用于存储器攻击缓解的方法和系统相关申请的交叉引用2.本技术要求2020年12月17日提交的名称为″用于存储器攻击缓解的方法和系统(method and system for memory attack mitigation)″的待审美国非临时专利申请17/125,978号的权益,其全部内容据此以引用方式并入本文。
包括耦合到静态随机存取存储器(sram)位单元电路和非易失性存储器(nvm)位单元电路的位线的存储器位单元电路以及存储器位单元阵列电路相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年12月9日提交的题为“memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory(sram)bit cell circuit and a non-volatile memory(nvm)bit cell circuit
包括耦合到静态随机存取存储器(sram)位单元电路和非易失性存储器(nvm)位单元电路的位线的存储器位单元电路以及存储器位单元阵列电路相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年12月9日提交的题为“memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory(sram)bit cell circuit and a non-volatile memory(nvm)bit cell circuit
存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择交叉参考2.本专利申请案主张维梅尔卡蒂(vimercati)的在2021年5月21日提交申请的标题为“存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择(thin film transistor deck selection in a memory device)”的美国专利申请案第17/327,035号的优先权,所述美国专利申请案转让给本发明受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。技术领域3.本技术领域涉及存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择。
存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择交叉参考2.本专利申请案主张维梅尔卡蒂(vimercati)的在2021年5月21日提交申请的标题为“存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择(thin film transistor deck selection in a memory device)”的美国专利申请案第17/327,004号的优先权,所述美国专利申请案转让给本发明受让人且其以全文引用的方式明确并入本文中。技术领域3.本技术领域涉及存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择。