一种系统级封装方法及封装结构与流程

技术特征：
1.一种系统级封装方法，其特征在于，包括：提供pcb板，所述pcb板具有正面和背面，所述正面上形成有多个裸露的第一焊垫，所述pcb板背面形成有多个裸露的第二焊垫；提供第一器件晶圆，所述第一器件晶圆上形成有第一芯片，在所述第一芯片上形成有多个裸露的第三焊垫；将所述第一器件晶圆与所述pcb板的正面键合，所述第一焊垫与所述第三焊垫相对围成第一间隙；提供第二器件晶圆，所述第二器件晶圆上形成有第二芯片，在所述第二芯片上形成有多个裸露的第四焊垫；将所述第二器件晶圆与所述pcb板的背面键合，所述第二焊垫与所述第四焊垫相对围成第二间隙；采用电镀工艺在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电凸块，所述第一焊垫与所述第三焊垫通过所述导电凸块电连接，所述第二焊垫与所述第四焊垫通过所述导电凸块电连接。2.如权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，所述第一器件晶圆、所述第二器件晶圆分别与所述pcb板通过粘接层连接。3.如权利要求2所述的系统级封装方法，其特征在于，所述粘接层包括可光刻的键合材料，芯片粘结膜，金属，介质层，或聚合物材料之一或组合。4.如权利要求3所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻的键合材料的厚度为5μm至200μm。5.如权利要求3所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻的键合材料包括：膜状干膜或液态干膜。6.如权利要求3所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻的键合材料的形成方法包括：所述pcb板分别与所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆键合前，在所述pcb板上形成可光刻的键合材料；或者，所述pcb板分别与所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆键合前，在所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆上形成可光刻的键合材料。7.如权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，所述电镀工艺包括化学镀；所述化学镀包括：化学镀钯浸金，其中化学镍的时间为30分钟至50分钟，化学金的时间为4分钟至40分钟，化学钯的时间为7分钟至32分钟；或者，化学镍金，其中化学镍的时间为30分钟至50分钟，化学金的时间为4分钟至40分钟；或者，化学镍，其中化学镍的时间为30分钟至50分钟。8.如权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，所述pcb板包括：至少一层板，每层板至少包括基板以及位于所述基板内的互连结构，所述第一焊垫位于顶层板上与所述互连结构电连接。9.如权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，还包括：所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆上设有连通孔，所述连通孔贯穿所述第一器件
晶圆和/或第二器件晶圆并延伸至所述第一芯片和/或所述第二芯片。10.如权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片包括传感器模组芯片、mems芯片、滤波器芯片、逻辑芯片、存储芯片、电容、电感中的至少一种。11.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：pcb板，所述pcb板具有正面和背面，所述正面上形成有多个裸露的第一焊垫，所述背面形成有多个裸露的第二焊垫；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆上形成有第一芯片，在所述第一芯片上具有多个裸露的第三焊垫，所述第一器件晶圆键合在所述pcb板的正面；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆上形成有第二芯片，在所述第二芯片上具有多个裸露的第四焊垫，所述第二器件晶圆键合在所述pcb板的背面；导电凸块，通过电镀工艺分别形成于第一焊垫与第三焊垫之间以及第二焊垫和第四焊垫之间，并分别使第一焊垫与第三焊垫电连接以及第二焊垫与第四焊垫电连接。12.如权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆通过可光刻的键合材料分别与所述pcb板粘结，所述可光刻的键合材料避开所述第一焊垫和所述第二焊垫设置。13.如权利要求12所述的系统级封装结构，其特征在于，所述可光刻的键合材料至少分别覆盖所述第一芯片和所述第二芯片面积的10％。14.如权利要求12所述的系统级封装结构，其特征在于，所述可光刻的键合材料的厚度为5μm至200μm。15.如权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，所述导电凸块的材料包括：铜、钛、铝、金、锌或铬中的任意一种或它们的任意组合。16.如权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，所述pcb板包括：至少一层板，每层板至少包括基板以及位于所述基板内的互连结构，所述第一焊垫位于顶层板上与所述互连结构电连接。17.如权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，还包括：在所述第一器件晶圆和/或所述第二器件晶圆上键合第三器件晶圆，所述第一器件晶圆和/或所述第二器件晶圆分别与所述第三器件晶圆通过电镀工艺电连接。18.如权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片包括传感器模组芯片、mems芯片、滤波器芯片、逻辑芯片、存储芯片、电容、电感中的至少一种。

技术总结
本发明提供一种系统级封装方法及封装结构，包括：提供PCB板，正面上形成有裸露的第一焊垫，背面形成有裸露的第二焊垫；第一器件晶圆上形成有第一芯片，在第一芯片上形成有多个裸露的第三焊垫；将第一器件晶圆与PCB板的正面键合；第二器件晶圆上形成有第二芯片，在第二芯片上形成有多个裸露的第四焊垫；将第二器件晶圆与PCB板的背面键合；采用电镀工艺在第一间隙和第二间隙内形成导电凸块，第一焊垫与第三焊垫通过导电凸块电连接，第二焊垫与第四焊垫通过导电凸块电连接。通过电镀工艺在PCB板分别与第一器件晶圆和第二器件晶圆之间形成导电凸块进行电连接，简化了封装流程，加强了电连接效率以及提高了导电性能。了电连接效率以及提高了导电性能。了电连接效率以及提高了导电性能。


技术研发人员：蔺光磊
受保护的技术使用者：芯知微（上海）电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2021/10/23