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沟道
一种轴承沟道磨削装置的制作方法
本发明涉及轴承加工领域,尤其涉及一种轴承沟道磨削装置。
标签:
轴承
沟道
磨削
装置
加工
2023-10-21
一种轴承沟道磨削装置的制作方法
本发明涉及轴承加工领域,尤其涉及一种轴承沟道磨削装置。
标签:
轴承
沟道
磨削
装置
加工
2023-10-21
三维半导体存储器件和包括其的电子系统的制作方法
本发明构思涉及三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统,具体地,涉及包括垂直沟道结构的非易失性三维半导体存储器件、制造该非易失性三维半导体存储器件的方法和包括该非易失性三维半导体存储器件的电子系统。
标签:
半导体
器件
沟道
电子系统
构思
2023-07-05
三维半导体存储器件和包括其的电子系统的制作方法
本发明构思涉及三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统,具体地,涉及包括垂直沟道结构的非易失性三维半导体存储器件、制造该非易失性三维半导体存储器件的方法和包括该非易失性三维半导体存储器件的电子系统。
标签:
半导体
器件
沟道
电子系统
构思
2023-06-17
一种用于电缆沟道交叉处的电缆渡槽的制作方法
本实用新型涉及电缆沟道结构技术领域,特别涉及一种用于电缆沟道交叉处的电缆渡槽。
标签:
沟道
电缆
渡槽
结构
交叉处
2023-04-06
一种深沟比大的轴承沟道测量装置的制作方法
本发明涉及一种沟道测量装置,具体涉及一种深沟比大的轴承沟道测量装置。
标签:
沟道
深沟
测量
装置
轴承
2023-04-03
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.本公开涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
标签:
半导体
装置
专利申请
韩国
沟道
2023-04-01
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107127号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.发明构思涉及半导体装置和/或制造其的方法,并且更具体地,涉及包括氧化物半导体沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造其的方法。
标签:
半导体
韩国
装置
专利申请
沟道
2023-04-01
一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构的制作方法
本实用新型涉及感应器技术领域,具体为一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构。
标签:
感应器
沟道
感应
表面
结构
2023-04-01
一种深沟比大的轴承沟道测量装置的制作方法
本发明涉及一种沟道测量装置,具体涉及一种深沟比大的轴承沟道测量装置。
标签:
沟道
深沟
测量
装置
轴承
2023-03-27
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.本公开涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
标签:
半导体
装置
专利申请
韩国
沟道
2023-03-25
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107127号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.发明构思涉及半导体装置和/或制造其的方法,并且更具体地,涉及包括氧化物半导体沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造其的方法。
标签:
半导体
韩国
装置
专利申请
沟道
2023-03-25
一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构的制作方法
本实用新型涉及感应器技术领域,具体为一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构。
标签:
感应器
沟道
感应
表面
结构
2023-03-25
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.本公开涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
标签:
半导体
装置
专利申请
韩国
沟道
2023-03-16
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107127号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.发明构思涉及半导体装置和/或制造其的方法,并且更具体地,涉及包括氧化物半导体沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造其的方法。
标签:
半导体
韩国
装置
专利申请
沟道
2023-03-16
一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构的制作方法
本实用新型涉及感应器技术领域,具体为一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构。
标签:
感应器
沟道
感应
表面
结构
2023-03-16
一种深沟比大的轴承沟道测量装置的制作方法
本发明涉及一种沟道测量装置,具体涉及一种深沟比大的轴承沟道测量装置。
标签:
沟道
深沟
测量
装置
轴承
2023-03-08
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.本公开涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
标签:
半导体
装置
专利申请
韩国
沟道
2023-03-06
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107127号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.发明构思涉及半导体装置和/或制造其的方法,并且更具体地,涉及包括氧化物半导体沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造其的方法。
标签:
半导体
韩国
装置
专利申请
沟道
2023-03-06
一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构的制作方法
本实用新型涉及感应器技术领域,具体为一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构。
标签:
感应器
沟道
感应
表面
结构
2023-03-06
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.本公开涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
标签:
半导体
装置
专利申请
韩国
沟道
2023-03-02
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107127号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.发明构思涉及半导体装置和/或制造其的方法,并且更具体地,涉及包括氧化物半导体沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造其的方法。
标签:
半导体
韩国
装置
专利申请
沟道
2023-03-02
一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构的制作方法
本实用新型涉及感应器技术领域,具体为一种推力球轴承沟道表面感应淬火的感应器优化结构。
标签:
感应器
沟道
感应
表面
结构
2023-03-01
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.本公开涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体装置。
标签:
半导体
装置
专利申请
韩国
沟道
2023-02-26
半导体装置的制作方法
半导体装置本技术要求于2021年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0107127号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域2.发明构思涉及半导体装置和/或制造其的方法,并且更具体地,涉及包括氧化物半导体沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造其的方法。
标签:
半导体
韩国
装置
专利申请
沟道
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