显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.显示面板中的器件驱动层主要由薄膜晶体管(tft)组成，薄膜晶体管容易受自热或外部热量影响(例如：自加热self
‑
heating效应、交直流负偏置温度不稳定性nbti、交直流正偏置温度不稳定性pbti等)，在工作时，容易发生阈值电压(vth)的偏移，从而导致器件退化。


技术实现要素：

3.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有的显示面板由于薄膜晶体管的热稳定性不足的问题。
4.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示基板，包括：基底层、开关器件层和制冷功能层；所述开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件；
5.所述制冷器件层用于所述薄膜晶体管器件的局部降温；其中：所述制冷功能层位于所述基底层与所述开关器件层之间，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件在所述基底层上的正投影与所述薄膜晶体管器件在所述基底层上的正投影至少部分重叠；
6.或者，所述制冷功能层与所述开关器件层同层设置，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件位于所述薄膜晶体管器件的周边。
7.可选地，多个所述制冷器件呈阵列排布；
8.所述制冷器件与所述薄膜晶体管器件一一对应设置；或者，
9.所述制冷器件包括第一子制冷器件和第二子制冷器件，所述第一子制冷器件和所述第二子制冷器件与所述薄膜晶体管器件一一对应设置，且分别位于所述薄膜晶体管器件的两侧。
10.可选地，所述制冷器件包括：第一电极、第一半导体结构、第二半导体结构以及第二电极；所述第一电极用于与外部电路连接；
11.所述第二电极、所述第一半导体结构、所述第二半导体结构和所述第一电极依次层叠设置，所述第一电极位于所述第二半导体结构远离所述基底层的一侧；
12.或者，
13.所述第二电极包括间隔设置的第一子电极和第二子电极，所述第一半导体结构位于所述第一子电极远离所述基底层的一侧，所述第二半导体结构位于所述第二子电极远离所述基底层的一侧；所述第一电极位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构远离所述基底层的一侧，并将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构连接。
14.可选地，所述开关器件层包括层叠设置的绝缘层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间介质层以及源漏电极层。
15.可选地，所述第一子电极和所述第二子电极复用所述第一栅极层；和/或，所述第一电极复用所述第二栅极层。
16.可选地，所述显示基板还包括：第一引出电极和第二引出电极，所述第一引出电极和所述第二引出电极复用所述源漏电极层；所述第一引出电极与所述第一子电极连接，所述第二引出电极与所述第二子电极连接。
17.可选地，所述制冷器件包括：第三半导体结构、第四半导体结构以及第三电极；
18.所述第三半导体结构、所述第四半导体结构以及所述第三电极依次层叠设置，所述第三电极位于所述第四半导体结构远离所述基底层的一侧，所述第三半导体结构的部分区域被导体化，用于与外部电路连接；
19.或者，
20.所述第三电极位于所述第三半导体结构和所述第四半导体结构远离所述基底层的一侧，并将所述第三半导体结构和所述第四半导体结构连接，所述第三半导体结构的部分区域和所述第四半导体结构的部分区域被导体化，用于与外部电路连接。
21.可选地，所述第一子制冷器件与所述第二子制冷器件的结构相同；所述第一子制冷器件包括依次层叠设置的第四电极、第五半导体结构、第六半导体结构和第五电极；所述第四电极复用所述第一栅极层，所述第五电极复用所述第二栅极层。
22.第二个方面，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括：第一个方面所述的显示基板。
23.第三个方面，本技术实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
24.提供一基底层；
25.在所述基底层的一侧制备制冷功能层；所述制冷功能层包括多个制冷器件；
26.在所述制冷功能层背离所述基底层的一侧制备开关器件层；所述开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件，所述制冷器件在所述基底层上的正投影与所述薄膜晶体管器件在所述基底层上的正投影至少部分重叠；
27.或者，
28.提供一基底层；
29.在所述基底层的一侧制备开关器件层和制冷功能层，所述制冷功能层与所述开关器件层同层设置，所述制冷功能层包括多个制冷器件，所述制冷器件位于所述薄膜晶体管器件的周边。
30.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果至少包括：
31.本技术实施例提供的显示基板，通过在基底层与开关器件层之间设置制冷功能层、或者与开关器件层同层设置制冷功能层，利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，改善了显示基板的产品品质；同时，在极冷环境中，还可以通过控制电流方向，提升显示基板的温度，增强客户体验感。
32.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
33.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
34.图1为本技术实施例提供的制冷器件的原理示意图；
35.图2为本技术实施例提供的一种显示基板的第一种实施方式的结构示意图；
36.图3为本技术实施例提供的一种显示基板的第二种实施方式的结构示意图；
37.图4为本技术实施例提供的一种显示基板的第三种实施方式的结构示意图；
38.图5为本技术实施例提供的一种显示基板的第四种实施方式的结构示意图；
39.图6为本技术实施例提供的一种显示基板的第五种实施方式的结构示意图；
40.图7为本技术实施例提供的一种显示基板的第六种实施方式的结构示意图；
41.图8为本技术实施例提供的一种显示基板的第七种实施方式的结构示意图；
42.图9为本技术实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程示意图；
43.图10为本技术实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程示意图。
44.其中：
45.10
‑
基底层；100
‑
基板；101
‑
缓冲层；
46.11
‑
第一子制冷器件；12
‑
第二子制冷器件；
47.102
‑
第二电极；102a
‑
第一子电极；102b
‑
第二子电极；103c
‑
第四电极；
48.103
‑
第一半导体结构；104
‑
第二半导体结构；
49.103a
‑
第三半导体结构；104a
‑
第四半导体结构；
50.103b
‑
第五半导体结构；104b
‑
第六半导体结构；
51.105
‑
第一绝缘层；105a
‑
第二绝缘层；
52.106
‑
第一电极；
53.106a
‑
第三电极；1061
‑
第三子电极；1062
‑
第四子电极；106b
‑
第五电
54.极
55.107
‑
第一引出电极；108
‑
第二引出电极；
56.201
‑
绝缘层；202
‑
有源层；203
‑
第一栅极绝缘层；204
‑
第一栅极层；
57.205
‑
第二栅极绝缘层；206
‑
第二栅极层；207
‑
层间介质层；208
‑
源漏
58.电极层；
59.301
‑
平坦化层；302
‑
阳极层；303
‑
像素定义层；304
‑
隔垫物层。
具体实施方式
60.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
61.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义
来解释。
62.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
63.首先，对半导体制冷器的工作原理进行解释性说明：
64.半导体制冷器的原理是利用珀耳帖效应，直接将电能转化为温度梯度从而实现制冷，具有结构简单、可靠性高、反应迅速等优点。珀耳帖效应是指当有电流通过不同的导体组成的回路时，除产生不可逆的焦耳热外，在不同导体的接头处随着电流方向的不同会分别出现吸热、放热现象。
65.如图1所示，半导体热电偶由n型半导体和p型半导体组成。n型半导体材料有多余的电子，有负温差电势。p型半导体材料电子不足，有正温差电势；当电子从p型半导体穿过结点至n型半导体时，结点的温度就会降低，其能量必然增加(即吸收热量)，而且增加的能量相当于结点所消耗的能量。相反，当电子从n型流至p型材料时，结点的温度就会升高，其能量必然减少(即释放热量)。
66.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
67.本技术实施例提供了一种显示基板，包括：基底层、开关器件层和制冷功能层。其中，基底层一般包括基板和位于基板上的缓冲层。开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管(thin film transistor，tft)器件，薄膜晶体管器件用于控制像素单元发光。
68.本实施例中的制冷功能层用于薄膜晶体管器件的局部降温，从而提升薄膜晶体管器件的热稳定性。
69.在一个可选的实施例中，如图2所示，制冷功能层可以位于基底层10与开关器件层之间，制冷功能层包括多个制冷器件，制冷器件在基底层10上的正投影与薄膜晶体管器件在基底层10上的正投影至少部分重叠，即制冷器件位于薄膜晶体管器件与基底层10之间，且薄膜晶体管器件与制冷器件在基底层10上的正投影交叠，使得制冷器件更加靠近薄膜晶体管器件，从而提升降温效果。
70.在另一个可选的实施例中，如图3所示，制冷功能层还可以与开关器件层同层设置，制冷功能层包括多个制冷器件，制冷器件位于薄膜晶体管器件的周边，利用制冷器件实现对薄膜晶体管器件的降温。
71.需要说明的是，制冷功能层与开关器件层同层设置是指：制冷功能层中的制冷器件的整体结构与薄膜晶体管器件的整体结构基本处于同一工艺平面。
72.本实施例提供的显示基板，通过在基底层与开关器件层之间设置制冷功能层、或者与开关器件层同层设置制冷功能层，利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，改善了显示基板的产品品质；同时，在极冷环境中，还可以通过控制电流方向，提升显示基板的温度，增强客户体验感。
73.在一些可选的实施例中，参阅图2至图4，多个制冷器件呈阵列排布。制冷器件与薄
膜晶体管器件一一对应设置，即一个制冷器件对应一个薄膜晶体管器件。本实施例中的制冷器件与薄膜晶体管器件对应可以为垂直于基底层10的方向上下对应，也可以是薄膜晶体管器件被制冷器件包围实现对应。
74.本实施例中，通过制冷器件与薄膜晶体管器件一一对应设置，并且每个制冷器件可以单独控制，有利于实现对薄膜晶体管器件的精准降温，从而减缓薄膜晶体管器件因发热引起的退化。
75.在一些可选的实施例中，进一步参阅图2和图3，制冷器件具体包括：第一电极106、第一半导体结构103、第二半导体结构104以及第二电极102。第一电极106用于与外部电路连接，通过外部电路控制制冷器件的电流大小和电流方向。
76.可选地，当制冷器件为垂直型结构时，第二电极102、第一半导体结构103、第二半导体结构104和第一电极106依次层叠设置，第一电极106位于第二半导体结构104远离所述基底层10的一侧。垂直型结构的制冷器件整体体积较小，可以节省空间。
77.可选地，当制冷器件为水平型结构时，第二电极102包括间隔设置的第一子电极102a和第二子电极102b，第一半导体结构103位于第一子电极102a远离基底层10的一侧，第二半导体结构104位于第二子电极102b远离基底层10的一侧；第一电极106位于第一半导体结构103和第二半导体结构104远离基底层10的一侧，并将第一半导体结构103和第二半导体结构104连接。
78.可选地，第一半导体结构103可以为n型半导体，第二半导体结构104为p型半导体。
79.在一些实施例中，如图2至图8所示，开关器件层包括层叠设置的绝缘层201、有源层202、第一栅极绝缘层203、第一栅极层204、第二栅极绝缘层205、第二栅极层206、层间介质层207以及源漏电极层208。
80.可选地，本技术实施例中的绝缘层201主要起到保护薄膜晶体管器件的作用。
81.具体地，第一栅极层204包括第一栅极，第二栅极层206包括第二栅极，有源层202包括有源结构，源漏电极层208包括第一金属结构和第二金属结构。其中，第一金属结构和第二金属结构分别通过贯穿第一栅极绝缘层203和第二栅极绝缘层205的过孔与有源结构连接，有源结构、第一栅极、第一金属结构、第二金属结构以及第二栅极构成前述实施例中的薄膜晶体管器件。第一金属结构和第二金属结构分别作为薄膜晶体管器件的源极和漏极。
82.需要说明的是，本技术实施例中的薄膜晶体管器件与现有的薄膜晶体管器件的结构相同，因而本实施例中对薄膜晶体管器件的结构不作详细说明。
83.在一些实施例中，当制冷器件与薄膜晶体管器件同层设置时，同属于第二电极102的第一子电极102a和第二子电极102b位于同一膜层，且都复用第一栅极层204，在制备栅极层时一并形成第一子电极102a和第二子电极102b，第一子电极102a和第二子电极102b采用与第一栅极层204相同的材料，从而节省了工艺步骤，降低了生产成本。
84.在一些实施例中，当制冷器件与薄膜晶体管器件同层设置时，第一电极106复用第二栅极层206，即在制备第二栅极层206时一并形成第一电极106，第一电极106采用与第一栅极层204相同的材料，从而节省了工艺步骤，降低了生产成本。
85.在一些实施例中，显示基板还包括：第一引出电极107和第二引出电极108，第一引出电极107和第二引出电极108复用源漏电极层208，即在制备源漏电极层208时一并形成第
一引出电极107和第二引出电极108，第一引出电极107和第二引出电极108的材料与源漏电极层208(第一金属结构或第二金属结构)的材料相同，从而节省了工艺步骤，降低了生产成本。
86.具体地，第一引出电极107通过贯穿第一栅极绝缘层203和第二栅极绝缘层205的过孔与第一子电极102a连接，第二引出电极108也通过贯穿第一栅极绝缘层203和第二栅极绝缘层205的过孔与第二子电极102b连接。
87.在一个具体的实施例中，继续参阅图2，制冷功能层位于基底层10与开关器件层之间，且制冷器件为水平型结构，制冷器件具体包括：第一电极106、第一半导体结构103、第二半导体结构104、第二电极102和第一绝缘层105。
88.具体地，第二电极102位于缓冲层101远离基板100的一侧，第二电极102包括间隔设置的第一子电极102a和第二子电极102b，第一半导体结构103位于第一子电极102a远离基底层10的一侧，第二半导体结构104位于第二子电极102b远离基底层10的一侧，第一绝缘层105覆盖第一半导体结构103、第二半导体结构104以及第二电极102。
89.进一步地，第一电极106位于第一绝缘层105远离基底层10的一侧，第一电极106的一端贯穿第一绝缘层105，并与第一半导体结构103连接；第一电极106的另一端贯穿第一绝缘层105，并与第二半导体结构104连接。
90.为了将第一子电极102a和第二子电极102b引出，第一绝缘层105远离基底层10的一侧间隔设置的第一辅助电极和第二辅助电极。第一引出电极107通过贯穿的过孔与第一辅助电极连接，第二引出电极108也通过贯穿的过孔与第二辅助电极连接。
91.本实施例中为了便于控制制冷器件，利用第一引出电极107和第二引出电极108与外部电路电连接，从而实现对制冷器件的电流大小和方向的控制，使得第一电极106作为冷端，吸收薄膜晶体管器件的热量。由于第一电极106靠近薄膜晶体管器件的有源结构，因而第一电极106主要对有源结构进行降温，进而带动整个薄膜晶体管器件降温，减缓薄膜晶体管器件的退化。
92.在一个具体的实施例中，如图3所示，制冷功能层与开关器件层同层设置，且制冷器件为水平型结构，制冷器件具体包括：第一电极106、第一半导体结构103、第二半导体结构104和第二电极102。
93.具体地，第二电极102位于缓冲层101远离基板100的一侧，第二电极102包括间隔设置的第一子电极102a和第二子电极102b，第一子电极102a和第二子电极102b与第一栅极结构采用同一工艺制备得到，第一子电极102a和第二子电极102b分别位于第一栅极结构的两侧。
94.进一步地，第一半导体结构103位于第一子电极102a远离基底层10的一侧，第二半导体结构104位于第二子电极102b远离基底层10的一侧，第一半导体结构103和第二半导体结构104均被第二栅极绝缘层205覆盖。
95.第一电极106位于第二栅极绝缘层205远离基底层10的一侧，第一电极106靠近第二栅极结构的部分设有开口，避免第一电极106与第一金属结构、第二金属结构或者第二栅极结构连接而形成短路。第一电极106与第二栅极结构同层设置，可以节省工艺步骤。第一电极106的一端与第一半导体结构103连接，第一电极106的另一端与第二半导体结构104连接。
96.需要说明的是，制冷器件的引出结构可以参照前述实施例，本实施例中不作详细赘述。
97.在一个具体的实施例中，如图4所示，制冷功能层位于基底层10与开关器件层之间，且制冷器件为垂直型结构，制冷器件具体包括：第一电极106、第一半导体结构103、第二半导体结构104、第二电极102和第一绝缘层105。
98.具体地，第二电极102、第一半导体结构103和第二半导体结构104依次层叠于缓冲层101远离基板100的一侧。第一绝缘层105覆盖第二电极102、第一半导体结构103和第二半导体结构104，第一电极106贯穿第一绝缘层105并与第二半导体结构104连接。第一电极106位于第一绝缘层105远离基底层10的一侧，第一电极106的一端贯穿第一绝缘层105，并与第二半导体结构104连接。
99.为了将第二电极102引出，第一绝缘层105远离基底层10的一侧还设置有第三辅助电极，第三辅助电极位于第一子电极102a远离基底层10的一侧，第三辅助电极贯穿第一绝缘层105并与第二电极102连接。
100.第一引出电极107通过贯穿的过孔与第三辅助电极连接，第二引出电极108也通过贯穿的过孔与第一电极106连接，利用第一引出电极107和第二引出电极108与外部电路电连接，从而实现对制冷器件的电流大小和方向的控制，使得第一电极106作为冷端，吸收薄膜晶体管器件的热量。由于第一电极106靠近薄膜晶体管器件的有源结构，因而第一电极106主要对有源结构进行降温，进而带动整个薄膜晶体管器件降温，减缓薄膜晶体管器件的退化。
101.在一些实施例中，制冷器件仅设置冷端电极，即制冷器件包括：第三半导体结构103a、第四半导体结构104a以及第三电极106a。
102.可选地，第三半导体结构103a为n型半导体，第四半导体结构104a为p型半导体。
103.可选地，当制冷器件为垂直型结构时，第三半导体结构103a、第四半导体结构104a以及第三电极106a依次层叠设置，第三电极106a位于第四半导体结构104a远离基底层10的一侧，第三半导体结构103a的部分区域被导体化，被导体化的区域作为电极，用于与外部电路连接。
104.可选地，当制冷器件为水平型结构时，第三电极106a位于第三半导体结构103a和第四半导体结构104a远离基底层10的一侧，第三半导体结构103a和第四半导体结构104a通过第三电极106a实现连接。第三半导体结构103a的部分区域和第四半导体结构104a的部分区域被导体化，被导体化的区域作为电极，用于与外部电路连接。
105.本实施例提供的显示基板，利用第三半导体结构103a和第四半导体结构104a的导体化区域作为导电电极，节省了电极的制备工艺，同时合理控制了制冷器件的设计尺寸，节省了空间。
106.在一个具体的实施例中，如图5所示，制冷器件位于基底层10与开关器件层之间，且制冷器件为水平型结构，制冷器件具体包括：第三半导体结构103a、第四半导体结构104a、第三电极106a和第二绝缘层105a。
107.具体地，第三半导体结构103a和第四半导体结构104a均位于缓冲层101远离基底层10的一侧，第二绝缘层105a覆盖第三半导体结构103a和第四半导体结构104a。
108.进一步地，第三电极106a位于第二绝缘层105a远离基底层10的一侧，第三电极
106a的一端通过贯穿第二绝缘层105a的过孔与第三半导体结构103a连接；第三电极106a的另一端通过贯穿第二绝缘层105a的过孔与第二半导体结构104连接。第三半导体结构103a的部分区域和第四半导体结构104a的部分区域被导体化，被导体化的区域作为电极，用于与外部电路连接。
109.为了将第三半导体结构103a和第四半导体结构104a的引出，第二绝缘层105a远离基底层10的一侧还设置有间隔设置的第四辅助电极和第五辅助电极。第四辅助电极与第三半导体结构103a的导体化区域连接，第五辅助电极与第四半导体结构104a的导体化区域连接。
110.第一引出电极107通过贯穿的过孔与第四辅助电极连接，第二引出电极108也通过贯穿的过孔与第五辅助电极连接，利用第一引出电极107和第二引出电极108与外部电路电连接，从而实现对制冷器件的电流大小和方向的控制，使得第一电极106作为冷端，吸收薄膜晶体管器件的热量。由于第三电极106a靠近薄膜晶体管器件的有源结构，因此，第三电极106a主要对有源结构进行降温，进而带动整个薄膜晶体管器件降温，减缓薄膜晶体管器件的退化。
111.在一个具体的实施例中，如图6所示，制冷功能层位于基底层10与开关器件层之间，且制冷器件为垂直型结构，制冷器件具体包括：第三半导体结构103a、第四半导体结构104a、第三电极106a和第二绝缘层105a。
112.具体地，第三半导体结构103a和第四半导体结构104a依次层叠于缓冲层101远离基板100的一侧。第一绝缘层105覆盖第三半导体结构103a和第四半导体结构104a，第三电极106a贯穿第二绝缘层105a并与第四半导体结构104a连接。第三电极106a位于第二绝缘层105a远离基底层10的一侧，第三电极106a的一端贯穿第二绝缘层105a，并与第四半导体结构104a连接。第三半导体结构103a的部分区域被导体化，被导体化的区域作为电极，用于与外部电路连接。
113.为了将第四半导体结构104a与外部电路相连，第二绝缘层105a远离基底层10的一侧还设置有第六辅助电极，第六辅助电极位于第三半导体结构103a远离基底层10的一侧，第六辅助电极贯穿第二绝缘层105a并与第三半导体结构103a的导体化区域连接。
114.第一引出电极107通过贯穿的过孔与第六辅助电极连接，第二引出电极108也通过贯穿的过孔与第三电极106a连接，利用第一引出电极107和第二引出电极108与外部电路电连接，从而实现对制冷器件的电流大小和方向的控制，使得第三电极106a作为冷端，吸收薄膜晶体管器件的热量。由于第三电极106a靠近薄膜晶体管器件的有源结构，因此，第三电极106a主要对有源结构进行降温，进而带动整个薄膜晶体管器件降温，减缓薄膜晶体管器件的退化。
115.在一个具体的实施例中，如图7所示，制冷器件与开关器件层同层设置，且制冷器件为水平型结构，制冷器件具体包括：第三半导体结构103a、第四半导体结构104a和第三电极106a。
116.具体地，第三半导体结构103a和第四半导体结构104a与有源结构同层设置，三者均位于绝缘层201远离基底层10的一侧，并且被第一栅极绝缘层203覆盖。第三半导体结构103a和第四半导体结构104a分别位于有源结构的两侧，通过控制电流方向实现对薄膜晶体管器件的温度调节，提高热稳定性。第三半导体结构103a的部分区域和第四半导体结构
104a的部分区域被导体化，被导体化的区域作为电极，用于与外部电路连接。
117.进一步地，为了使第三半导体结构103a和第四半导体结构104a形成导电回路，本实施例在层间介质层207远离基底层10的一侧设置有第三电极106a，第三电极106a具体包括第三子电极1061和第四子电极1062，第三子电极1061与第四子电极1062可以通过同层布置的导线实现电连接。同时，第一引出电极107位于第三子电极1061远离第二栅极结构的一侧，第二引出电极108位于第四子电极1062远离第二栅极结构的一侧。
118.为了使制冷器件形成完成的电流回路，第一引出电极107和第三子电极1061分别通过过孔与第三半导体结构103a的导体化区域连接；第二引出电极108和第四子电极1062分别通过过孔与第四半导体结构104a的导体化区域连接，从而形成完成的制冷器件结构。
119.本实施例中的第三子电极1061与第四子电极1062电连接，第一引出电极107与第二引出电极108分别与外部电路电连接。利用第一引出电极107和第二引出电极108与外部电路电连接，从而实现对制冷器件的电流大小和方向的控制，使得第一电极106作为冷端，吸收薄膜晶体管器件的热量。由于制冷器件包围薄膜晶体管器件，因而利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行降温，减缓薄膜晶体管器件的退化，改善器件的性能。
120.在一些可选的实施例中，多个制冷器件呈阵列排布。其中，制冷器件包括第一子制冷器件11和第二子制冷器件12，第一子制冷器件11和第二子制冷器件12与薄膜晶体管器件一一对应设置，且分别位于薄膜晶体管器件的两侧，即一个薄膜晶体管器件同时对应一个第一子制冷器件11和一个第二子制冷器件12，相当于薄膜晶体管器件被第一子制冷器件11和第二子制冷器件12包围。由于第一子制冷器件11和第二子制冷器件12均为单独的制冷器件，可以进一步提升薄膜晶体管器件的降温效果。
121.在一个具体的实施例中，如图8所示，第一子制冷器件11为垂直型结构，第一子制冷器件11具体包括依次层叠设置的第四电极103c、第五半导体结构103b、第六半导体结构104b和第五电极106b。其中，第四电极103c复用第一栅极层204，即第四电极103c与第一栅极结构采用同样的工艺步骤制备形成；第五电极106b复用第二栅极层206，即第五电极106b与第二栅极结构采用同样的工艺步骤制备得到。
122.需要说明的是，本实施例中的第二子制冷器件12与第一子制冷器件11的结构相同。因此，本实施例对第二子制冷器件12的结构不作详细赘述。
123.基于上述各实施例的内容，参阅图2～图8，开关器件层远离基底层10的一侧设置有平坦化层301、阳极层302、像素定义层303以及隔垫物层304。其中，像素定义层303对应于阳极层302的区域设置有像素开口。
124.需要说明的是，由于平坦化层301、阳极层302、像素定义层303以及隔垫物层304均与现有技术中的结构相同，可以参考现有结构，本技术实施例中不作详细赘述。
125.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括：本技术实施例中前述的显示基板。其中，显示装置可以是显示器、电视、手机或者平板电脑等电子设备。
126.本实施例提供的显示装置，包括了前述实施例中的显示基板，通过在基底层10与开关器件层之间设置制冷功能层、或者与开关器件层同层设置制冷功能层，利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，改善了显示基板的产品品质；同时，在极冷环境中，还可以通过控制电流方向，提升显示基板的温度，增强客户体验感。
127.基于同一发明构思，如图9所示，本技术实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：
128.s100，提供一基底层。
129.s200，在基底层的一侧制备制冷功能层；制冷功能层包括多个制冷器件。
130.s300，制冷功能层背离基底层的一侧制备开关器件层；开关器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管器件，制冷器件在基底层上的正投影与薄膜晶体管器件在基底层上的正投影至少部分重叠。
131.基于同一发明构思，如图10所示，本技术实施例还提供了另一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：
132.s101，提供一基底层。
133.s201，在基底层的一侧制备开关器件层和制冷功能层，制冷功能层与开关器件层同层设置，制冷功能层包括多个制冷器件，制冷器件位于薄膜晶体管器件的周边。
134.本实施例提供的显示基板的制备方法，通过在基底层与开关器件层之间设置制冷功能层、或者与开关器件层同层设置制冷功能层，利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，改善了显示基板的产品品质；同时，在极冷环境中，还可以通过控制电流方向，提升显示基板的温度，增强客户体验感。
135.本技术上述各实施例至少具有以下技术效果：
136.1、通过在基底层与开关器件层之间设置制冷功能层、或者与开关器件层同层设置制冷功能层，利用制冷器件对薄膜晶体管器件进行局部降温，避免了薄膜晶体管因为发热引起的器件退化，提升了器件的热稳定性，改善了显示基板的产品品质；同时，在极冷环境中，还可以通过控制电流方向，提升显示基板的温度，增强客户体验感。
137.2、通过制冷器件与薄膜晶体管器件一一对应设置，并且每个制冷器件可以单独控制，有利于实现对薄膜晶体管器件的精准降温，进一步减缓薄膜晶体管器件因发热引起的退化。
138.3、第二电极、第一半导体结构、第二半导体结构和第一电极依次层叠设置，第一电极位于第二半导体结构远离所述基底层的一侧，即制冷器件为垂直型结构，垂直型结构的制冷器件整体体积较小，可以节省空间。
139.4、当制冷器件与薄膜晶体管器件同层设置时，同属于第二电极的第一子电极和第二子电极位于同一膜层，且都复用第一栅极层，在制备栅极层时一并形成第一子电极和第二子电极，第一子电极和第二子电极采用与第一栅极层相同的材料，从而节省了工艺步骤，降低了生产成本。
140.5、第一引出电极和第二引出电极复用源漏电极层，即在制备源漏电极层时一并形成第一引出电极和第二引出电极，第一引出电极和第二引出电极的材料与源漏电极层的材料相同，从而节省了工艺步骤，降低了生产成本。
141.6、利用第三半导体结构和第四半导体结构的导体化区域作为导电电极，节省了电极的制备工艺，同时合理控制了制冷器件的设计尺寸，节省了空间。
142.7、薄膜晶体管器件同时对应一个第一子制冷器件和一个第二子制冷器件，相当于薄膜晶体管器件被第一子制冷器件和第二子制冷器件包围。由于第一子制冷器件和第二子
制冷器件均为单独的制冷器件，可以进一步提升薄膜晶体管器件的降温效果。
143.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
144.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
145.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
146.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
147.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。