磁阻元件及磁传感器的制作方法

技术特征：
1.一种磁阻元件，具备：第一元件部，其包含一个以上的第一单位元件；以及第二元件部，其包含一个以上的第二单位元件，所述第一元件部与所述第二元件部串联连接，所述第一单位元件包括：第一参考层，其具有第一膜面，磁化被固定在所述第一膜面的面内方向上的规定的方向；以及第一自由层，其绕与所述第一膜面垂直的轴被磁化为旋涡状，旋涡的中心根据外部磁场而移动，所述第二元件部包括：第二参考层，其具有与所述第一膜面平行的第二膜面，磁化被固定在所述第二膜面的面内方向上的规定的方向；以及第二自由层，其绕与所述第二膜面垂直的轴被磁化为旋涡状，旋涡的中心根据外部磁场而移动，所述第一参考层中的被固定的磁化所朝向的方向与所述第二参考层中的被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述第一单位元件的电阻变化特性中的相对于磁场的非线性度的分布与所述第二单位元件的电阻变化特性中的相对于磁场的非线性度的分布正负翻转。3.根据权利要求1或2所述的磁阻元件，其中，所述第一元件部与所述第二元件部的合成电阻的变化特性中的相对于磁场的非线性度分布，在检测磁场的范围内在非线性度的正侧具有两个极值。4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁阻元件，其中，相对于外部磁场的所述第一元件部的电阻变化的变动方向与相对于外部磁场的所述第二元件部的电阻变化的变动方向为正负相反。5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁阻元件，其中，所述第一元件部的电阻比所述第二元件部的电阻大。6.根据权利要求5所述的磁阻元件，其中，所述第一单位元件的灵敏度的绝对值比所述第二单位元件的灵敏度的绝对值小，所述第一单位元件中的电阻变化特性的非线性度比所述第二单位元件中的电阻变化特性的非线性度小。7.根据权利要求1至6中任一项所述的磁阻元件，其中，所述第一自由层及所述第二自由层具有盘形状，所述第二自由层的直径比所述第一自由层的直径大。8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁阻元件，其中，所述第一单位元件的数量比所述第二单位元件的数量多。9.一种磁传感器，具备多个权利要求1至8中任一项所述的磁阻元件，多个所述磁阻元件包含构成半桥电路的第一磁阻元件及第二磁阻元件，在所述第一磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向与在所述第二
磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。10.根据权利要求9所述的磁传感器，其中，多个所述磁阻元件还包含第三磁阻元件和第四磁阻元件，由所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件构成第一半桥电路，由所述第三磁阻元件和所述第四磁阻元件构成第二半桥电路，由所述第一半桥电路和所述第二半桥电路构成全桥电路，在所述第一磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向与在所述第二磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向，在所述第三磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向与在所述第四磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向，在所述第一磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向与在所述第三磁阻元件的所述第一参考层中被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。

技术总结
磁阻元件(10)具备包含第一单位元件(13)的第一元件部(11)和包含第二单位元件(14)的第二元件部(12)，第一元件部(11)与第二元件部(12)串联连接，第一单位元件(13)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第一参考层以及被磁化为旋涡状的第一自由层，第二元件部(12)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第二参考层以及被磁化为旋涡状的第二自由层，第一参考层中的被固定的磁化所朝向的方向与第二参考层中的被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。向为相反的方向。向为相反的方向。


技术研发人员：久保田将司 伊藤是清
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2020.01.30
技术公布日：2021/10/28