清洗剂组合物以及清洗方法与流程

技术特征：
1.一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物包含季铵盐和溶剂，所述溶剂仅由有机溶剂形成，所述有机溶剂包含n，n，n’，n’－四(烃)脲。2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其特征在于，所述n，n，n’，n’－四(烃)脲为n，n，n’，n’－四烷基脲。3.根据权利要求2所述的清洗剂组合物，其特征在于，所述n，n，n’，n’－四烷基脲的四个烷基相互独立地为碳原子数1～5的烷基。4.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其中，所述n，n，n’，n’－四(烃)脲包含选自n，n，n’，n’－四甲基脲和n，n，n’，n’－四乙基脲中的至少一种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洗剂组合物，其中，所述清洗剂组合物还包含除了n，n，n’，n’－四(烃)脲以外的有机溶剂。6.根据权利要求5所述的清洗剂组合物，其中，所述除了n，n，n’，n’－四(烃)脲以外的有机溶剂包含非质子性有机溶剂。7.根据权利要求6所述的清洗剂组合物，其中，所述非质子性有机溶剂包含选自二醇系溶剂、醚系溶剂、芳香族系溶剂以及内酰胺化合物系溶剂中的至少一种。8.根据权利要求1～7中任一项所述的清洗剂组合物，其中，相对于所述溶剂，n，n，n’，n’－四(烃)脲的量为10质量％以上。9.根据权利要求1～8中任一项所述的清洗剂组合物，其特征在于，所述季铵盐为含卤素季铵盐。10.根据权利要求9所述的清洗剂组合物，其特征在于，所述含卤素季铵盐为含氟季铵盐。11.根据权利要求10所述的清洗剂组合物，其特征在于，所述含氟季铵盐为氟化四(烃)铵。12.根据权利要求11所述的清洗剂组合物，其中，所述氟化四(烃)铵包含选自四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丙基氟化铵以及四丁基氟化铵中的至少一种。13.一种清洗方法，其特征在于，使用权利要求1～12中任一项所述的清洗剂组合物，将残存于基体上的粘接剂残留物去除。14.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，在加工后将半导体基板剥离；以及第四工序，利用清洗剂组合物，对残存于剥离后的半导体基板上的粘接剂残留物进行清洗去除，
在所述制造方法中，使用权利要求1～12中任一项所述的清洗剂组合物作为所述清洗剂组合物。

技术总结
本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物包含季铵盐和溶剂，上述溶剂仅由有机溶剂形成，上述有机溶剂包含N，N，N’，N’－四(烃)脲。－四(烃)脲。


技术研发人员：荻野浩司 奥野贵久 柄泽凉 新城彻也
受保护的技术使用者：日产化学株式会社
技术研发日：2020.03.11
技术公布日：2021/10/29