发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种发光器件，包括：中间层；第一发光单元；以及第二发光单元，其中，所述中间层具有夹在所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的区域，所述中间层具有将电子供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的一个且将空穴供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的另一个的功能，所述第一发光单元包括第一发光层，所述第一发光层包含第一发光材料，所述第二发光单元包括第二发光层，所述第二发光层包含第二发光材料，所述第二发光层和所述第一发光层之间有第一距离，并且，所述第一距离为5nm以上且65nm以下。2.一种发光器件，包括：中间层；第一发光单元；第二发光单元；第一电极；以及第二电极，其中，该发光器件具有发射光的功能，所述中间层具有将电子供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的一个且将空穴供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的另一个的功能，所述第一发光单元具有夹在所述第一电极和所述中间层之间的区域，所述第一发光单元包括第一发光层，所述第一发光层包含第一发光材料，所述第二发光单元具有夹在所述中间层和所述第二电极之间的区域，所述第二发光单元包括第二发光层，所述第二发光层包含第二发光材料，所述光呈现其极大位于第一波长处的光谱，所述第一电极的所述第一波长下的反射率比所述第二电极高，所述第二电极的所述第一波长下的透过率比所述第一电极高，所述第二电极在所述第一波长下使所述光的一部分透过而反射所述光的另一部分，所述第二电极与所述第一电极之间有第二距离，并且，所述第二距离乘以1.8而得的值包括在所述第一波长的0.3倍以上且0.6倍以下的范围内。3.一种发光器件，包括：中间层；第一发光单元；第二发光单元；
第一电极；第二电极；以及反射性膜，其中，所述发光器件具有发射光的功能，所述中间层具有将电子供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的一个且将空穴供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的另一个的功能，所述第一发光单元具有夹在所述第一电极和所述中间层之间的区域，所述第一发光单元包括第一发光层，所述第一发光层包含第一发光材料，所述第二发光单元具有夹在所述中间层和所述第二电极之间的区域，所述第二发光单元包括第二发光层，所述第二发光层包含第二发光材料，所述光呈现其极大位于第一波长处的光谱，所述反射性膜的所述第一波长下的反射率比所述第二电极高，所述第一电极具有夹在所述第一发光单元和所述反射性膜之间的区域，所述第一电极的所述第一波长下的透过率比所述第二电极高，所述第二电极在所述第一波长下使所述光的一部分透过而反射所述光的另一部分，所述第二电极与所述反射性膜之间有第二距离，并且，所述第二距离乘以1.8而得的值包括在所述第一波长的0.3倍以上且0.6倍以下的范围内。4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二发光层与所述第一发光层之间有所述第一距离d1，并且所述第一距离d1与所述第一波长el1之间成立由算式(i)表示的关系：(6.3
×
10
‑3)
×
el1≤d1≤(81.3
×
10
‑3)
×
el1
ꢀꢀꢀꢀ
(i)。5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一发光材料在溶液中呈现其极大位于第二波长处的第一发射光谱，所述第二发光材料在溶液中呈现其极大位于第三波长处的第二发射光谱，所述第一波长与所述第二波长pl1之间有100nm以下的差，并且所述第一波长与所述第三波长之间有100nm以下的差。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述第二发光层包含所述第一发光材料。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述中间层与第一发光层之间有第三距离，所述中间层与第二发光层之间有第四距离，所述第三距离为5nm以上，并且所述第四距离为5nm以上。

技术总结
提供一种发光器件。该发光器件包括中间层、第一发光单元及第二发光单元。中间层具有夹在第一发光单元和第二发光单元之间的区域，中间层具有将电子供应给第一发光单元和第二发光单元中的一个且将空穴供应给第一发光单元和第二发光单元中的另一个的功能。第一发光单元包括第一发光层，第一发光层包含第一发光材料，第二发光单元包括第二发光层，第二发光层包含第二发光材料，第二发光层和第一发光层之间有第一距离，第一距离为5nm以上且65nm以下。下。下。


技术研发人员：渡部刚吉 植田蓝莉 大泽信晴 濑尾哲史
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2020.02.24
技术公布日：2021/10/18