电容检测电路、方法及电子设备与流程

1.本技术涉及机器人技术领域，更具体地，涉及一种电容检测电路、方法及电子设备。


背景技术：

2.在进行电容阵列的各电容元件检测时，电容阵列传感器上某一电容元件被触摸按压等操作，然后检测到该电容元件的目标电容值变化。但是，该目标电容值受到该电容元件之外的其他电容元件跟随该触摸按压动作而产生的电容值的影响，导致所检测的电容结果不够准确。


技术实现要素：

3.本技术提出了一种电容检测电路、方法及电子设备，以改善上述缺陷。
4.第一方面，本技术实施例提供了一种电容检测电路，应用于电子皮肤的检测，所述电子皮肤包括电容阵列，所述电容阵列包括多个电容元件，所述多个电容元件成行列分布，所述电容检测电路包括：电容检测模块和处理模块，电容检测模块被配置为与所述电容阵列连接，处理模块与所述电容检测模块连接，电容检测模块用于检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值，其中，所述第一电容组包括所述待测电容元件和待测行电容元件，所述第二电容组包括所述待测电容元件和待测列电容元件，所述第三电容组包括所述待测行电容元件和所述待测列电容元件，所述待测电容元件为所述电容阵列中的一个电容元件，所述待测行电容元件为与所述待测电容元件属于同一行的电容元件，所述待测列电容元件为与所述待测电容元件属于同一列的电容元件，处理模块用于根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。
5.第二方面，本技术实施例还提供了一种电容检测方法，应用于电子皮肤的检测，所述电子皮肤包括电容阵列，所述电容阵列包括多个电容元件，所述多个电容元件成行列分布；所述方法包括：检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值，其中，所述第一电容组包括所述待测电容元件和待测行电容元件，所述第二电容组包括所述待测电容元件和待测列电容元件，所述第三电容组包括所述待测行电容元件和所述待测列电容元件，所述待测电容元件为所述电容阵列中的一个电容元件，所述待测行电容元件为与所述待测电容元件属于同一行的电容元件，所述待测列电容元件为与所述待测电容元件属于同一列的电容元件；根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。
6.第三方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，包括壳体和上述电容检测电路，所述壳体表面设置有电子皮肤，所述电子皮肤包括电容阵列，所述电容阵列包括多个电容元件，所述多个电容元件成行列分布。
7.本技术提供的电容检测电路、方法及电子设备，电容检测模块被配置为与所述电
容阵列连接，处理模块与所述电容检测模块连接。将所述电容阵列中的一个电容元件作为待测电容元件，待测行电容元件为与所述待测电容元件属于同一行的电容元件，所述待测列电容元件为与所述待测电容元件属于同一列的电容元件。电容检测模块检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值，其中，所述第一电容组包括所述待测电容元件和待测行电容元件，所述第二电容组包括所述待测电容元件和待测列电容元件，所述第三电容组包括所述待测行电容元件和所述待测列电容元件，然后，处理模块根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。因此，在计算待测电容元件的电容值的时候，第一电容值、第二电容值和第三电容值所对应的电容组合均包括待测行电容元件和待测列电容元件的至少一个，所以，考虑到了待测行电容元件和待测列电容元件的电容值对待测电容元件的电容值的影响，使得所检测的电容值较为准确。
附图说明
8.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
9.图1示出了本技术实施例提供的存在串扰现象的电容阵列的示意图；
10.图2示出了本技术实施例提供的串扰现象造成的电容值波形的示意图；
11.图3示出了本技术一实施例提供的电容检测电路的电路示意图；
12.图4示出了本技术实施例提供的电容阵列的示意图；
13.图5示出了本技术实施例提供的对地检测电容的检测方式的示意图；
14.图6示出了本技术另一实施例提供的电容检测电路的电路示意图；
15.图7示出了本技术一实施例提供的电容检测模块、切换模块和待检测电容元件之间的连接示意图；
16.图8示出了本技术一实施例提供的电容检测电路的等效电路图；
17.图9示出了本技术另一实施例提供的电容检测电路的等效电路图；
18.图10示出了本技术又一实施例提供的电容检测电路的等效电路图；
19.图11示出了本技术实施例提供的开关模块的示意图；
20.图12示出了本技术又一实施例提供的电容检测电路的电路示意图；
21.图13示出了本技术实施例提供的电容阵列的等效电路图；
22.图14示出了本技术实施例提供的图13的等效电路图；
23.图15示出了本技术另一实施例提供的电容检测模块、切换模块和待检测电容元件之间的连接示意图；
24.图16示出了本技术提供过的扫描方式的流程图；
25.图17示出了本技术一实施例提供的电容检测方法的方法流程图；
26.图18示出了本技术另一实施例提供的电容检测方法的方法流程图；
27.图19示出了本技术一实施例提供的电容检测结果的波形图；
28.图20示出了本技术一实施例提供的电容检测结果的波形图；
29.图21示出了本技术实施例提供的电子设备的模块框图；
30.图22示出了本技术实施例提供的电子皮肤的场景示意图；
31.图23示出了本技术实施例提供的用于保存或者携带实现根据本技术实施例的电容检测方法的程序代码的存储单元。
具体实施方式
32.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
33.在介绍本技术实施例之前，先对本技术所涉及的技术名词解释。
34.串扰(crosstalk)，是指在对电容阵列传感器的各电容元件进行检测时，阵列中各电容元件之间存在的串扰影响。例如，电容阵列触觉传感器上，某一电容元件被触摸按压等操作，电容检测时，除该电容元件之外还存在其他电容元件的电容值跟随该触摸动作发生微弱变化，也就是说，对某个待测电容元件的按压除了会导致该待测电容元件的电容值发生变化，还会导致其他的电容单元的电容值发生变化，使得各个电容元件在检测时互相干扰，而产生串扰现象。
35.如图1所示，图1示出了存在串扰现象的电容阵列的示意图。用压力计以同一速度、同一压力值依次从该电容阵列触觉传感器中的c21、c12、c22、c23和c32的垂直正上方同一高度按压，然后，使用电感电容电阻测量仪(lnductance capacitance resistance meter，lcr)实时监测c22的电容值，得到的c22的电容值波形图如图2所示。图2中所示的5个波形均为所测得的c22的电容值波形，其中，
①
、
②
、
④
和
⑤
分别为按压c21、c12、c23和c32的时候，所测到的c22的电容变化，可见，在对c22电容检测的时候，会收到了其周围的电容，即c21、c12、c23和c32的电容变化的影响，即存在电容的串扰现象。
36.串扰率(crosstalk rate)，是指在空载情况下，当b点电容受动作影响而发生容值变化时，b点电容的变化也会导致a点电容受到该动作产生的串扰影响，计算a点因受到b点串扰而导致自身电容变化的最大值，记为第一最大值，再计算施加到a点的动作产生a点自身容值变化的最大值，记为第二最大值，则第一最大值和第二最大值的比值作为串扰率，其中，施加到a点的动作与施加到b点的动作相同。该串扰率用于记录比较串扰对单点电容的影响大小，如图1所示c22电容受到施加到c21、c12、c23和c32动作的串扰率分别是36.4％、38.6％、47.7％和40.9％。
37.目前，解决串扰的方案有，基于电容传感器(capacitive-to-digital converter，cdc)检测芯片的电容阵列采集方案，即通过专用的电容采集芯片，通过芯片的多通道分别检测电容阵列中的各电容元件的容值，一定程度实现对串扰的解决。
38.然而，发明人在研究中发现，上述的解决串扰的方案效果不佳，存在一些缺点。具体地，基于电容传感器检测电容阵列的方案的缺点为电容阵列的传感器个数受cdc传感器通道数的限制，无法应用到大规模阵列中，对电容阵列的测量不够准确。
39.因此，为了克服上述缺陷，提高对电容阵列的电容检测的准确性，本技术实施例提供了一种电容检测电路以及方法。作为一种实施方式，本技术实施例提供过的电容检测电路和方法可以应用于电子皮肤的电容值的检测，例如，该电子设备可以是手机、平板电脑等具有触控屏的终端，该触控屏包括电容阵列，通过该电容阵列检测用户对触控屏的触控操
作，通过本技术实施例提供的电容检测电路以及方法，能够减少在采集触控屏手势的时候，电容之间的串扰，提高手势检测的精准度。再例如，该电子设备还可以是智能机器人，具体地，可以应用于机器人的电子皮肤，目前的机器人的电子皮肤触觉系统只能根据电子皮肤贴附的位置追踪到区域性的感知信号，难以实现对机器人电子皮肤接触点或者靠近点的精确定位，通过本技术实施例提供的电容检测电路以及方法，当使用电子皮肤贴附于机器人表面时，可实现对阵列中每一个电容元件的精确解耦读取。
40.作为另一种实施方式，本技术实施例还可以应用于微纳场景下的电容阵列感知识别。随着维纳加工的发展，电容阵列的尺寸已经越来越小，能够适应微小的使用场景(如机器人指尖力分布检测)、或者超高分辨率的使用环境中，由于所接触物体或者所靠近物体尺寸远远大于电容阵列，极易造成阵列中相关电容元件发生动作，使得微小型电容阵列在感知接触和靠近时各电容元件之间的串扰尤为严重，因此实现对微小电容阵列的电容准确测量变得更加困难。通过本技术实施例提供的电容检测电路以及方法，电容阵列的尺寸不受限制，即使微小型电容阵列同样可以实现对电串扰的完全解耦，获取每个单点电容的真实容值或其电容变化量等，可用于检测微小区域的力分布状况。
41.需要说明的是，本技术实施例并不限于上述所提及的应用场景，其他的以电容阵列作为传感器感知触摸或按压操作的场景下，均可以使用本技术实施例。
42.请参阅图3，图3示出了本技术一实施例提供了一种电容检测电路。应用于电容阵列，所述电容阵列包括多个电容元件，所述多个电容元件成行列分布。电容检测电路300包括：电容检测模块310和处理模块320，电容检测模块310被配置为与所述电容阵列连接，处理模块320与所述电容检测模块310连接。
43.如图4所示，电容阵列包括多个成行列分布的电容元件，例如，c21、c22、c23和c24属于同一列，c13、c23、c33和c43同于同一行，如图4所示的电容阵列包括16个电容元件，成4行4列分布，作为一种实施方式，将每个电容按照行列式的序号命名，即第一行第一列的电容的标识为c11,第一行第二列的电容的标识为c12，也就是第i行第j列的电容的标识为cij。因此，每个待测电容元件都对应与其同行的电容元件和与其同列的电容元件。同一行或同一列的电容元件共用一根导线，如图4所示，第二行的多个电容元件c21、c22、c23和c24均与第二行的导线连接，第三列的多个电容元件c13、c23、c33和c43均与第三列的导线连接，因此，在对某个电容元件检测的时候，会与该电容元件对应的所属行的导线连接以及所属列的导线连接，因此，会将该电容元件的同行和同列的电容元件一起选中，即该电容元件的同行和同列的电容元件会对该待测的电容元件的电容值造成串扰。
44.于本技术实施例中，将与所述待测电容元件属于同一行的电容元件命名为待测行电容元件，将与所述待测电容元件属于同一列的电容元件命名为待测列电容元件。
45.例如，待测电容元件为c23，则该待测电容元件对应的待测行电容元件为c21、c22和c24，该待测电容元件对应的待测列电容元件为c13、c23和c43。
46.电容检测模块310用于检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值。
47.其中，所述第一电容组包括所述待测电容元件和待测行电容元件。作为一种实施方式，该待测电容元件和待测行电容元件通过并联的方式组成第一电容组，则该第一电容组对应的第一电容值可以是该待测电容元件和待测行电容元件并联之后的并联电容。作为
另一种实施方式，该待测电容元件和待测行电容元件通过串联的方式组成第一电容组，则第一电容组对应的第一电容值可以是该待测电容元件和待测行电容元件串联之后的串联电容。
48.由于第一电容值包括待测电容元件的电容值和待测行电容元件的电容值两个未知量，仅仅通过第一电容值无法得到待测电容元件真实的电容值。而如果直接把第一电容值作为待测电容元件真实的电容值，又会造成所检测的电容值不准确。因此，本技术实施例能够通过第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值，消除待测行电容元件和待测列电容元件对待测电容元件真实的电容值的串扰影响，具体地，请参阅后续描述。
49.同理，第二电容组包括待测电容元件和待测列电容元件，该待测电容元件和待测行电容元件通过并联或串联的方式组成第二电容组，该第二电容组的第二电容值可以是该待测电容元件和待测列电容元件的并联或串联电容，第三电容组包括待测行电容元件和待测列电容元件，该待测行电容元件和待测列电容元件通过并联或串联的方式组成第三电容组，该第三电容组的第三电容值可以是该待测行电容元件和待测列电容元件的并联或串联电容。
50.如图4所示，以待测电容元件为c23为例，则待测行电容元件为c21、c22和c24，待测列电容元件为c13、c23和c43，则在检测c23的电容值的时候，电容检测模块可以不与c23的非同行也非同列的电容元件连接，例如，可以将与c23非同行也非同列的电容元件与接地端短路，因为该与c23非同行也非同列的电容元件几乎不对c23造成串扰，可以忽略。电容检测模块与c23的待测行电容元件和待测列电容元件连接。
51.作为一种实施方式，可以将与c23的非同行也非同列的导线均接地，即将第一行、第三行和第四行的导线接地，将第一列、第二列和第四列的导线接地，从而与c23的非同行也非同列的所有电容元件中，每个电容元件的两端均接地，即对地短路。
52.作为一种实施方式，电容检测模块可以利用电容元件放电来检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值。具体地，电容检测模块为该第一电容组、第二电容组或第三电容组充电后，该电容组内每个电容元件所带电量q与两极板间电压u和电容c之间满足q＝cu的关系。u可由直流电压表测出，q可由电容器放电测量。使该电容元件通过高电阻放电，放电电流随该电容元件的两极板间的电压下降而减少，通过测出不同时刻的放电电流值，直至i＝0，放电电流i随时间变化的曲线，曲线下的面积即等于电容器所带电量，然后，由c＝q/u可求出电容器的电容值。
53.作为另一种实施方式，电容检测模块还可以利用放电时间比率来测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值。具体地，其测量原理是把待测电容元件和基准电容连接到同一电阻上，构成rc网络。通过测量两个电容放电时间的比率，就可以求出被测电容的电容值。
54.作为又一种实施方式，电容检测模块可以是基于cdc检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值。具体地，该电容检测模块可以是电容传感器芯片、电容检测电路或电容测量仪器。其中，电容传感器芯片为专用的电容传感器芯片，其内部集成用于检测电容容值的cdc模块单元，搭配简单的外围电路即可实现对电容元件的电容值的检测。电容检测电路为通过分立元件搭建用于电容元件的电容值测量的
电路单元，通过将电容信号转换成对应的电压或电流信号再送入模数转换器(analogue-to-digital conversion，adc)中读取实现对电容容值的检测。其中，电容测量仪器可以是lcr等仪器。
55.于本技术实施例中，该电容检测模块检测电容元件或电容组的电容值的实施方式可以是，采用对地检测电容元件的方式，如图5所示的检测方式，图5中，ct为待测电容元件，则该待测电容元件一端与电容检测模块连接，另一端接地。
56.需要说明的是，本技术实施例中，电容检测模块不限于上述实施方式，任何可实现对地检测电容元件的检测方式即可适用作为本技术实施例中的电容检测模块。
57.处理模块320用于根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。具体地，该第一电容值包括待测电容元件的电容值和待测行电容元件的电容值，第二电容值包括待测电容元件的电容值和待测列电容元件的电容值，第三电容值包括待测行电容元件的电容值和待测列电容元件的电容值，则对应有三个未知量，即待测电容元件的电容值、待测行电容元件的电容值和待测列电容元件的电容值。则通过第一电容值、第二电容值和第三电容求解上述未知量，能够得到待测电容元件的电容值，具体地算法可以参考后续实施例。
58.作为一种实施方式，该处理模块320可以是处理器，该处理器可以包括一个或者多个处理核。处理器利用各种接口和线路连接其他的设备或模块，通过运行或执行指令、程序、代码集或指令集控制其他的设备或模块，或者接收其他的设备或模块发送的数据对该所接收的数据处理。可选地，处理器可以采用数字信号处理(digital signal processing，dsp)、现场可编程门阵列(field－programmable gate array，fpga)、可编程逻辑阵列(programmable logic array，pla)中的至少一种硬件形式来实现。处理器可集成中央处理器(central processing unit，cpu)、图像处理器(graphics processing unit，gpu)和调制解调器等中的一种或几种的组合。
59.因此，本技术实施例在计算待测电容元件的电容值的时候，第一电容值、第二电容值和第三电容值所对应的电容组合均包括待测行电容元件和待测列电容元件的至少一个，所以，考虑到了待测行电容元件和待测列电容元件的电容值对待测电容元件的电容值的影响，使得所检测的电容值较为准确。
60.请参阅图6，图6示出了本技术一实施例提供了一种电容检测电路。与图3相比，图6所示的电容检测电路300还包括切换模块330，切换模块330用于分别将所述电容检测模块310与所述第一电容组、第二电容组和第三电容组连接。具体地，切换模块330用于将所述电容检测模块与待测电容元件和待测行电容元件连接，将所述电容检测模块与所述待测电容元件和待测列电容元件连接以及将所述电容检测模块与所述待测行电容元件和所述待测列电容元件连接。
61.作为一种实施方式，电容检测模块310被配置为通过切换模块330与第一电容组、第二电容组和第三电容组连接。作为一种实施方式，切换模块330依次将电容检测模块310与第一电容组、第二电容组和第三电容组中的一个电容组连接。
62.在一些实施例中，该切换模块330可以是一个切换开关，能够依次将电容检测模块310与第一电容组、第二电容组和第三电容组中的一个电容组连接。
63.如图7所示，该切换模块330包括第一开关k1和第二开关k2，第一开关k1和第二开
关k2均包括第一触点、第二触点和第三触点，具体地，第一开关k1的第一触点、第二触点和第三触点分别为p11、p12、p13，第二开关k2的第一触点、第二触点和第三触点分别为p21、p22、p23。
64.所述第一开关k1的第一触点p11和所述第二开关k2的第一触点p21均与所述电容检测模块310连接，所述第一开关k1的第二触点p12和所述第二开关k2的第二触点p22均接地，所述第一开关k1的第三触点p13与所述待测电容元件ct的第一端d1连接且通过所述待测行电容元件接地，所述第二开关k2的第三触点p23与所述待测电容元件ct的第二端d2连接且通过所述待测列电容元件接地。
65.其中，第一开关k1包括两个状态，分别为第一状态和第二状态，在第一状态下，第一开关k1的第一触点p11和第三触点p13连接，在第二状态下，第一开关k1的第二触点p12和第三触点p13连接。同理，第二开关k2也包括两个状态，在第一状态下，第二开关k2的第一触点p21和第三触点p23连接，在第二状态下，第二开关k2的第二触点p22和第三触点p23连接。
66.则当第一开关k1处于第一状态且第二开关k2处于第二状态的时候，待测电容元件ct的第一端d1与电容检测模块310连接，待测电容元件ct的第二端d2接地，则根据前述的对地检测方式，电容检测模块310同时与待测电容元件ct和待测行电容元件cs1的一端连接，并且待测电容元件ct和待测行电容元件cs1的另一端接地，而待测列电容元件cs2的两端均接地，即待测列电容元件cs2对地短路。
67.则此时的图7可以等效成图8，即此时电容检测模块310与第一电容组连接，由图8可以看出，该第一电容组为待测电容元件ct和待测行电容元件cs1并联组成的电容组，则所测得的第一电容值为待测电容元件ct和待测行电容元件cs1并联后的并联电容，假设第一电容为c1，则c1＝ct cs1，其中，ct为待测电容元件ct的电容值，cs1为待测行电容元件cs1的电容值。
68.当第一开关k1处于第二状态且第二开关k2处于第一状态的时候，待测电容元件ct的第一端d1接地，待测电容元件ct的第二端d2与电容检测模块310连接，则根据前述的对地检测方式，电容检测模块310同时与待测电容元件ct和待测列电容元件cs2的一端连接，并且待测电容元件ct和待测列电容元件cs2的另一端接地，而待测行电容元件cs1的两端均接地，即待测行电容元件cs1对地短路。
69.则此时的图7可以等效成图9，即此时电容检测模块310与第二电容组连接，由图9可以看出，该第二电容组为待测电容元件ct和待测列电容元件cs2并联组成的电容组，则所测得的第二电容值为待测电容元件ct和待测列电容元件cs2并联后的并联电容，假设第二电容为c2，则c2＝ct cs2，其中，ct为待测电容元件ct的电容值，cs2为待测列电容元件cs2的电容值。
70.当第一开关k1处于第一状态且第二开关k2处于第一状态的时候，待测电容元件ct的第一端d1与电容检测模块310连接，待测电容元件ct的第二端d2也与电容检测模块310连接，则根据前述的对地检测方式，电容检测模块310同时与待测行电容元件cs1和待测列电容元件cs2的一端连接，并且待测行电容元件cs1和待测列电容元件cs2的另一端接地，而待测电容元件ct的两端均未接地，因此，待测电容元件ct未与电容检测模块310之间构成对地检测方式。
71.则此时的图7可以等效成图10，即此时电容检测模块310与第三电容组连接，由图
10可以看出，该第三电容组为待测行电容元件cs1和待测列电容元件cs2并联组成的电容组，则所测得的第三电容值为待测行电容元件cs1和待测列电容元件cs2并联后的并联电容，假设第三电容为c3，则c3＝cs1 cs2。
72.作为一种实施方式，可以由处理模块320控制切换模块330的第一开关k1和第二开关k2在第一状态和第二状态的切换。具体地，处理模块320与所述切换模块330连接，用于控制所述第一开关k1的第三触点p13分别与第一触点p11和第二触点p12的导通或截止，以及所述第二开关k2的第三触点p23分别与第一触点p21和第二触点p22的导通或截止。
73.另外，为了便于从电容阵列400中选中需要被检测的电容元件，也为了便于对电容阵列400中各个电容元件依次检测，可以设置开关模块。如图6所示，电容检测模块310被配置为通过所述开关模块340与所述电容阵列400连接；所述处理模块320与所述开关模块340连接。
74.所述处理模块320用于确定待测电容元件，控制所述开关模块340将所述电容检测模块310与所述待测电容元件连接。
75.作为一种实施方式，处理模块320能够预先获取预设检测顺序，该预设检测顺序设置有依次检测的电容元件的顺序和标识，根据该预设检测顺序依次确定一个电容元件作为待测电容元件，具体地，该预设检测顺序的设置可以参考后续方法实施例中的描述。
76.具体地，开关模块340可以是一个多路选择开关，电容阵列400内的每个电容元件与该多路选择开关的一个触点连接，例如，电容阵列400内每一行的导线以及每一列的导线与该多路选择开关的一个触点连接，并且该电容检测模块310也与多路选择开关的一个触点连接，而处理模块320能够控制该多路选择开关内的不同触点的导通或截止，从而就能够将所需检测的电容元件与电容检测模块310连接。
77.作为一种实施方式，如图11所示，该开关模块340包括行开关组341和列开关组342。行开关组341包括多个行开关，列开关组342包括多个列开关。如图11所示，以4*4电容阵列示意，多个列开关包括第一列开关s1、第二列开关s2、第三列开关s3和第四列开关s4，多个行开关包括第一行开关s5、第二行开关s6、第三行开关s7和第四行开关s8。每个所述电容元件对应一个所述列开关和所述行开关，例如，电容元件c23对应的行开关为s6，且对应的列开关为s3，其中，电容元件对应的列开关和所述行开关是指与电容元件连接的列开关和行开关。
78.作为一种实施方式，处理模块320用于确定与所述待测电容元件对应的目标行开关和目标列开关；将所述目标行开关和所述目标列开关均与所述电容检测模块310连接，将多个所述行开关中所述目标行开关之外的行开关接地，以及将多个所述列开关中所述目标列开关之外的列开关接地。
79.具体地，每个行开关和每个列开关都能够被处理模块320控制，以实现与电容检测模块310的导通或截止，以及与接地端的导通或截止。例如，假设待测电容元件是c23，则电容元件c23对应的目标行开关为第二行开关s6，电容元件c23对应的目标列开关为第三列开关s3。
80.处理模块320能够控制第二行开关s6和第三列开关s3均与电容检测模块310导通，并且能够控制行开关s5、行开关s7、行开关s8、列开关s1、列开关s2和列开关s4均与接地端导通，从而使得同时位于第一行、第三行、第四行、第一列、第二列和第四列的电容元件的两
端均接地。
81.作为一种实施方式，再次参考图11，每个所述行开关和每个所述列开关均包括第一连接端，每个所述电容元件的第一端d1均与一个所述列开关的第一连接端连接，每个所述电容元件的第二端d2均与一个所述行开关的第一连接端连接。如图11所示，位于第一列的电容的第一端d1均与第一列开关s1的第一连接端a11连接，位于第二列的电容的第一端d1均与第二列开关s2的第一连接端a21连接，位于第三列的电容的第一端d1均与第三列开关s3的第一连接端a31连接，位于第四列的电容的第一端d1均与第四列开关s4的第一连接端a41连接，位于第一行的电容的第二端d2均与第一行开关s5的第一连接端a51连接，位于第二行的电容的第二端d2均与第二行开关s6的第一连接端a61连接，位于第三行的电容的第二端d2均与第三行开关s7的第一连接端a71连接，位于第四行的电容的第二端d2均与第四行开关s8的第一连接端a81连接。
82.在一些实施例中，处理模块320还用于将所述目标行开关的第一连接端和所述目标列开关的第一连接端均与所述电容检测模块连接，将多个所述行开关中所述目标行开关之外的行开关的第一连接端接地，以及将多个所述列开关中所述目标列开关之外的列开关的第一连接端接地。
83.具体地，每个所述行开关和每个所述列开关均还包括第二连接端和第三连接端，每个所述行开关和每个所述列开关的第二连接端均接地，每个所述行开关和每个所述列开关的第三连接端均与电容检测模块连接。
84.如图11所示，开关模块340还包括第一接口ca和第二接口cb，第一接口ca和第二接口cb均与电容检测模块310连接。每个所述列开关的第三连接端均与第一接口ca连接，每个所述行开关的第三连接端均与第二接口cb连接。
85.如图11所示，第一列开关s1的第三连接端a13、第二列开关s2的第三连接端a23、第三列开关s3的第三连接端a33和第四列开关s4的第三连接端a43均与第一接口ca连接，第一行开关s5的第三连接端a53、第二行开关s6的第三连接端a63、第三行开关s7的第三连接端a73和第四行开关s8的第三连接端a83均与第二接口cb连接。第一列开关s1的第二连接端a12、第二列开关s2的第二连接端a22、第三列开关s3的第二连接端a32、第四列开关s4的第二连接端a42、第一行开关s5的第二连接端a52、第二行开关s6的第二连接端a62、第三行开关s7的第二连接端a72和第四行开关s8的第二连接端a82均接地。
86.在常态下，即在电容检测模块310未对电容阵列400中的电容元件检测电容值的时候，每个行开关的第一连接端与第二连接端导通、第一连接端与第三连接端截止，并且每个列开关的第一连接端与第二连接端导通、第一连接端与第三连接端截止，即每个行开关和列开关保持与接地端导通的连接状态。
87.而在需要对电容阵列中的某个电容元件(即待检测电容元件)的电容值检测的时候，则切换至检测状态，在检测状态下，待检测电容元件对应的行开关的第一连接端与第二连接端截止、第一连接端与第三连接端导通，待检测电容元件对应的列开关的第一连接端与第二连接端截止、第一连接端与第三连接端导通。
88.具体地，所述处理模块将所述目标行开关的第一连接端与第三连接端导通、第一连接端与第二连接端截止，将所述目标列开关的第一连接端与第三连接端导通、第一连接端与第二连接端截止，将多个所述行开关中所述目标行开关之外的行开关的第一连接端与
第二连接端导通、第一连接端与第三连接端截止，将多个所述列开关中所述目标列开关之外的列开关的第一连接端与第二连接端导通、第一连接端与第三连接端截止。
89.假设待测电容元件为c23，电容元件c23对应的目标行开关为第二行开关s6，电容元件c23对应的目标列开关为第三列开关s3，如图12所示，则处理模块320将第二行开关s6的第一连接端a61与第三连接端a63导通、第一连接端a61与第二连接端a62截止，将第三列开关s3的第一连接端a31与第三连接端a33导通、第一连接端a31与第二连接端a32截止，从而使得电容元件c23的第一端d1连接第一接口ca，电容元件c23的第二端d2连接第二接口cb。
90.具体地，请参阅图12所示的本技术又一实施例提供的电容检测电路，如图12所示，处理模块320包括微控制单元321和通用输入输出单元322。如图12所示，黑色箭头为通信线，由通用输入输出单元322连接的黑色虚线则表示控制线及其控制方向。
91.其中电容阵列为各种材质、尺寸电容阵列传感器。如图4、11和12所示，电容阵列400排列为矩形阵列，以4*4的16个电容元件为例，将各电容元件的上电极极板(即第二端d2)横向连接、下电极极板(即第一端d1)纵向连接，行列共八根引线引出后接入可控开关切换电路(即开关模块340)，该可控开关为可控单刀双掷开关，也可为任意可控无极性开关，则该可控开关可以由微控制单元321控制其输入输出单元322输出高低电平控制可控开关切换。
92.微控制单元321作为电容检测电路中信号采集和处理的核心处理器，部署其外围电路及通用输入输出单元322后，通过通用输入输出单元322控制切换模块和开关模块内各个开关的切换。
93.微控制单元321与电容检测模块310连接，用于获取电容检测模块310检测到的第一电容值、第二电容值和第三电容值，并根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。
94.其中，微控制单元321可以是微程序控制器(microprogrammed control unit，mcu)，通用输入输出单元322可以是通用输入输出接口(general purpose input/output，gpio)。
95.如图12所示，电容检测模块310包括第三接口cc，切换模块330包括第四接口m1、第五接口m2和第六接口m3，第四接口m1与第三接口cc连接，第五接口m2与第一接口ca连接，第六接口m3与第二接口cb连接，另外，切换模块330除了包括上述的第一开关k1和第二开关k2，还包括第三开关k3和第四开关k4，第四接口m1通过第三开关k3与第一开关k1的第一触点p11连接，第四接口m1通过第四开关k4与第二开关k2的第一触点p21连接。
96.作为一种实施方式，第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3、第四开关k4以及开关模块340内的各个行开关和列开关均由微控制单元321通过输入输出单元322控制。
97.具体地，以待测电容元件为c23为例，说明具体地检测待测电容元件的电容值的过程。
98.通过微控制单元321控制第一列开关s1、第二列开关s2、第三列开关s3、第四列开关s4、第一行开关s5、第二行开关s6、第三行开关s7和第四行开关s8切换成如图12所示的状态，即第二行开关s6的第一连接端a61与第三连接端a63导通、第一连接端a61与第二连接端a62截止，即第二行开关s6的第一连接端a61切换至第三连接端a63，将第三列开关s3的第一
连接端a31与第三连接端a33导通、第一连接端a31与第二连接端a32截止，即第三列开关s3的第一连接端a31切换至第三连接端a33。
99.并且，保持第一行开关s5的第一连接端a51与第二连接端a52导通，第三行开关s7的第一连接端a71与第二连接端a72导通，第四行开关s8的第一连接端a81与第二连接端a82导通，第一列开关s1的第一连接端a11与第二连接端a12导通，第二列开关s2的第一连接端a21与第二连接端a22导通，第四列开关s4的第一连接端a41与第二连接端a42导通。
100.假设第一接口ca所在的导线为ca引线，第二接口cb所在的导线为cb引线，则c23两端接入ca引线和cb引线，除c23所在行列引线均接地，此时电容阵列等效电路如图13所示。即与c23所在同行、列电容均等效为ca引线和cb引线的旁路电容，而非同行同列电容由于上下电极极板均接地而被地短路无效。其中，cp1和cp2分别是ca引线和cb引线与及接地端之间的等效寄生电容；简化整理，根据并联电容相加合并，最终电容阵列测量等效图为图14。如图14所示，ct为当前待检测的电容元件c23,cs1、cs2均为c23两端旁路电容的等效电容总和，具体地，cs1为cp1与c21、c22和c23的电容值之和，cp1与c21、c22和c23并联之后的电容可以作为待测行电容元件，即cs1可以看作是待测行电容元件的电容值，cs2为cp2与c13、c33、c43的电容值之和，cp2与c13、c33、c43并联之后的电容可以作为待测列电容元件，即cs2可以看作是待测电容元件的电容值。
101.如图14可以看出，cs1、cs2即为电路检测时的电串扰问题根源，因此如果能在检测ct时计算补偿cs1和cs2的影响，就能实现对电容阵列单元的串扰补偿。
102.结合图14和图12，可以将电容检测模块301、切换模块303以及待测电容元件之间的连接示意图如图15所示。其中，第一开关k1和第二开关k2可以是可控单刀双掷开关，第三开关k3和第四开关k4为可控接触开关。
103.具体的电容值检测流程如下：
104.步骤一，微控制单元321控制第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3和第四开关k4，将p31和p32之间、p11和p13之间以及p23和p22之间导通，将p41和p42之间、p12和p13之间以及p23和p21之间截止，此时图15等效成图8，通过电容检测模块301检测读取当前电容值，记为c1，其中，c1＝ct cs1。若电路中不具备串扰补偿，则此次读取的容值c1即被用于ct点的容值使用，而cs1为该点电容所在行(或列)的其他电容容值之和，一般远远大于真实ct，因此，若不进行串扰补偿，则电容元件的真实容值(ct)常常完全淹没于检测到的容值(c1)，极大的降低传感器的灵敏度。
105.步骤二，微控制单元321将p41和p42之间、p12和p13之间以及p23和p21之间导通，将p31和p32之间、p11和p13之间以及p23和p22之间截止，此时图15等效成图9，通过电容检测模块301检测读取当前电容值，记为c2，其中，c2＝ct cs2。
106.步骤三，微控制单元321将p41和p42之间、p11和p13之间、p23和p21以及p41和p42之间导通，将p12和p13之间以及p23和p22之间截止，此时图15等效成图10，通过电容检测模块301检测读取当前电容值，记为c3，其中，c3＝cs1 cs2。
107.将上述c1、c2、c3值读入微控制单元321中，解耦去除串扰后ct的计算公式为：ct＝(c1 c2
–
c3)/2。此时，电容阵列电串扰造成的电容元件的电容值相互影响现象解除。
108.此时，电容阵列中一个电容元件的电容值检测完成。针对整个电容阵列的所有电容元件的检测，可通过扫描的方式，即微控制单元321控制电容阵列的行开关或列开关依次
切换到电容阵列中的每一个电容元件的上下电极极板与ca,cb引线接通，当某接通每一电容元件时，再通过微控制单元321控制切换装置中的可控开关，利用电容检测模块对每一个电容元件依次测试三种开关状态下的容值，即第一电容值、第二电容值和第三电容值，最后计算解耦每一个电容元件的真实容值，当扫描测试完电容阵列中的所有电容并计算其对应容值后，即完成对整个阵列的电容测量及串扰补偿工作。
109.具体的扫描方式如图16所示。具体包括s1601至s1611。
110.s1601：初始化各项参数。
111.其中，该各项参数包括i参数、j参数、m参数和n参数。作为一种实施方式，n表示电容阵列的列数，m表示电容阵列的行数，即电容阵列的分布成m*n的矩阵分布。例如，4*4的电容阵列，m和n的都是4。
112.其中，cij表示第i行第j列的电容元件，i参数表示当前检测的电容元件所在的行数，j参数表示当前检测的电容元件所在的列数，在初始化的时候，将i参数、j参数设置为初始值，例如，该初始值均为1。
113.则初始化各项参数的实施方式可以是初始化上述的各项参数，以及微控制单元321与其他模块之间的通信串口的参数，即建立通信连接。
114.s1602：通信是否正常。
115.作为一种实施方式，确定微控制单元321与电容检测模块301、微控制单元321与通用输入输出单元322之间的通信，具体地，可以是微控制单元321发送测试信令至电容检测模块301和通用输入输出单元322，确定是否收到电容检测模块301和通用输入输出单元322确认信令，如果收到，则确定通信正常。
116.作为另一种实施方式，确定微控制单元321与上位机之间的通信是否正常，具体地，用户通过上位机查看检测结果并发送指令至电容检测电路，控制电容检测电路执行特定操作。微控制单元321与上位机之间通过通信串口连接，微控制单元321发送测试信令至上位机，上位机在成功接收到测试信令之后，返回确认信令，因此，在微控制单元321成功收到确认信令之后，就可以确定通信正常。
117.如果通信不正常，则返回执行s1601，重新初始化。
118.s1603：控制开关模块选通电容阵列中i行j列电容。
119.例如，当前待检测电容元件为c23，则控制开关模块选通第二行第三列的电容。
120.s1604：控制切换模块切换使得电容检测模块读取c1、c2和c3。
121.s1605：根据c1、c2和c3计算解耦后cij电容值。
122.其中，s1604和s1605的实施方式可以参考前述实施例，在此不再赘述。
123.s1606：j是否小于n。
124.s1607：j参数加1。
125.作为一种实施方式，检测顺序为逐行扫描，即以图11所示的电容元件为例，先扫描第一行，即依次检测第一行的每列电容元件，再扫描第二行，即依次检测第二行的每列电容元件，直至所有的电容元件检测完。
126.判断j是否小于n，如果j小于n，则表示当前第i行的电容元件的电容值未检测完，则执行s1607，即执行j 的操作，j的数值增加1，继续检测待测电容元件c23的同行且位于c23之后的相邻的电容元件，则此时待测电容元件变为c24，则返回执行s1603，即检测新的
待测电容元件。
127.如果j不小于n，即j大于或等于n，标识，该行的所有电容元件的电容值读取完毕，则执行s1608。
128.s1608：读出该行电容容值。
129.作为一种实施方式，微控制单元321读取到当前所检测的电容元件所在行的各个电容元件。例如，读取第二行内的各个电容元件(c21、c22、c23、c24)的电容值。
130.作为一种实施方式，在执行s1608的时候，还会将j初始化，即变为1，以便继续读取下一行的第一列的电容元件。
131.s1609：i是否小于m。
132.s1610：i参数加1。
133.判断i是否小于m，如果i小于m，则表示当前还有电容元件未检测完，即i行之后的各个行对应的电容元件还未检测完。则执行s1610，执行i 的操作，将i参数加1，即开始检测下一行的电容元件的电容值。例如，当前所检测的电容元件为c24，即i参数为2，j参数为4，j参数等于n，执行s1608，读取出第二行的电容值，即c21、c22、c23、c24的电容值，然后，i小于m，则将i加1，则新的待检测电容元件为c31，则返回执行s1603，即检测新的待测电容元件。
134.s1611：读出该阵列中各电容元件的电容值。
135.然后，在j大于或等于n，且i也大于或等于m的时候，确定所有的电容元件的电容值检测完毕，则读出该阵列中各电容元件的电容值。
136.因此，本技术实施例中，微控制单元321作为电容检测电路中信号采集和处理的核心处理器，部署其外围电路及通用输入输出单元322后，通过通用输入输出单元322控制切换模块和开关模块内各个开关的切换，根据预设的检测顺序，依次获取到电容阵列中的每个电容元件的电容值，可以快速高效且准确的获取到各个电容元件的电容值，避免串扰现象。
137.请参阅图17，图17示出了一种电容检测方法，应用于上述电容阵列，该方法的执行主体可以是上述的电容检测电路，作为一种实施方式，该执行主体可以是处理模块。具体地，该方法包括：s1701至s1702。
138.s1701：检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值。
139.其中，所述第一电容组包括所述待测电容元件和待测行电容元件，所述第二电容组包括所述待测电容元件和待测列电容元件，所述第三电容组包括所述待测行电容元件和所述待测列电容元件，所述待测电容元件为所述电容阵列中的一个电容元件，所述待测行电容元件为与所述待测电容元件属于同一行的电容元件，所述待测列电容元件为与所述待测电容元件属于同一列的电容元件。
140.s1702：根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。
141.具体地，上述方法的实施方式可以参考前述电容检测电路的实施例，在此不再赘述。
142.请参阅图18，图18示出了一种电容检测方法，应用于上述电容阵列，该方法的执行
主体可以是上述的电容检测电路，作为一种实施方式，该执行主体可以是处理模块。具体地，该方法包括：s1801至s1803。
143.s1801：检测第一电容组的第一电容值、第二电容组的第二电容值及第三电容组的第三电容值。
144.s1802：根据所述第一电容值、第二电容值和第三电容值得到所述待测电容元件的电容值。
145.s1803：根据预设检测顺序，确定所述待测电容元件之后的电容元件作为新的待测电容元件，并返回执行检测第一电容值、第二电容值以及第三电容值的操作以及后续操作，直至根据预设检测顺序将需要检测电容值的所有电容元件均检测完。
146.其中，预设检测顺序可以上述图16对应的扫描方式的逐行扫描，例如，4*4的电容阵列，则所确定的预设检测顺序为依次检测c11、c12、c13、c14、c21、c22、c23、c24、c31、c32、c33、c34、c41、c42、c43、c44，因此，如果当前待检测电容元件为c23，则该待检测电容元件之后的电容元件为c24。
147.具体地，s1803的具体实施方式可以参考前述s1603至s1611，在此不再赘述。
148.本技术实施例提供的电容检测电路和方法在对电容阵列检测时，能够解决串扰，在实现对阵列电容检测的同时，补偿了阵列中各单元之间串扰的影响，同时规避了电容阵列检测时引线导致的寄生电容的影响，能够实现对电容阵列中各电容元件的电容值变化的精确感知。
149.具体地，如图19所示，对比图2可以看出，在按下待测电容元件周围的电容元件的时候，该周围的电容元件导致待测电容元件的电容值的变化很小，即相比图2，在
①②④⑤
的波形图中，波峰的大小明显小很多。可以看出，待测电容元件周围的电容元件对待测电容元件的串扰率位于10％以下。
150.如图20所示，为4*4矩阵的电容阵列的电容测试结果曲线，使用相同的按压参数对每个电容元件以垂直该电容元件的方向按下，检测而每个电容元件的电容值，图20中，横坐标为时间，单位可以是毫秒，纵坐标为电容值，单位可以是ff，即按照采样时间采集所采集的每个电容元件的电容值，将多个电容值拟合成一条曲线，就得到图20的各个波形曲线，每个波形曲线对应一个电容元件，如图20中，在每个曲线的旁边注明了每个电容元件的名称。其中，c11和c11’为相同的电容元件，测试了两次。
151.从图20可以看出，在使用相同的按压参数对每个电容元件以垂直该电容元件的方向按下的情况下，各个电容元件的电容值相差不大，串扰率都在3％以下。
152.请参考图21，其示出了本技术实施例提供的一种电子设备的结构框图。该电子设备10可以是智能手机、平板电脑、电子书等能够运行应用程序的设备，还可以是智能机器人，于本技术实施例，该电子设备为智能机器人。本技术中的电子设备10可以包括：电容检测电路300和电容阵列400。
153.该智能机器人是自动执行工作的机器装置。它既可以接受人类指挥，又可以运行预先编排的程序，也可以根据以人工智能技术制定的原则纲领行动。它的任务是协助或取代人类工作的工作，例如生产业、建筑业，或是危险的工作。比如，该机器人可以包括工业机器人如机器手臂、特种机器人。
154.所谓工业机器人就是面向工业领域的多关节机械手或多自由度机器人。而特种机
器人则是除工业机器人之外的、用于非制造业并服务于人类的各种先进机器人，包括：服务机器人、水下机器人、娱乐机器人、军用机器人、农业机器人、机器人化机器等。在特种机器人中，有些分支发展很快，有独立成体系的趋势，如服务机器人、水下机器人、军用机器人、微操作机器人等。
155.作为一种实施方式，如图22所示，该电子设备包括壳体600，壳体600上设置有电子皮肤700，所述电子皮肤700对应设置有电容阵列400(图22中未示出)。电子皮肤又称新型可穿戴柔性仿生触觉传感器，是一种可以让机器人产生触觉的装置。需要说明的是，上述的电容检测电路300和电容检测方法都可以用于电子皮肤的检测。
156.作为一种实施方式，该电容阵列400为柔性材质，即各个电容元件以及开关模块均为柔性材料且设置在柔性电路板上，通过将柔性电容阵列直接制作在柔性薄膜材料的衬底上，并使用柔性的离子型传感活性材料作为介电层，实现了电子皮肤的柔性、高传感密度和高传感灵敏度。该电子皮肤700可以位于智能机器人的头部、胸部以及四肢等身体的多个部分的壳体表面，例如，电子皮肤700设置在智能机器人的手部或脚底等。
157.该电子设备10还包括主控模块500，所述主控模块500用于获取所述电容检测电路检测到的所述电容阵列中至少一个电容元件的电容值，根据所述电容值控制所述智能机器人执行预定操作。具体地，主控模块与电容检测电路连接，主控模块500与处理模块320连接。主控模块500用于获取所述电容检测电路检测到的所述电容阵列中至少一个电容元件的电容值，根据所述电容值控制所述智能机器人执行预定操作。
158.作为一种实施方式，电子皮肤700可贴附在智能机器人的机械手上，具体地，电子皮肤700可以贴附在机械手的手指上，在机械手的手指与目标物体接触的时候，电容检测电路采集到手指上的各个电容阵列的电容元件的电容值变化，主控模块获取该电容值变化，从而确定该目标物体的大小、形状、重量、材质等参数，进而确定抓取该目标物体的手势以及抓取该目标物体的力度。作为一种实施方式，电子皮肤700可贴附与手指的指尖部位、指节部位、手掌部位或整个手部。
159.再者，在用户与智能机器人握手的时候，用户的手部与智能机器人的机械手的手指或手心的电容阵列接触，电容光检测电路能够检测到用户手部按压电容阵列时，各个电容元件的电容值的变化，从而能够检测出用户与智能机器人握手，然后控制智能机器人执行预定操作。作为一种实施方式，该预定操作可以是智能机器人发出指定语音或者作出指定表情，例如，发出“您好”的语音，并且面带微笑的表情。
160.其中，主控模块500可以是电子设备的处理器，处理器可以包括一个或者多个处理核。处理器利用各种接口和线路连接整个电子设备10内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器内的数据，执行电子设备10的各种功能和处理数据。可选地，处理器可以采用数字信号处理(digital signal processing，dsp)、现场可编程门阵列(field－programmable gate array，fpga)、可编程逻辑阵列(programmable logic array，pla)中的至少一种硬件形式来实现。处理器可集成中央处理器(central processing unit，cpu)、图像处理器(graphics processing unit，gpu)和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，cpu主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；gpu用于负责显示内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到处理器中，单独通过一块通信芯片进行实现。
161.另外，电子设备10还可以包括存储器，存储器可以包括随机存储器(random access memory，ram)，也可以包括只读存储器(read-only memory)。存储器可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于实现至少一个功能的指令(比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等)、用于实现下述各个方法实施例的指令等。
162.作为一种实施方式，上述电容检测方法对应的程序代码可以存储在存储器内，能够被处理模块320调用该程序代码，以执行电容检测方法。
163.请参考图23，其示出了本技术实施例提供的一种计算机可读存储介质的结构框图。该计算机可读介质2300中存储有程序代码，所述程序代码能够被烧录至电容检测电路内，具体地，程序代码能够被烧录至电容检测电路的mcu内的，使得mcu能够运行该程序代码以实现上述电容检测方法。
164.计算机可读存储介质2300可以是诸如闪存、eeprom(电可擦除可编程只读存储器)、eprom、硬盘或者rom之类的电子存储器。可选地，计算机可读存储介质2300包括非易失性计算机可读介质(non-transitory computer-readable storage medium)。计算机可读存储介质2300具有执行上述方法中的任何方法步骤的程序代码2310的存储空间。这些程序代码可以从一个或者多个计算机程序产品中读出或者写入到这一个或者多个计算机程序产品中。程序代码2310可以例如以适当形式进行压缩。
165.最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不驱使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。