沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统与流程

技术特征：
1.一种沟道孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面具有第一堆叠结构的衬底，所述第一堆叠结构中形成有贯穿至所述衬底的多个第一沟道孔，在各所述第一沟道孔中形成填充柱，所述填充柱具有远离所述衬底的第一端部；在所述第一堆叠结构上形成图形化掩膜层，以所述图形化掩膜层为掩膜刻蚀所述第一堆叠结构，以使所述第一端部裸露；在所述图形化掩膜层上形成中间绝缘层，所述第一端部位于所述中间绝缘层中，所述中间绝缘层对应于所述第一端部的位置形成有第一凸起标记；在所述中间绝缘层上形成第二堆叠结构，所述第二堆叠结构对应于所述第一凸起标记的位置形成有第二凸起标记；基于所述第二凸起标记，采用套刻工艺形成顺序贯穿所述第二堆叠结构和中间绝缘层至所述填充柱的第二沟道通孔，去除所述填充柱以使所述第二沟道通孔与所述第一沟道孔连通。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述填充柱的材料为碳或碳化物。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述图形化掩膜层与所述第一堆叠结构的刻蚀选择比大于1。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一堆叠结构包括交替层叠的第一牺牲层和第一隔离层；所述第二堆叠结构包括交替层叠的第二牺牲层和第二隔离层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述图形化掩膜层为多晶硅层，所述第一牺牲层为氮化硅层，所述第一隔离层为氧化硅层，在以所述图形化掩膜层为掩膜刻蚀所述第一堆叠结构的步骤中，刻蚀停止在所述氧化硅层，以使所述第一端部裸露。6.根据权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述第一堆叠结构上形成所述图形化掩膜层的步骤包括：在所述第一堆叠结构上顺序覆盖掩膜材料层和光刻胶层；图形化所述光刻胶层；以图形化的所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述掩膜材料层，得到所述图形化掩膜层。7.根据权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二沟道通孔的步骤包括：在所述第二堆叠结构表面覆盖硬掩膜，所述硬掩膜对应于所述第二凸起标记的位置形成第三凸起标记；采用光刻工艺在所述第三凸起标记的位置形成开口，通过所述开口对所述第二堆叠结构进行刻蚀，以形成所述第二沟道通孔，所述开口与所述第一沟道孔一一对应。8.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：采用权利要求1至7中任一项所述的制作方法在衬底上形成具有堆叠结构，所述堆叠结构中具有贯穿至所述衬底的沟道孔，所述堆叠结构包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层；在所述沟道孔中形成存储结构；在所述堆叠结构中形成贯穿至所述衬底的栅极隔槽，所述栅极隔槽位于相邻所述沟道
孔之间；去除所述牺牲层，并在对应所述牺牲层的位置形成栅极层。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述存储结构的步骤包括：在所述沟道孔的侧壁上顺序形成层叠的电荷阻挡层、电子捕获层、隧穿层和沟道层。10.一种存储器，其特征在于，包括具有双栅极堆叠结构的衬底和存储结构，所述双栅极堆叠结构包括沿远离所述衬底方向顺序层叠的第一栅极堆叠结构、中间绝缘层和第二栅极堆叠结构，所述第一栅极堆叠结构中具有贯穿至所述衬底的第一沟道孔，所述中间绝缘层和所述第二栅极堆叠结构中具有与所述第一沟道孔连通的第二沟道通孔，所述存储结构位于连通的所述第一沟道孔与所述第二沟道通孔中，所述中间绝缘层远离所述衬底的一侧具有第一凸起标记，所述第二栅极堆叠结构远离所述衬底的一侧表面具有与所述第一凸起标记对应的第二凸起标记，所述第二沟道通孔顺序贯穿所述第二凸起标记和所述第一凸起标记。11.一种存储系统，其特征在于，包括控制器和权利要求10所述的存储器，所述控制器耦合至所述存储器，并控制所述存储器存储数据。

技术总结
本发明提供了沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统。该方法在各第一沟道孔中形成填充柱，填充柱具有远离衬底的第一端部，然后在第一堆叠结构上形成图形化掩膜层，以图形化掩膜层为掩膜刻蚀第一堆叠结构，以使第一端部裸露，并在图形化掩膜层上形成中间绝缘层，第一端部位于中间绝缘层中，中间绝缘层对应于第一端部的位置形成有第一凸起标记，从而在形成第二堆叠结构后，使第二堆叠结构表面对应形成第二凸起标记，由于该第二凸起标记对应预形成的第二沟道通孔的位置，从而通过利用第二凸起标记进行套刻对准，降低了第二沟道通孔形成位置的偏差，进而提高了第二沟道通孔与第一沟道孔之间的对准精度，保证了器件的电学性能。性能。性能。


技术研发人员：杨超 陆聪 吴振国
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.07.26
技术公布日：2021/10/29