一种晶圆切割设备的制作方法

1.本发明涉及晶圆切割技术领域，具体涉及一种晶圆切割设备。


背景技术：

2.晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在半导体的生产应用中，晶圆切割必不可少，且半导体晶圆的切割质量直接决定了半导体是否合格。
3.现有的晶圆切割设备，虽然能够满足对晶圆进行切割处理的基本需求，但却存在着切割效率低、切割成品的品质差的缺陷。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明针对现有技术的不足，提供一种晶圆切割设备，不仅能够满足对晶圆进行切割处理的基本需求，而且还具备切割效率高、切割成品的品质稳定的特点。
5.为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种晶圆切割设备，包括激光调节系统、切割控制系统、切割机构和功率调节机构；所述激光调节系统包括扩束镜、与扩束镜相适配的调节波片、与调节波片相适配的第一反射镜、设置在第一反射镜下方的第二反射镜、设置在第二反射镜水平方向的侧端的第三反射镜；所述切割控制系统能够控制设备运行并监控设备的运行状态；所述切割机构包括测距仪、与第三反射镜的出光端相适配的压电陶瓷电机、设置在压电陶瓷电机下端的切割物镜和设置在切割物镜以及测距仪下方的用于放置晶圆的载物台；所述切割控制系统收集测距仪接收到的高度信息并存储到指定位置，所述切割控制系统控制压电陶瓷电机升降运动补偿被测物的高度差；所述切割物镜安装在压电陶瓷电机上，能够随陶瓷电机移动改变焦点位置，且能够随时观察激光能否满足加工要求；所述调节波片通过角度的改变来改变通光量从而调节焦点位置的能量，进而完成不同切割道深度。
6.进一步的，所述切割机构是测距仪、压电陶瓷电机、切割物镜组成。
7.进一步的，所述切割控制系统包括运动套件和与运动套件相配合的设置有切割软件的控制模块。，进一步的，所述功率调节机构通过电机带动调节波片旋转从而改变聚焦功率。
8.与现有技术相比，本发明的有益效果在于：能够通过扩束镜将激光光束调节至适当模式，并经调节波片将激光强度更换至适当大小，经第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜的反射指向压电陶瓷电机，进而指向向切割物镜；所述测距仪能够测量晶圆切割道的高度差，并存储至切割控制系统，切割控制系统控制压电陶瓷电机高度，压电陶瓷电机带动切
割物镜将激光焦点聚集道晶圆适当深度位置，从而快速高效、高品质地完成对晶圆的隐切处理；因此本申请所述的技术方案不仅能够满足对晶圆进行切割处理的基本需求，而且还具备切割效率高、切割成品的品质稳定的特点。
附图说明
9.图1为本发明的结构示意图；图2为本发明的侧视结构示意图图3为本发明的正视结构示意图。
10.图中：1、扩束镜；2、调节波片；3、第一反射镜；4、压电陶瓷电机；5、切割物镜；6、测距仪；7、载物台；8、第二反射镜；9、第三反射镜。
具体实施方式
11.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
12.如图1
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3所示，一种晶圆切割设备，包括激光调节系统、切割控制系统、切割机构和功率调节机构；所述激光调节系统包括扩束镜1、与扩束镜1相适配的调节波片2、与调节波片2相适配的第一反射镜3、设置在第一反射镜3下方的第二反射镜8、设置在第二反射镜8水平方向的侧端的第三反射镜9；所述切割控制系统能够控制设备运行并监控设备的运行状态；所述切割机构包括测距仪6、与第三反射镜9的出光端相适配的压电陶瓷电机4、设置在压电陶瓷电机4下端的切割物镜5和设置在切割物镜5以及测距仪6下方的用于放置晶圆的载物台7；所述切割控制系统收集测距仪6接收到的高度信息并存储到指定位置，所述切割控制系统控制压电陶瓷电机4升降运动补偿被测物的高度差；所述切割物镜5安装在压电陶瓷电机4上，能够随陶瓷电机移动改变焦点位置，且能够随时观察激光能否满足加工要求；所述调节波片2通过角度的改变来改变通光量从而调节焦点位置的能量，进而完成不同切割道深度。
13.所述切割机构是测距仪6、压电陶瓷电机4、切割物镜5组成。
14.所述切割控制系统包括运动套件和与运动套件相配合的设置有切割软件的控制模块。，所述功率调节机构通过电机带动调节波片2旋转从而改变聚焦功率。
15.具体的：通过扩束镜1将激光光束调节至适当模式，并经调节波片2将激光强度更换至适当大小，经第一反射镜3、第二反射镜8和第三反射镜9的反射指向压电陶瓷电机4，进而指向向切割物镜5；所述测距仪6能够测量晶圆切割道的高度差，并存储至切割控制系统，切割控制系统控制压电陶瓷电机4高度，压电陶瓷电机4带动切割物镜5将激光焦点聚集道
晶圆适当深度位置，从而快速高效、高品质地完成对晶圆的隐切处理；因此本申请所述的技术方案不仅能够满足对晶圆进行切割处理的基本需求，而且还具备切割效率高、切割成品的品质稳定的特点。
16.以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种晶圆切割设备，其特征在于：包括激光调节系统、切割控制系统、切割机构和功率调节机构；所述激光调节系统包括扩束镜(1)、与扩束镜(1)相适配的调节波片(2)、与调节波片(2)相适配的第一反射镜(3)、设置在第一反射镜(3)下方的第二反射镜（8）、设置在第二反射镜（8）水平方向的侧端的第三反射镜(9)；所述切割控制系统能够控制设备运行并监控设备的运行状态；所述切割机构包括测距仪(6)、与第三反射镜(9)的出光端相适配的压电陶瓷电机(4)、设置在压电陶瓷电机(4)下端的切割物镜(5)和设置在切割物镜(5)以及测距仪(6)下方的用于放置晶圆的载物台(7)；所述切割控制系统收集测距仪(6)接收到的高度信息并存储到指定位置，所述切割控制系统控制压电陶瓷电机(4)升降运动补偿被测物的高度差；所述切割物镜(5)安装在压电陶瓷电机(4)上，能够随陶瓷电机移动改变焦点位置，且能够随时观察激光能否满足加工要求；所述调节波片(2)通过角度的改变来改变通光量从而调节焦点位置的能量，进而完成不同切割道深度。2.如权利要求1所述的晶圆切割设备，其特征在于：所述切割机构是测距仪(6)、压电陶瓷电机(4)和切割物镜（5）组成。3.如权利要求2所述的晶圆切割设备，其特征在于：所述切割控制系统包括运动套件和与运动套件相配合的设置有切割软件的控制模块。4.如权利要求3所述的晶圆切割设备，其特征在于：所述功率调节机构通过电机带动调节波片（2）旋转从而改变聚焦功率。

技术总结
本发明提供一种晶圆切割设备，包括激光调节系统、切割控制系统、切割机构和功率调节机构；激光调节系统包括扩束镜、与扩束镜相适配的调节波片、与调节波片相适配的第一反射镜、设置在第一反射镜下方的第二反射镜、设置在第二反射镜水平方向的侧端的第三反射镜；切割控制系统能够控制设备运行并监控设备的运行状态；切割机构包括测距仪、与第三反射镜的出光端相适配的压电陶瓷电机、设置在压电陶瓷电机下端的切割物镜和设置在切割物镜以及测距仪下方的用于放置晶圆的载物台。通过本发明所述的晶圆切割设备，不仅能够满足对晶圆进行切割处理的基本需求，而且还具备切割效率高、切割成品的品质稳定的特点。成品的品质稳定的特点。成品的品质稳定的特点。


技术研发人员：蔡正道 陶为银 鲍占林 巩铁建
受保护的技术使用者：河南通用智能装备有限公司
技术研发日：2021.09.02
技术公布日：2021/10/29