全耗尽绝缘体上硅ESD保护器件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于，所述全耗尽绝缘体上硅esd保护器件至少包括：底层硅，具有p型低掺杂；埋氧层，形成于所述底层硅上；顶层硅，形成于所述埋氧层上，具有p型低掺杂；第一n型重掺杂区，形成于所述顶层硅中；第二n型重掺杂区，形成于所述顶层硅中；p型重掺杂区，形成于所述第一n型重掺杂区与所述第二n型重掺杂区之间的顶层硅上；第一基极电极，与所述第一n型重掺杂区电连接；第二基极电极，与所述第二n型重掺杂区电连接；发射极电极，与所述p型重掺杂区电连接；栅极电极，与所述底层硅电连接。2.根据权利要求1所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于：所述顶层硅的厚度小于所述埋氧层的厚度。3.根据权利要求2所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于：所述埋氧层的厚度设定为100nm~200 nm。4.根据权利要求2所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于：所述顶层硅的厚度设定为28nm~100nm。5.根据权利要求1所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于：所述栅极电极设置于所述底层硅下方。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于：所述第一基极电极接地，所述第二基极电极连接第一电压信号，所述发射极电极连接脉冲信号，所述栅极电极连接第二电压信号；其中，所述第一电压信号大于0v，所述第二电压信号不小于0v。7.根据权利要求6所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件，其特征在于：所述p型重掺杂区与所述第一n型重掺杂区的距离小于所述p型重掺杂区与所述第二n型重掺杂区的距离。8.一种如权利要求1
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7任意一项所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件的制备方法，其特征在于，所述全耗尽绝缘体上硅esd保护器件的制备方法至少包括：s1：提供一p型soi结构，所述soi结构包括依次叠置的底层硅、埋氧层及顶层硅；s2：于所述顶层硅上涂覆光刻胶，通过光刻露出第一基极及第二基极所在区域的顶层硅，对露出的顶层硅进行离子注入，形成第一n型重掺杂区及第二n型重掺杂区；s3：刻蚀所述第一n型重掺杂区、所述第二n型重掺杂区及所述顶层硅，于所述第一n型重掺杂区与所述第二n型重掺杂区之间的顶层硅上形成p型重掺杂区；s4：形成与所述第一n型重掺杂区电连接的第一基极电极，与所述第二n型重掺杂区电连接的第二基极电极，与所述p型重掺杂区电连接的发射极电极及与所述底层硅电连接的栅极电极。9.根据权利要求8所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件的制备方法，其特征在于：步骤s2前还包括采用四甲基氢氧化铵去除所述顶层硅表面的氧化层。10.根据权利要求8或9所述的全耗尽绝缘体上硅esd保护器件的制备方法，其特征在
于：所述p型重掺杂区与所述第一n型重掺杂区的距离小于所述p型重掺杂区与所述第二n型重掺杂区的距离。

技术总结
本发明提供一种全耗尽绝缘体上硅ESD保护器件及其制备方法，包括：底层硅，具有P型低掺杂；埋氧层，形成于所述底层硅上；顶层硅，形成于所述埋氧层上，具有P型低掺杂；第一N型重掺杂区，形成于所述顶层硅中；第二N型重掺杂区，形成于所述顶层硅中；P型重掺杂区，形成于所述第一N型重掺杂区与所述第二N型重掺杂区之间的顶层硅上；第一基极电极，与所述第一N型重掺杂区电连接；第二基极电极，与所述第二N型重掺杂区电连接；发射极电极，与所述P型重掺杂区电连接；栅极电极，与所述底层硅电连接。本发明的全耗尽绝缘体上硅ESD保护器件利用单结晶体管形成稳压结构，实现了高压ESD保护，适用于全耗尽绝缘体上硅器件中。尽绝缘体上硅器件中。尽绝缘体上硅器件中。


技术研发人员：刘森 关宇轩 刘筱伟 刘海彬 史林森
受保护的技术使用者：微龛（广州）半导体有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2021/10/28