一种高功率密度的二极管的制作方法

1.本实用新型涉及二极管技术领域，具体是一种。


背景技术：

2.二极管是最常用的电子元件之一，二极管最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管正极流向负极，二极管具有整流电路、检波电路和稳压电路的功能，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的。
3.现有的二极管的芯片与引脚之间大多采用引线的方式连接，并采用增加引线的方式来通过大电流，这种接线的方式结构不稳固，引线容易断，这种方式增加了接线的工序，且每次接线都要都与芯片焊接，容易造成芯片的损坏，导致二极管报废。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种高功率密度的二极管，具有连接片的结构更加稳固、可靠性高、提高了生产效率、生产良率的有益效果，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.一种高功率密度的二极管，包括芯片，封装芯片的塑封体，塑封体底部设有引脚，引脚一端封装于塑封体内，另一端伸出于塑封体，芯片通过连接片与引脚连接，连接片封装于塑封体内，连接片一端与芯片焊接，另一端与引脚通过焊料焊接，连接片包括上连接片和下连接片，上连接片顶部与芯片通过焊料焊接，下连接片底部与引脚通过焊料焊接，上连接片与下连接片通过焊料焊接，上连接片底部一体折弯成型，并形成第一倒勾，下连接片顶部一体折弯成型，并形成第二倒勾，第一倒勾与第二倒勾相扣，并通过焊料焊接。
7.作为本实用新型再进一步的方案：引脚的材质为铜，引脚包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，连接片的数量为两个，连接片分别与第一引脚和第三引脚通过焊料焊接。
8.作为本实用新型再进一步的方案：第一倒勾的底部形成夹角α，α为80～100
°
。
9.作为本实用新型再进一步的方案：第二倒勾的顶部形成夹角β，β为90～110
°
。
10.作为本实用新型再进一步的方案：连接片的材质为铜。
11.作为本实用新型再进一步的方案：焊料为焊锡或焊片。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
13.本实用新型高功率密度的二极管的芯片与引脚通过带有倒勾的连接片焊接，上连接片的第一倒勾与下连接片的第二倒勾相扣，并通过焊料焊接，连接片的结构更加稳固，可靠性高，不需要接线工序，提高了生产效率，连接片与芯片焊接一次即可，减少了对芯片的损坏，提高了生产良率，二极管通过电流更强，电流密度更高。
附图说明
14.图1为本实用新型高功率密度的二极管的结构示意图。
15.图2为本实用新型高功率密度的二极管的内部结构示意图。
16.图3为图2中a的局部放大图。
17.图中标识：
18.1、芯片；2、塑封体；3、连接片；4、焊料；5、第一引脚；6、第二引脚；7、第三引脚；
19.31、上连接片；32、下连接片；33、第一倒勾；34、第二倒勾。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.请参阅附图1～2，本实用新型实施例中，一种高功率密度的二极管，包括芯片1，封装芯片1的塑封体2，塑封体2底部设有引脚，进一步地，引脚的材质为铜，引脚包括第一引脚5、第二引脚6和第三引脚7，引脚一端封装于塑封体2内，另一端伸出于塑封体2；芯片1通过连接片3与引脚焊接，进一步地，连接片3的材质为铜，连接片3封装于塑封体2内，连接片3一端与芯片1焊接，另一端与引脚通过焊料4焊接，进一步地，连接片3的数量为两个，连接片3分别与第一引脚5和第三引脚7通过焊料4焊接；连接片3包括上连接片31和下连接片32，上连接片31顶部与芯片1通过焊料4焊接，下连接片32底部与引脚通过焊料4焊接，上连接片31与下连接片32通过焊料4焊接；请参阅附图3，上连接片31底部一体折弯成型，并形成第一倒勾33，进一步地，第一倒勾33的底部形成夹角α，α为80～100
°
，优选地为95
°
；下连接片32顶部一体折弯成型，并形成第二倒勾34，进一步地，第二倒勾34的顶部形成夹角β，β为90～110
°
，优选地为100
°
，进一步地，第一倒勾33与第二倒勾34相扣，并通过焊料4焊接，进一步地，焊料4为焊锡或焊片。本实用新型高功率密度的二极管的芯片1与引脚通过带有倒勾的连接片3焊接，上连接片31的第一倒勾33与下连接片32的第二倒勾34相扣，并通过焊料4焊接，连接片3的结构更加稳固，可靠性高，不需要接线工序，提高了生产效率，连接片3与芯片1焊接一次即可，减少了对芯片1的损坏，提高了生产良率，二极管通过电流更强，电流密度更高。
22.本实用新型高功率密度的二极管的上连接片31的第一倒勾33与下连接片32的第二倒勾34相扣，并通过焊料4焊接，连接片3的结构更加稳固，可靠性高，不需要接线工序，提高了生产效率，连接片3与芯片1焊接一次即可，减少了对芯片1的损坏，提高了生产良率，二极管通过电流更强，电流密度更高。
23.尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种高功率密度的二极管，其特征在于，包括芯片，封装所述芯片的塑封体，所述塑封体底部设有引脚，所述引脚一端封装于所述塑封体内，另一端伸出于所述塑封体，所述芯片通过连接片与所述引脚连接，所述连接片封装于所述塑封体内，所述连接片一端与所述芯片焊接，另一端与所述引脚通过焊料焊接，所述连接片包括上连接片和下连接片，所述上连接片顶部与所述芯片通过焊料焊接，所述下连接片底部与所述引脚通过焊料焊接，所述上连接片与所述下连接片通过焊料焊接，所述上连接片底部一体折弯成型，并形成第一倒勾，所述下连接片顶部一体折弯成型，并形成第二倒勾，所述第一倒勾与所述第二倒勾相扣，并通过焊料焊接。2.根据权利要求1所述的一种高功率密度的二极管，其特征在于，所述引脚的材质为铜，所述引脚包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述连接片的数量为两个，所述连接片分别与所述第一引脚和第三引脚通过焊料焊接。3.根据权利要求1所述的一种高功率密度的二极管，其特征在于，所述第一倒勾的底部形成夹角α，所述α为80～100
°
。4.根据权利要求1所述的一种高功率密度的二极管，其特征在于，所述第二倒勾的顶部形成夹角β，所述β为90～110
°
。5.根据权利要求1所述的一种高功率密度的二极管，其特征在于，所述连接片的材质为铜。6.根据权利要求1或2所述的一种高功率密度的二极管，其特征在于，所述焊料为焊锡或焊片。

技术总结
本实用新型公开了一种高功率密度的二极管，涉及二极管技术领域，包括芯片，封装芯片的塑封体，塑封体底部设有引脚，连接片包括上连接片和下连接片，下连接片底部与引脚通过焊料焊接，上连接片与下连接片通过焊料焊接，上连接片底部一体折弯成型，并形成第一倒勾，下连接片顶部一体折弯成型，并形成第二倒勾，第一倒勾与第二倒勾相扣，并通过焊料焊接。本实用新型高功率密度的二极管的上连接片的第一倒勾与下连接片的第二倒勾相扣，并通过焊料焊接，连接片的结构更加稳固，可靠性高，不需要接线工序，提高了生产效率，连接片与芯片焊接一次即可，减少了对芯片的损坏，提高了生产良率，二极管通过电流更强，电流密度更高。电流密度更高。电流密度更高。


技术研发人员：燕云峰 李小芹 燕国峰 王小磊 江小芬 李成燕 肖贵明
受保护的技术使用者：东莞市纽航电子有限公司
技术研发日：2021.05.08
技术公布日：2021/10/29