存储器器件和形成存储器器件的方法与流程

技术特征：
1.一种存储器器件，包括：电阻存储器阵列，包括第一电阻存储器单元；阶梯接触结构，与所述电阻存储器阵列相邻；金属间介电层，位于所述阶梯接触结构上方；第一二极管和第二二极管，位于所述金属间介电层上方；第一导电通孔，将所述第一二极管电耦接至所述第一电阻存储器单元的第一电阻器；以及第二导电通孔，将所述第二二极管电耦接至所述第一电阻存储器单元的第二电阻器。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一导电通孔连接至所述第一电阻器的第一顶部电极，并且其中，所述第二导电通孔连接至所述第二电阻器的第二顶部电极。3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，第一位线电耦接至所述第一电阻器，并且第二位线电耦接至所述第二电阻器，其中，所述第一位线和所述第二位线至少部分设置在所述第一电阻存储器单元中。4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述第一位线连接至所述第一电阻器的第一电阻存储器膜，并且其中，所述第二位线连接至所述第二电阻器的第二电阻存储器膜。5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述第一电阻存储器单元包括第一晶体管，所述存储器器件还包括：第三导电通孔，连接至第一源极线，所述第一源极线电耦接至所述第一晶体管；以及第四导电通孔，连接至第二源极线，所述第二源极线电耦接至所述第一晶体管。6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述第一晶体管包括围绕所述第一晶体管的沟道区域的栅极电介质和全环绕栅极，其中，所述第一晶体管的所述沟道区域将所述第一源极线与所述第二源极线分隔开并且将所述第一位线与所述第二位线分隔开。7.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括：第二电阻存储器单元，位于所述第一电阻存储器单元上方；第三二极管和第四二极管，位于所述金属间介电层上方；第五导电通孔，将所述第三二极管电耦接至所述第二电阻存储器单元的第三电阻器；以及第六导电通孔，将所述第四二极管电耦接至所述第二电阻存储器单元的第四电阻器。8.一种存储器器件，包括：第一存储器单元，包括第一晶体管、第一电阻器和第二电阻器，其中，所述第一电阻器耦接至第一位线，并且所述第二电阻器耦接至第二位线；第一二极管，连接至所述第一电阻器的第一电极；第二二极管，连接至所述第二电阻器的第二电极，所述第一电阻器的所述第一电极位于所述第二电阻器的所述第二电极上方；第一导电通孔，连接至所述第一二极管；第二导电通孔，连接至所述第二二极管；以及金属间介电层，其中，所述第一二极管、所述第二二极管、所述第一导电通孔和所述第二导电通孔嵌入在所述金属间介电层中。9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中，所述第一二极管包括与所述第一电阻器的
所述第一电极相邻的第一导电类型半导体氧化物层。10.一种形成存储器器件的方法，包括：在材料的多层堆叠件的第一区域中形成电阻存储器阵列，所述电阻存储器阵列包括第一存储器单元；通过形成与所述电阻存储器阵列相邻的阶梯接触结构来暴露所述第一存储器单元的第一电阻器和第二电阻器；在所述阶梯接触结构上方形成第一二极管，所述第一二极管电耦接至所述第一电阻器；以及在所述阶梯接触结构上方形成第二二极管，所述第二二极管电耦接至所述第二电阻器。

技术总结
本文公开了存储器器件和形成存储器器件的方法。存储器器件包括：电阻存储器阵列，包括第一电阻存储器单元；阶梯接触结构，与电阻存储器阵列相邻；以及金属间介电层，位于阶梯接触结构上方。存储器器件还包括：第一二极管和第二二极管，位于金属间介电层上方。存储器器件还包括：第一导电通孔，将第一二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第一电阻器；以及第二导电通孔，将第二二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第二电阻器。器单元的第二电阻器。器单元的第二电阻器。


技术研发人员：林孟汉 张志宇 贾汉中 杨世海 林佑明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/10/23