导电纳米线量测的制作方法

技术特征：
1.一种同时确定纳米线的长度及直径的方法，该方法包含：将该些纳米线提供至支撑物上；为该支撑物上的该些纳米线提供选定照明；获得该支撑物上的该些纳米线的影像；通过影像处理程序来计算该些纳米线中各纳米线的长度；及基于自各纳米线散射的每单位长度的光的积分强度来计算各纳米线的相对直径。2.如权利要求1所述的方法，其中计算该相对直径的步骤包括使用以下方程式：相对直径α(减去值/长度)
n
。3.如权利要求2所述的方法，其中n的值处于1/5至1/2的范围内。4.如权利要求3所述的方法，其中n的值是约1/3。5.如权利要求4所述的方法，其中n的值是1/3。6.如权利要求1所述的方法，包含确定用于该些纳米线的影像的背景强度值。7.如权利要求6所述的方法，包含针对一像素盒确定各纳米线的积分强度值，该像素盒超过相应的该纳米线延伸一选定数目的像素。8.如权利要求7所述的方法，包含自所确定的积分强度减去背景强度，以确定各纳米线的减去值。9.如权利要求1所述的方法，其中该方法用于同时确定纳米线的长度及直径。10.如权利要求1所述的方法，其中该些纳米线包含导电性材料。11.如权利要求1所述的方法，其中该些纳米线的导电性材料包括银。12.如权利要求1所述的方法，其中将该些纳米线提供至支撑物上的步骤包括使用旋涂机。13.如权利要求1所述的方法，包含使用显微镜。14.如权利要求13所述的方法，其中该显微镜是用于反射光、暗场模式中。15.如权利要求1所述的方法，其中对于该影像于纳米线的一像素盒内具有过饱和像素的任何纳米线，未确定长度及直径。16.如权利要求1所述的方法，其中对于纳米线太靠近另一纳米线，使得该积分强度包含来自该另一纳米线的贡献的任何纳米线，未确定长度及直径。17.如权利要求1所述的方法，其中对于具有纵横比小于3的任何纳米线，未确定长度及直径。18.如权利要求1所述的方法，其中对于纳米线与影像的一边缘相交的任何纳米线，未确定长度及直径。

技术总结
一种同时确定纳米线的长度及直径的方法。将纳米线提供至支撑物上。为支撑物上的纳米线提供选定照明。获得支撑物上的纳米线的影像。通过影像处理程序来计算每一纳米线的长度。基于自每一纳米线散射的每单位长度的光的积分强度来计算每一纳米线的相对直径。强度来计算每一纳米线的相对直径。强度来计算每一纳米线的相对直径。


技术研发人员：麦可
受保护的技术使用者：英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司
技术研发日：2020.04.01
技术公布日：2021/10/19