电流生成电路、驱动电路和电流调整方法与流程

技术特征：
1.一种电流生成电路，其特征在于，包括：mos晶体管，该mos晶体管中，电源线和接地线中的任一条线与源极端子相连接；电压生成电路，该电压生成电路生成与所述一条线和所述源极端子之间的布线的电阻值相对应的第1电压；以及控制电路，该控制电路基于所述第1电压，使所述mos晶体管生成规定电流。2.如权利要求1所述的电流生成电路，其特征在于，所述电压生成电路包括：可变电阻电路，该可变电阻电路具有与所述布线的电阻值相对应的电阻值；电压输出电路，该电压输出电路输出与所述可变电阻电路的电阻值相对应的第2电压；以及加法电路，该加法电路将所述第2电压、基准电压相加，并将由此得到的电压作为所述第1电压来输出。3.如权利要求1所述的电流生成电路，其特征在于，所述电压生成电路是具有与所述布线的电阻值相对应的电阻值的可变电阻电路，所述第1电压是在规定电压被施加到所述可变电阻电路时在所述可变电阻电路的规定的节点产生的电压。4.如权利要求1至3中任一项所述的电流生成电路，其特征在于，所述mos晶体管是所述电源线与所述源极端子相连接的pmos晶体管。5.如权利要求1至3中任一项所述的电流生成电路，其特征在于，所述mos晶体管是所述接地线与所述源极端子相连接的nmos晶体管。6.一种电流生成电路，其特征在于，包括：2个以上的n个mos晶体管，该mos晶体管中，电源线和接地线中的任一条线与源极端子相连接；电压生成电路，该电压生成电路对于所述n个布线的每一个生成与所述一条线和所述n个mos晶体管各自的所述源极端子之间的所述n个布线各自的电阻值相对应的第1电压；以及控制电路，该控制电路基于所述n个所述第1电压，使所述n个所述mos晶体管生成规定电流。7.一种驱动电路，基于第1信号使开关元件导通，基于第2信号使开关元件截止，所述驱动电路的特征在于，包括：pmos晶体管，该pmos晶体管中，电源线与源极端子相连接；电压生成电路，该电压生成电路生成与所述电源线和所述pmos晶体管的所述源极端子之间的第1布线电阻的电阻值相对应的第1电压；控制电路，该控制电路在所述第1信号被输入时，基于所述第1电压，使所述pmos晶体管生成用于对所述开关元件的栅极电容进行充电的规定电流；以及第1nmos晶体管，该第1nmos晶体管中，接地线与源极端子相连接，基于所述第2信号来导通，并对所述开关元件的所述栅极电容进行放电。8.如权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，
包括第2nmos晶体管，该第2nmos晶体管与第1nmos晶体管并联连接，基于所述第2信号来导通，并对所述开关元件的所述栅极电容进行放电。9.一种电流调整方法，其特征在于，对电流生成电路执行第1步骤和第2步骤，所述电流生成电路包括：mos晶体管，该mos晶体管中，电源线和接地线中的任一条线与源极端子相连接；电压生成电路，该电压生成电路基于可变电阻电路的电阻值，生成与所述一条线和所述源极端子之间的布线的电阻值相对应的电压；以及控制电路，该控制电路基于所述电压生成电路的电压，使所述mos晶体管生成电流，所述第1步骤中，测定所述mos晶体管所生成的电流，所述第2步骤中，对所述可变电阻电路的电阻值进行调整，以使得所述mos晶体管所生成的电流成为规定电流。

技术总结
本发明的电流生成电路包括：MOS晶体管，该MOS晶体管中，电源线和接地线中的任一条线与源极端子相连接；电压生成电路，该电压生成电路生成与所述一条线和所述源极端子之间的布线的电阻值相对应的第1电压；以及控制电路，该控制电路基于所述第1电压，使所述MOS晶体管生成规定电流。成规定电流。成规定电流。


技术研发人员：森贵浩
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：2020.09.04
技术公布日：2021/10/7