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滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法与流程

2021-10-29 23:11:00 来源:中国专利 TAG:滤波器 封装 芯片 谐振器 声波

技术特征:
1.一种滤波器芯片封装结构,其特征在于,包括:滤波器晶圆,与滤波器盖体连接;所述滤波器晶圆与所述滤波器盖体形成空腔;所述滤波器盖体,未与所述滤波器晶圆形成所述空腔的部分设置有第一通孔和第二通孔;第一金属层,位于所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述滤波器盖体的表面上;所述第一金属层位于所述第一通孔内的部分被限定成第一凹槽;所述第一金属层穿过所述第一通孔连接所述滤波器晶圆;第二金属层,位于所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述滤波器盖体的表面上;所述第二金属层位于所述第二通孔内的部分被限定成第二凹槽;所述第二金属层穿过所述第二通孔连接所述滤波器晶圆;第一金属填充层,位于所述第一凹槽内,在所述第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点;第二金属填充层,位于所述第二凹槽内,在所述第二金属填充层上设置有第二焊锡凸点。2.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述滤波器盖体形成有第三凹槽;所述滤波器盖体通过所述第三凹槽与所述滤波器晶圆形成所述空腔。3.根据权利要求2所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述滤波器盖体包括:第一衬底,通过键合层与所述滤波器晶圆连接;所述第一衬底设置有第三通孔与第四通孔;所述键合层,被限定为中空结构,所述键合层的中空部分被限定为所述滤波器盖体的第三凹槽;在所述第三凹槽外围的部分设置有第五通孔与第六通孔;所述第五通孔与所述第三通孔连通形成第一通孔;所述第六通孔与所述第四通孔连通形成第二通孔。4.根据权利要求1至3任一项所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述滤波器晶圆为体声波谐振器或表面声波谐振器。5.根据权利要求3所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述键合层由氧化硅、氮化硅或有机膜材料制成。6.根据权利要求3所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述第一衬底由硅、碳化硅、三氧化二铝和二氧化硅中的一种或多种制成。7.一种用于滤波器芯片封装的方法,其特征在于,包括:提供滤波器晶圆;在所述滤波器晶圆上形成带有第一通孔、第二通孔及第三凹槽的滤波器盖体;所述第一通孔和所述第二通孔均暴露出所述滤波器晶圆;所述滤波器盖体通过所述第三凹槽与所述滤波器晶圆形成空腔;在所述第一通孔内设置第一焊锡球;在所述第二通孔内设置第二焊锡球。8.根据权利要求7所述的用于滤波器芯片封装的方法,其特征在于,所述滤波器晶圆为体声波谐振器;在所述滤波器晶圆上形成带有第一通孔、第二通孔及第三凹槽的滤波器盖体,包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上刻蚀形成第四凹槽和第五凹槽;
在所述第一衬底上淀积具有中空结构的键合层;刻蚀所述键合层以暴露出所述第四凹槽和第五凹槽,形成由所述第一衬底与所述键合层构成的滤波器盖体;所述键合层的中空部分被限定为所述滤波器盖体的第三凹槽;所述滤波器盖体通过所述键合层键合到所述滤波器晶圆,所述第四凹槽与所述体声波谐振器的下电极层连通,所述第五凹槽与所述体声波谐振器的上电极层连通;减薄所述第一衬底,使所述第四凹槽暴露为所述滤波器盖体的第一通孔;使所述第五凹槽暴露为所述滤波器盖体的第二通孔。9.根据权利要求7所述的用于滤波器芯片封装的方法,其特征在于,所述滤波器晶圆为表面声波谐振器;在所述滤波器晶圆上形成带有第一通孔、第二通孔及第三凹槽的滤波器盖体,包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上刻蚀形成第四凹槽和第五凹槽;在所述第一衬底上淀积具有中空结构的键合层;刻蚀所述键合层以暴露出所述第四凹槽和第五凹槽,形成由所述第一衬底与所述键合层构成的滤波器盖体;所述键合层的中空部分被限定为滤波器盖体的第三凹槽;所述滤波器盖体通过所述键合层键合到所述滤波器晶圆,所述第四凹槽与所述表面声波谐振器的第一电极连通,所述第五凹槽与所述表面声波谐振器的第二电极连通;减薄所述第一衬底,使所述第四凹槽暴露为所述滤波器盖体的第一通孔;使所述第五凹槽暴露为所述滤波器盖体的第二通孔。10.根据权利要求8或9所述的用于滤波器芯片封装的方法,其特征在于,在所述第一通孔内设置第一焊锡球;在所述第二通孔内设置第二焊锡球,包括:在所述第一衬底远离所述键合层的一侧淀积待刻蚀金属层;所述待刻蚀金属层在所述第一通孔内的部分被限定成第六凹槽;所述待刻蚀金属层在所述第二通孔内的部分被限定成第七凹槽;形成伸入所述第六凹槽内的第一焊锡球;形成伸入所述第七凹槽内的第二焊锡球;将所述待刻蚀金属层中除第七凹槽和第六凹槽以外的金属移除,形成伸入所述第一通孔内的第一金属层和伸入所述第二通孔内的第二金属层。

技术总结
本申请涉及体声波谐振器技术领域,公开一种滤波器芯片封装结构,包括:滤波器晶圆和滤波器盖体;通过在滤波器盖体上设置有第一通孔、第二通孔,第一金属层位于第一通孔内的部分被限定成第一凹槽,第二金属层位于第二通孔内的部分被限定成第二凹槽;第一凹槽内填充有第一金属填充层,第二凹槽内填充有第二金属填充层;第一金属层穿过第一通孔连接滤波器晶圆;第二金属层穿过第二通孔连接滤波器晶圆;在第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点;在第二金属层上设置有第二焊锡凸点。这样,由于滤波器盖体设置的通孔被金属填充层填满,使得通孔的导热能力更好,从而散热效果更好。本申请还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。


技术研发人员:ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者:深圳新声半导体有限公司
技术研发日:2021.09.23
技术公布日:2021/10/28
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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