体声波谐振器的制作方法

技术特征：
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：谐振器盖体，与体声波谐振结构的一侧连接，形成第一空腔；所述体声波谐振结构，另一侧与谐振器载体连接；所述谐振器载体，包括牺牲层、截止边界层和衬底；所述截止边界层位于所述牺牲层和所述衬底之间；所述截止边界层形成位于所述牺牲层内的第一凸起和第二凸起，所述谐振器载体通过所述第一凸起、所述第二凸起与所述体声波谐振结构围合形成第二空腔。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器盖体形成有凹槽；所述谐振器盖体通过所述凹槽与所述体声波谐振结构形成所述第一空腔。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器盖体在所述凹槽外围的部分设置有第一通孔和第二通孔；第一金属层位于所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述谐振器盖体的表面上；第二金属层位于所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述谐振器盖体的表面上；所述第一金属层穿过所述第一通孔连接所述体声波谐振结构；所述第二金属层穿过所述第二通孔连接所述体声波谐振结构。4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器盖体包括：盖板，通过第一键合层与所述体声波谐振结构连接；所述第一键合层，被限定为中空结构，所述第一键合层的中空部分被限定为所述谐振器盖体的凹槽。5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振结构，包括：氮化铝层，设置有第三通孔；第一导通层，通过所述第三通孔连接上电极层；所述第一金属层穿过所述第一通孔与所述第一导通层连接；所述上电极层，位于所述氮化铝层与压电层之间；所述压电层，一端与所述上电极层连接，所述压电层的另一端暴露于所述上电极层外，所述压电层未与所述上电极层接触的部分设置有第四通孔；第二导通层，通过所述第四通孔连接下电极层；所述第二金属层穿过所述第二通孔与所述第二导通层连接；所述下电极层，位于所述压电层远离所述上电极层的一侧，所述压电层的一端与所述下电极层连接，所述压电层的另一端暴露于所述下电极层外；所述压电层远离所述上电极层的一侧且未与所述下电极层接触的部分，连接所述牺牲层和所述第一凸起；下电极边缘凸点层，位于所述下电极层与钝化层之间；所述钝化层部分置于所述下电极层上，部分置于所述下电极边缘凸点层上，所述钝化层连接所述牺牲层和所述第二凸起。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器载体还包括第二键合层；所述第二键合层位于所述截止边界层与所述衬底之间。7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二键合层由二氧化硅、氮化硅或有机膜材料制成。8.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一键合层由二氧化硅、氮化硅、有机膜材料和硅酸乙酯中的一种或多种制成。9.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述盖板由硅、碳硅、氧化铝或二
氧化硅制成。10.根据权利要求1至9任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述衬底是由氧化硅、三氧化二铝、碳硅、多晶硅、非晶硅和单晶硅材料中的一种或多种组合制成。11.根据权利要求1至9任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述截止边界层由氮化硅、氮化铝、多晶硅或非晶硅制成。

技术总结
本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种体声波谐振器，包括：谐振器盖体、体声波谐振结构、谐振器载体；谐振器盖体与体声波谐振结构的一侧连接形成第一空腔；体声波谐振结构另一侧与谐振器载体连接；谐振器载体包括牺牲层、截止边界层和衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成第二空腔，使得谐振器的衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题。产生寄生导电沟道问题。产生寄生导电沟道问题。


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2021/10/28