
4.本实用新型的目的在于，提供一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路。其具有可为ipm模块实现接通关断控制的优点，且能够保护电路防止回路误触发短路。
5.本实用新型采用如下技术方案实现发明目的：
6.一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路，包括igbt，igbt的c端连接稳压二极管d2的负极，稳压二极管d2的正极连接二极管d1的负极、电阻r3的一端和双向tvs管d4的一极，二极管d1的正极连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端连接二极管d6的正极和电容c1的一端，电容c1的另一端连接r3的另一端和com端，双向tvs管d4的另一极连接电阻r10的一端，电阻r10的另一端连接com端、电容c2的一端、双向tvs管d5的一极和igbt的e端，电容c2的另一端连接双向tvs管d5的另一极、igbt的g端、快恢复二极管d3的正极、并联的三个电阻r4、r5和r6的一端以及并联的三个电阻r7、r8和r9的一端，快恢复二极管d3的负极连接vdd端，并联的三个电阻r4、r5和r6的另一端连接mos管q1的s极，mos管q1的d极连接vdd端和二极管d6的负极，mos管q1的g极连接电阻r1的一端和mos管q2的g极，电阻r1的另一端连连接驱动信号端，mos管q2的s极连接com端，mos管q2的d极连接连接并联的三个电阻r7、r8和r9的另一端。
7.与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：本实用新型当驱动信号为高电平时，经过限流电阻r1驱动q1关断，q2导通，将电阻r7/r8/r9下拉至低电平，使igbt的g端为低电平以达到关断作用。当驱动信号为低电平时，q1导通，q2关断，电阻r4/r5/r6工作，驱动igbt的g端为高电平进行工作，igbt导通。其中将r4/r5/r6及r7/r8/r9并联主要增加过流能力，降低单个电阻上面的功耗，r10为下拉电阻，使其在无驱动信号时igbt一直处于关断
状态，电容c2为滤波电容，二极管d5为双向tvs二极管，主要防止瞬间电压过大损坏igbt，二极管d3为快恢复二极管，当驱动端g端电压产生电压尖峰或大于vdd电压时导通将驱动端电压在导通状态下限制在vdd附近，其余电路作为保护电路防止回路误触发短路等。
附图说明
8.图1是本实用新型电路图；
9.图2是本实用新型的应用电路框图。
具体实施方式
10.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
11.实施例。一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路，构成如图1所示，包括igbt，igbt的c端连接稳压二极管d2的负极，稳压二极管d2的正极连接二极管d1的负极、电阻r3的一端和双向tvs管d4的一极，二极管d1的正极连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端连接二极管d6的正极和电容c1的一端，电容c1的另一端连接r3的另一端和com端，双向tvs管d4的另一极连接电阻r10的一端，电阻r10的另一端连接com端、电容c2的一端、双向tvs管d5的一极和igbt的e端，电容c2的另一端连接双向tvs管d5的另一极、igbt的g端、快恢复二极管d3的正极、并联的三个电阻r4、r5和r6的一端以及并联的三个电阻r7、r8和r9的一端，快恢复二极管d3的负极连接vdd端，并联的三个电阻r4、r5和r6的另一端连接mos管q1的s极，mos管q1的d极连接vdd端和二极管d6的负极，mos管q1的g极连接电阻r1的一端和mos管q2的g极，电阻r1的另一端连连接驱动信号端，mos管q2的s极连接com端，mos管q2的d极连接连接并联的三个电阻r7、r8和r9的另一端。
12.本电路的原理是：当驱动信号为高电平时，经过限流电阻r1驱动q1关断，q2导通，将电阻r7/r8/r9下拉至低电平，使igbt的g端为低电平以达到关断作用。当驱动信号为低电平时，q1导通，q2关断，电阻r4/r5/r6工作，驱动igbt的g端为高电平进行工作，igbt导通。其中将r4/r5/r6及r7/r8/r9并联主要增加过流能力，降低单个电阻上面的功耗，r10为下拉电阻，使其在无驱动信号时igbt一直处于关断状态，电容c2为滤波电容，二极管d5为双向tvs管二极管，主要防止瞬间电压过大损坏igbt，快恢复二极管d3为快恢复二极管，当驱动端g端电压产生电压尖峰或大于vdd电压时导通将驱动端电压在导通状态下限制在vdd附近，其余电路作为保护电路防止回路误触发短路等。
13.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
技术特征：
1.一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路，包括igbt，其特征在于：igbt的c端连接稳压二极管d2的负极，稳压二极管d2的正极连接二极管d1的负极、电阻r3的一端和双向tvs管d4的一极，二极管d1的正极连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端连接二极管d6的正极和电容c1的一端，电容c1的另一端连接r3的另一端和com端，双向tvs管d4的另一极连接电阻r10的一端，电阻r10的另一端连接com端、电容c2的一端、双向tvs管d5的一极和igbt的e端，电容c2的另一端连接双向tvs管d5的另一极、igbt的g端、快恢复二极管d3的正极、并联的三个电阻r4、r5和r6的一端以及并联的三个电阻r7、r8和r9的一端，快恢复二极管d3的负极连接vdd端，并联的三个电阻r4、r5和r6的另一端连接mos管q1的s极，mos管q1的d极连接vdd端和二极管d6的负极，mos管q1的g极连接电阻r1的一端和mos管q2的g极，电阻r1的另一端连连接驱动信号端，mos管q2的s极连接com端，mos管q2的d极连接连接并联的三个电阻r7、r8和r9的另一端。
技术总结
本实用新型公开了一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路。本实用新型包括R1
技术研发人员：王益凡 张红静 郭建章 毕庆生 杨圣敏 刘西安 刘转 田浩 韩高鹏 姚恩源
受保护的技术使用者：贵州振华群英电器有限公司（国营第八九一厂）
技术研发日：2021.04.15
技术公布日：2021/10/23
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
