高频放大器的制作方法

1.本公开涉及高频放大器。


背景技术：

2.近年来，在移动电话等移动体通信系统中，宽频带化正在推进。因此，对于在系统的基站装置等中使用的功率放大器，期望宽频带中的功率效率的高效率化等。作为用于实现该功率效率的高效率化的功率放大器，已知具有载波放大器(也称为主放大器)和峰值放大器的多赫蒂(doherty)放大器。例如，在专利文献1公开了多赫蒂放大器(多赫蒂型放大器)的构造。另外，多赫蒂放大器通常与驱动放大器的后级连接来使用。
3.另外，在印刷基板搭载驱动放大器和多赫蒂放大器的情况下，如果将驱动放大器、载波放大器、峰值放大器安装在同一平面上，则需要大尺寸的印刷基板。因此，作为用于放大器的小型化、省面积安装的方法，存在以三维安装来应对的方法(专利文献2)。
4.专利文献1：国际公开第2005/093948号
5.专利文献2：日本特开2008
‑
305937号公报
6.作为本公开的对象的高频放大器(高频功率放大器)将输入的高频信号放大到必要的输出，因此处理的功率大，消耗电流或消耗电力大。其结果是，发热大。因此，在对上述多个高频放大器进行上述三维安装时，在使散热效率更优先的情况下，考虑在下层配置驱动放大器、载波放大器、峰值放大器，在上层配置这些放大器之外的部件。但是，由于布局的制约，驱动放大器和峰值放大器有可能接近地配置，从而有可能产生峰值放大器的电气特性不稳定的问题。


技术实现要素：

7.本发明是鉴于如上所述的实际情况而完成的，其目的在于提供一种散热性优异且稳定的高频放大器。
8.本公开的一个方式的高频放大器具备：非对称多赫蒂放大器，包括载波放大器和峰值放大器，并将输入的高频信号放大，所述峰值放大器在所述载波放大器的输出达到饱和区域的情况下开始放大动作，并具有与所述载波放大器不同的饱和输出；驱动放大器，驱动所述非对称多赫蒂放大器；分支电路，将由所述驱动放大器放大而得到的高频信号分支到所述峰值放大器侧的输入路径和所述载波放大器侧的输入路径；相位调整电路，设置于所述峰值放大器侧的输入路径和所述载波放大器侧的输入路径中的至少一方，并使所述峰值放大器的输入信号的相位和所述载波放大器的输入信号的相位中的至少一方延迟；第一基板，搭载有所述驱动放大器、所述载波放大器和所述峰值放大器；第二基板，搭载有所述分支电路和所述相位调整电路；及基底构件，搭载所述第一基板和所述第二基板，所述驱动放大器、所述载波放大器和所述峰值放大器分别具有形成有规定的电路的正面和位于所述正面的相反侧的背面，所述驱动放大器、所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件接触，在将所述第二基板与所述第一基板重合地层叠的状态下，所述驱动放大
器的输入端子与所述峰值放大器的输入端子位于彼此相邻的位置，在将n设为0以上的整数的情况下，从所述驱动放大器的输出端子到所述峰值放大器的输入端子为止的电长度被设定为，在换算成所述输入的高频信号的相位时，处于(2n 1)
×
π
‑
π/4至(2n 1)
×
π π/4的范围内。
9.发明效果
10.根据上述，能够提供一种散热性优异且稳定的高频放大器。
附图说明
11.图1是示意性地表示本公开的一个方式的高频放大器的剖视图。
12.图2是说明图1的高频放大器的框图。
13.图3是图1的上层的俯视图。
14.图4是图1的下层的俯视图。
15.图5是图1的驱动放大器电路图。
16.图6是说明与图5的电路图对应的上层的图。
17.图7是图1的多赫蒂放大器电路图。
18.图8是说明与图7的电路图对应的下层的图。
19.图9是示意性地表示本公开的另一方式的高频放大器的剖视图。
20.标号说明
[0021]1…
高频放大器、10
…
下层、11
…
第一电介质层、12
…
第二电介质层、13a、13b、13c、14a、15a、15b、16a、17a
…
信号导通孔、20
…
上层、23
…
第三电介质层、24
…
第四电介质层、30
…
输入匹配电路、40
…
驱动放大器、40a
…
正面、40b
…
背面、41
…
输出匹配电路、49
…
曲线图案、50
…
多赫蒂放大器、51
…
分支电路、52
…
相位调整电路、52a
…
导通孔、53
…
输入匹配电路、54
…
载波放大器、54a
…
正面、54b
…
背面、55
…
输出匹配电路、56、66
…
多赫蒂网络、56a
…
90
°
传输线路、61
…
相位调整电路、61a
…
导通孔、63
…
输入匹配电路、64
…
峰值放大器、64a
…
正面、64b
…
背面、65
…
输出匹配电路、100
…
印刷基板、101a、101b
…
印刷基板上的配线、la1
…
第一配线层、la2
…
第二配线层、la3
…
第三配线层、la4
…
基底构件、rfin
…
输入端子、rfout
…
输出端子、l、l1～l16
…
电感器、c、c1～c32
…
电容器、r1、r3～r5
…
电阻、trl1～trl4
…
传输线、vd、vg
…
电源。
具体实施方式
[0022]
[本公开的实施方式的说明]
[0023]
首先列出本公开的实施方式的内容来进行说明。
[0024]
(1)本发明的高频放大器具备：非对称多赫蒂放大器，包括载波放大器和峰值放大器，并将输入的高频信号放大，所述峰值放大器在所述载波放大器的输出达到饱和区域的情况下开始放大动作，并具有与所述载波放大器不同的饱和输出；驱动放大器，驱动所述非对称多赫蒂放大器；分支电路，将由所述驱动放大器放大而得到的高频信号分支到所述峰值放大器侧的输入路径和所述载波放大器侧的输入路径；相位调整电路，设置于所述峰值放大器侧的输入路径和所述载波放大器侧的输入路径中的至少一方，并使所述峰值放大器的输入信号的相位和所述载波放大器的输入信号的相位中的至少一方延迟；第一基板，搭
载有所述驱动放大器、所述载波放大器和所述峰值放大器；第二基板，搭载有所述分支电路和所述相位调整电路；及基底构件，搭载所述第一基板和所述第二基板，所述驱动放大器、所述载波放大器和所述峰值放大器分别具有形成有规定的电路的正面和位于所述正面的相反侧的背面，所述驱动放大器、所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件接触，在将所述第二基板与所述第一基板重合地层叠的状态下，所述驱动放大器的输入端子与所述峰值放大器的输入端子位于彼此相邻的位置，在将n设为0以上的整数的情况下，从所述驱动放大器的输出端子到所述峰值放大器的输入端子为止的电长度被设定为，在换算成所述输入的高频信号的相位时，处于(2n 1)
×
π
‑
π/4至(2n 1)
×
π π/4的范围内。
[0025]
如果驱动放大器的输出端子与峰值放大器的输入端子之间的物理距离非常近，则这些端子处的输出信号各自的相位成为相同相位或接近的相位，有可能成为振荡等电气不稳定的状态。但是，由于以使接近的两个端子(驱动放大器的输出端子和峰值放大器的输入端子)间的彼此的信号的相位成为相反相位的方式，调整这些端子间的电长度，所以即使将驱动放大器和峰值放大器接近地配置的情况下，峰值放大器的电气特性也不会变得不稳定。因此，即使采用两层构造，也能够使放大器稳定。
[0026]
另外，由于驱动放大器、载波放大器和峰值放大器的各背面均与基底构件接触，因此能够提供散热性良好的高频放大器。
[0027]
(2)在本公开的高频放大器的一个方式中，所述驱动放大器的输出端子处的高频信号与所述峰值放大器的输入端子处的高频信号之间的相位差在11π/4至13π/4的范围内。
[0028]
若接近的两个端子(驱动放大器的输出端子和峰值放大器的输入端子)间的电长度换算成信号的相位，成为(2n 1)
×
π
±
π/4的相位差，特别是，驱动放大器的输出信号与峰值放大器的输入信号之间的相位差为11π/4至13π/4的范围，则能够可靠地消除振荡等电气不稳定的状态。
[0029]
(3)在本公开的高频放大器的一个方式中，在所述第一基板与所述第二基板之间配置有接地的金属层。
[0030]
接地的金属层能够屏蔽电磁波。因此，第一基板不易受到在第二基板侧产生的电磁波的影响，并且第二基板不易受到在第一基板侧产生的电磁波的影响。
[0031]
(4)在本公开的高频放大器的一个方式中，所述峰值放大器构成为具有比所述载波放大器大的饱和输出。
[0032]
在峰值放大器中，与载波放大器相比，用于获得最佳匹配的相移量更大。
[0033]
[本公开的实施方式的详细内容]
[0034]
以下，参照附图对本公开的高频放大器的具体例进行说明。图1是示意性地表示本公开的一个方式的高频放大器的剖视图。
[0035]
高频放大器1搭载于移动体通信系统的基站装置等通信装置，例如用于将发送信号放大。高频放大器1具有基底构件la4。基底构件la4是兼作散热和外部端子的金属(例如铜)制的板，配置在通信装置的印刷基板100上。
[0036]
在基底构件la4上搭载有下层10、上层20。下层10相当于本发明的第一基板，上层20相当于本发明的第二基板。
[0037]
上层20与下层10重合地层叠。上层20由第三电介质层23(例如厚度为0.1mm)、第一配线层la1(例如厚度为10～35μm)、第四电介质层24(例如厚度为0.4mm)构成。在第一配线
层la1形成有高频线路图案。
[0038]
在第四电介质层24与下层10(第二电介质层12)之间配置有第二配线层la2(例如厚度为10～35μm)。第二配线层la2例如是铜制的满印面，起到屏蔽对于第一配线层la1的在gnd(接地)面和在上层20与下层10之间产生的电磁波的作用。第二配线层la2相当于本公开的接地的金属层。
[0039]
下层10夹在基底构件la4与上层20之间而配置。下层10由第二电介质层12(例如厚度为0.2mm)、第三配线层la3(例如厚度为10～35μm)、第一电介质层11(例如厚度为0.28mm)构成。在第三配线层la3形成有以构成gnd面的基底构件la4为基准电压的高频线路图案。
[0040]
在制造高频放大器1时，首先，在第三电介质层23的单面(正面)设置第一配线层la1。接着，在第一配线层la1的单面安装电感器l或电容器c后，配置第四电介质层24。接着，在第四电介质层24的单面设置第二配线层la2。接着，在该第二配线层la2的单面配置第二电介质层12后，在该第二电介质层12的单面设置第三配线层la3。然后，在第三配线层la3的单面安装驱动放大器40、载波放大器54和峰值放大器64等有源部件及电感器l或电容器c后，配置第一电介质层11。
[0041]
驱动放大器40具有形成有规定的电路的正面40a和位于正面40a的相反侧且例如不形成电路的背面40b。驱动放大器40设置于第一电介质层11，以正面40a与上层20相对的方式朝向上方配置，并安装于第三配线层la3的单面。背面40b以从上层20离开的方式朝向下方配置，固定于涂布有烧结类银膏或烧结类铜膏的基底构件la4。
[0042]
载波放大器54和峰值放大器64也同样设置于第一电介质层11，正面54a、64a均朝向上方安装于第三配线层la3的单面。背面54b、64b均以与基底构件la4接触的方式朝向下方配置，并固定于涂布有烧结类银膏或烧结类铜膏的基底构件la4。
[0043]
在第一电介质层11的单面配置有构成gnd面的基底构件la4(例如厚度为0.15～0.25mm)。
[0044]
另外，上层20的第一配线层la1与基底构件la4之间的电气路径例如使用信号导通孔13c、13b、13a来分别确保路径。详细而言，信号导通孔13a～13c贯通基底构件la4、下层10、及上层20的第四电介质层24，该信号导通孔13a的一端与输入端子rfin连接，该信号导通孔13c的另一端与第一配线层la1连接。
[0045]
另外，第一配线层la1与下层10的第三配线层la3之间的电气路径例如使用信号导通孔15a、15b、信号导通孔14a来确保。详细而言，首先，信号导通孔15a、15b贯通上层20的第四电介质层24及下层10的第二电介质层12。信号导通孔15a的一端与第一配线层la1连接，信号导通孔15a的另一端与第三配线层la3(驱动放大器40的输入)连接。另一方面，信号导通孔15b的一端与第三配线层la3(驱动放大器40的输出)连接，信号导通孔15b的另一端与第一配线层la1连接。
[0046]
而且，信号导通孔14a也贯通上层20的第四电介质层24及下层10的第二电介质层12，该信号导通孔的一端与第一配线层la1连接，该信号导通孔的另一端与第三配线层la3(载波放大器54的输入和峰值放大器64的输入)连接。
[0047]
并且，第三配线层la3与基底构件la4之间的电气路径例如使用信号导通孔13a、16a来确保。具体而言，信号导通孔13a、16a贯通下层10的第一电介质层11、及基底构件la4。信号导通孔16a的一端经由第三配线层la3与多赫蒂放大器50的输出连接，信号导通孔16a
的另一端与输出端子rfout连接。
[0048]
这样，由于将上层20与下层10重合地层叠，三维地安装包含驱动放大器40的放大器电路和多赫蒂放大器50的电路，因此，能够实现如模块尺寸为最外轮廓6mm见方、厚度2.2mm这样的高频放大器1的小型化。
[0049]
另外，在该高频放大器1中，不需要引线键合连接。因此，能够将例如500mm见方左右的大的面板用于制造工序，并从该面板取出例如6000片的6mm见方的面板，因此能够实现由加工费和材料费降低带来的成本的大幅降低。
[0050]
在此，在将驱动放大器40、载波放大器54和峰值放大器64均配置于下层10的情况下，由于驱动放大器40的输出端子和峰值放大器64的输入端子位于彼此相邻的位置，所以驱动放大器40的输出端子与峰值放大器64的输入端子之间的物理距离有时变得非常近。在这样的物理配置中，如果来自上述各端子的输出信号和输入信号各自的相位成为相同相位或接近的相位，则有可能成为振荡等电气不稳定的状态。
[0051]
因此，在高频放大器1中，调整从驱动放大器40的输出端子至峰值放大器64的输入端子为止的电长度，以使驱动放大器40的输出端子和峰值放大器64的输入端子处的彼此的信号的相位成为相反相位，并将从驱动放大器40的输出端子到峰值放大器64的输入端子为止的电长度、或者波长为λ的输入信号从驱动放大器40的输出端子传输到峰值放大器64的输入端子的延迟时间设定为，在换算成波长为λ的输入信号的相位时，处于(2n 1)
×
π
‑
π/4至(2n 1)
×
π π/4的范围内。n是0以上的整数。
[0052]
为了实现这一点，在从驱动放大器40的漏极输出到分支电路51的路径中，例如，如图3中曲线图案49所示的那样从上层20的中央大幅迂回到右半部分，或在分支电路51与峰值放大器64之间配置相位调整电路61，或在图3的相位调整电路61的附近如曲线图案所示的那样，在从分支电路51的输出到导通孔61a的路径中，不是由直线，而是由曲线形成，或在分支电路51与载波放大器54之间配置相位调整电路52。
[0053]
这样，由于以使如驱动放大器40的输出端子和峰值放大器64的输入端子这样的、接近的两个端子间的彼此的信号的相位成为相反相位的方式调整这些端子间的电长度，因此即使在驱动放大器40与峰值放大器64接近地配置的情况下，峰值放大器64的电气特性也不会变得不稳定。因此，即使采用两层构造，也能够使放大器1稳定。
[0054]
更具体而言，将驱动放大器40的输出端子处的高频信号(以下称为rf(radio frequency：射频))与峰值放大器64的输入端子处的rf信号之间的相位差设为11π/4至13π/4的范围。由此，能够可靠地消除振荡等电气不稳定的状态。
[0055]
另外，在一般的多赫蒂放大器中，将载波放大器与峰值放大器之间的相位差设定为π/2，但在高频放大器1中，故意将该相位差设定为π。即，将载波放大器54的输出端子处的rf信号与峰值放大器64的输出端子处的rf信号之间的相位差设为π/2至3π/2的范围。由此，从载波放大器54放出的电磁波和从峰值放大器64放出的电磁波在附近相互抵消，因此能够将向高频放大器1的外部放出的电磁波抑制得较小。
[0056]
另外，该载波放大器54的相位和峰值放大器64的相位通过图3所示的相位调整电路52、61、在图7、8中所说明的输入匹配电路53、63、输出匹配电路55、65、传输线trl1(图4中所说明的90
°
传输线路56a)而在输出端子rfout处同步。
[0057]
图2是说明图1的高频放大器的框图。另外，图3是图1的上层的俯视图，图4是图1的
下层的俯视图。
[0058]
高频放大器1具有驱动放大器40和设置于驱动放大器40的后级的多赫蒂放大器50，并构成为能够放大例如5ghz～6ghz的频带的信号。
[0059]
在包含驱动放大器40的电路中，多赫蒂放大器50将输入到输入端子rfin的由波长λ规定的rf信号放大到能够放大至规定的发送功率的程度。
[0060]
多赫蒂放大器50是包含分支电路51、相位调整电路52、61、载波放大器54、峰值放大器64和多赫蒂网络56、66的电路，将驱动放大器40放大而得到的rf信号进一步放大而从输出端子rfout输出。
[0061]
驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64是使用例如gan
‑
hemt(high electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管)作为放大元件的放大器。驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64均在矩形的一条边设置栅极焊盘，在与栅极焊盘相对的边设置漏极焊盘。
[0062]
另外，驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64在栅极焊盘的两侧设置有源极焊盘。驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64的源极焊盘经由在图1中所说明的背面40b、54b、64b与基底构件la4连接。由此，确保gnd，并且形成从驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64到基底构件la4的散热路径。
[0063]
图3所示的上层20和图4所示的下层10具有大致相似形状的平面，均以例如6mm见方形成。
[0064]
如图1所示，经由设置在通信装置的印刷基板100上的信号配线101a输入到输入端子rfin(信号导通孔13a)的rf信号从在图1中所说明的基底构件la4贯通下层10，穿过图1所示的信号导通孔13a、13b、13c，且不与下层10的任何地方连接地输入到在图3中观察到的上层20的左下角部分。驱动放大器40安装于在图4中观察到的下层10的左下附近，输入到上层20的rf信号经由信号导通孔15a朝向下层10，输入到驱动放大器40。由驱动放大器40放大而得到的rf信号经由信号导通孔15b朝向上层20，如图3中曲线图案49所示那样大幅旋转。详细而言，在朝向在该图3中观察到的上层20的上边后，右转而沿着该上边向右前进，进一步右转而朝向上层20的下边，到达设置于该上层20的分支电路51。
[0065]
分支电路51设置于上层20的第一配线层la1。分支电路51例如是威尔金森型分配器，将由驱动放大器40放大而得到的rf信号等分到峰值放大器侧的输入路径和载波放大器侧的输入路径。
[0066]
由分支电路51分配的rf信号的一方(载波放大器侧的输入路径)到达设置于上层20的第一配线层la1上的相位调整电路52。相位调整电路52使载波放大器54的输入信号的相位延迟与规定的分布常数对应的量。经过相位调整电路52后的rf信号从在图3中观察到的形成于上层20的下边附近的导通孔52a朝向下层10。其例如通过与通过图1所示的信号导通孔14a的信号路径同样的路径。
[0067]
与此相对，由分支电路51分配的rf信号的另一方(峰值放大器侧的输入路径)到达设置于上层20的第一配线层la1上的相位调整电路61。相位调整电路61使峰值放大器64的输入信号的相位延迟与规定的分布常数相应的量。经过相位调整电路61后的rf信号从在图3中观察到的形成于上层20的下边附近的导通孔61a朝向下层10。其也通过与通过图1所示的信号导通孔14a的信号路径同样的路径。
[0068]
另外，在本实施方式中，举出将相位调整电路52配置在分支电路51与载波放大器54之间，并将相位调整电路61配置在分支电路51与峰值放大器64之间的例子进行了说明。然而，本公开不限于该例子。例如，也可以将相位调整电路配置在分支电路51与峰值放大器64之间以及分支电路51与载波放大器54之间中的任一方，来使输入信号的相位延迟。
[0069]
本实施方式的多赫蒂放大器50是非对称多赫蒂放大器，峰值放大器64和载波放大器54对输入的rf信号分别显示不同的最大输出强度。例如，峰值放大器64具有比载波放大器54大两倍左右的饱和输出(尺寸)，峰值放大器64在载波放大器54的输出达到饱和区域的情况下开始放大动作。具体而言，载波放大器54以ab级或b级进行动作。峰值放大器64以c级进行动作。在瞬时功率小时，载波放大器54动作，并且不使峰值放大器64动作，因此功率效率提高。在瞬时功率大时，载波放大器54和峰值放大器64双方动作，因此能够维持高的功率效率并且增大饱和功率。
[0070]
作为一例，记述驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64的输出例。使用驱动放大器40为输出10w、载波放大器54为输出15w、峰值放大器64为输出30w的放大器。这里，所谓10w输出，专门表示fet的尺寸，并不是始终输出10w，而是以具有足够10w输出的尺寸这样的含义来使用。
[0071]
由载波放大器54放大而得到的rf信号到达在下层10设置的载波放大器侧的多赫蒂网络56。在该多赫蒂网络56设置有90
°
传输线路(也称为λ/4线路)56a。因此，由载波放大器54放大而得到的rf信号经由90
°
传输线路56a，从在图4中观察到的设置于下层10的右上角部分的输出端子rfout与后述的峰值放大器64的输出信号合成而输出。
[0072]
另一方面，由峰值放大器64放大而得到的rf信号到达在下层10设置的峰值放大器侧的多赫蒂网络66，与载波放大器54的输出信号合成，并经过通过图1所示的信号导通孔16a的信号路径，从输出端子rfout输出。从输出端子rfout输出的信号经由如图1所示那样设置在通信装置的印刷基板100上的信号配线101b，从高频放大器1向外部传输。
[0073]
图5是图1的驱动放大器电路图，图6是说明与图5的电路图对应的上层的图。另外，图7是图1的多赫蒂放大器电路图，图8是说明与图7的电路图对应的下层的图。
[0074]
从图5所示的输入端子rfin输入的rf信号经由输入匹配电路30(配置于上层20，电感器l1、电容器c1～c4共5个)输入到驱动放大器40(配置于下层10)的栅极。从电源vg经由电感器l2供给栅极偏压。电容器c5是电源vg的旁路电容器，电阻r1是调整用的电阻。
[0075]
驱动放大器40的漏极输出经由输出匹配电路41(电感器l4、l5、电容器c7～c9)提供给分支电路51。从电源vd经由电感器l3供给漏极偏压。电容器c6是电源vd的旁路电容器。
[0076]
接着，如图7所示，在分支电路51中，来自驱动放大器40的rf信号被等分到由l11、c24构成的匹配电路和由c23、l12、c29构成的匹配电路。
[0077]
通过由l11、c24构成的匹配电路调整了相位后的rf信号由相位调整电路52(电感器l13、l14、电容器c30)进一步调整相位，并经由导通孔52a到达下层10，朝向载波放大器54。
[0078]
该到达下层10的rf信号经由输入匹配电路53(电容器c31、c11～14)输入到载波放大器54的栅极。从电源vg经由电感器l6供给栅极偏压。电容器c15是电源vg的旁路电容器，电阻r4是调整用的电阻。
[0079]
载波放大器54的漏极输出经由dc切断用的电容器c26提供给载波放大器侧的多赫
蒂网络56。从电源vd经由电感器l9供给漏极偏压。电容器c21是电源vd的旁路电容器。
[0080]
载波放大器侧的多赫蒂网络56由输出匹配电路55和传输线trl1(包含在图4中所说明的90
°
传输线路56a)构成，所述输出匹配电路55由传输线trl2、电容器c25构成，所述传输线trl1用于合成载波放大器54的输出与峰值放大器64的输出。
[0081]
另一方面，由分支电路51等分且通过由c23、l12、c29构成的匹配电路调整了相位后的rf信号由相位调整电路61(电感器l15、l16、电容器c32)进一步调整相位，并经由导通孔61a到达下层10，朝向峰值放大器64。
[0082]
到达该下层10的rf信号经由输入匹配电路63(电感器l7、电容器c16～19)输入到峰值放大器64的栅极。从电源vg经由电感器l8供给栅极偏压。电容器c20是电源vg的旁路电容器，电阻r5是调整用的电阻。
[0083]
峰值放大器64的漏极输出经由dc切断用的电容器c28提供给峰值放大器侧的多赫蒂网络66。从电源vd经由电感器l10供给漏极偏压。电容器c22是电源vd的旁路电容器。
[0084]
峰值放大器侧的多赫蒂网络66由输出匹配电路65和传输线trl4构成，该输出匹配电路65由电容器c27与电容器c10的二级结构、传输线trl3构成。
[0085]
若比较上述的放大器输出，则认为各自的消耗电流或消耗电力、以及作为其结果而产生的发热的大小按照驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64的顺序变大。在本实施方式的高频放大器1中，由于驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64均与金属(例如铜)制的基底构件la4接触，因此能够实现驱动放大器40、载波放大器54和峰值放大器64的良好的散热。其结果是，能够提供小型且散热性良好的高频放大器1。
[0086]
另外，在如上述图1中所说明的那样将驱动放大器40、载波放大器54、峰值放大器64配置于下层10的情况下，例如也可以将上述的驱动放大器40的输入匹配电路30(电感器l1、电容器c1～c4)配置于下层10，并将峰值放大器64的输入匹配电路63(电感器l7、电容器c16～19)配置于上层20。
[0087]
图9是示意性表示本公开的另一方式的高频放大器的剖视图。另外，对具有与图1的高频放大器1相同的功能的结构标注相同的标号并省略详细说明。
[0088]
该图9所示的高频放大器1也在基底构件la4上搭载有下层10、上层20。驱动放大器40、载波放大器54和峰值放大器64均设置于第一电介质层11，驱动放大器40、载波放大器54和峰值放大器64的各背面40b、54b、64b均以与基底构件la4接触的方式朝向下方配置，并固定于基底构件la4。
[0089]
另外，下层10的第三配线层la3与基底构件la4之间的电气路径使用信号导通孔13a来确保。信号导通孔13a贯通基底构件la4和下层10的第一电介质层11，该信号导通孔的一端与输入端子rfin连接，该信号导通孔的另一端与第三配线层la3连接。
[0090]
另外，第三配线层la3与上层20的第一电介质层11之间的电气路径使用信号导通孔15b、信号导通孔14a来确保。详细而言，首先，信号导通孔15b贯通上层20的第四电介质层24及下层10的第二电介质层12。信号导通孔15b的一端经由第三配线层la3与驱动放大器40的输出连接，信号导通孔15b的另一端与第一配线层la1连接。
[0091]
另外，信号导通孔14a也贯通上层20的第四电介质层24及下层10的第二电介质层12，该信号导通孔的一端与第一配线层la1连接，该信号导通孔的另一端经由第三配线层la3与载波放大器54的输入和峰值放大器64的输入连接。
[0092]
另外，下层10的第三配线层la3与基底构件la4之间的电气路径使用贯通第一电介质层11的信号导通孔17a。
[0093]
而且，第三配线层la3与基底构件la4之间的电气路径使用信号导通孔13a、16a来确保。信号导通孔13a、16a贯通下层10的第一电介质层11、及基底构件la4，信号导通孔16a的一端经由第三配线层la3与多赫蒂放大器50的输出连接，信号导通孔16a的另一端与输出端子rfout连接。
[0094]
另外，在图9所示的高频放大器1中，也将驱动放大器40的输出端子处的rf信号与峰值放大器64的输入端子处的rf信号之间的相位差设为11π/2至13π/2的范围。
[0095]
并且，经由信号配线101a输入到输入端子rfin(信号导通孔13a)的rf信号输入到下层10的第三配线层la3，并经由设置于该下层10的输入匹配电路30输入到驱动放大器40。由驱动放大器40放大而得到的rf信号经由信号导通孔15b朝向上层20，到达设置于该上层20的分支电路51。
[0096]
由分支电路51分配的rf信号的一方(载波放大器侧的输入路径)到达相位调整电路52，使载波放大器54的输入信号的相位延迟与规定的分布常数对应的量。经过相位调整电路52后的rf信号通过与通过信号导通孔14a的信号路径同样的路径而朝向下层10，被输入到载波放大器54。由载波放大器54放大而得到的rf信号到达设置于下层10的载波放大器侧的多赫蒂网络56，与后述的峰值放大器64的输出信号进行合成。
[0097]
另一方面，由分支电路51分配的rf信号的另一方(峰值放大器侧的输入路径)到达相位调整电路61，使峰值放大器64的输入信号的相位延迟与规定的分布常数对应的量。经过相位调整电路61后的rf信号在经过设置于上层20的输入匹配电路63后，通过与通过信号导通孔14a的信号路径同样的路径而朝向下层10，被输入到峰值放大器64。由峰值放大器64放大而得到的rf信号到达峰值放大器侧的多赫蒂网络66，与载波放大器54的输出信号合成，并经过通过信号导通孔16a的信号路径，从输出端子rfout输出。从输出端子rfout输出的信号经由信号配线101b，从高频放大器1向外部传输。
[0098]
应当认为本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而不是限制性的。本公开的范围并不是上述的含义，而是由权利要求书表示，并且意在包括与权利要求书等同的含义和范围内的所有改变。