一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路的制作方法

技术特征：
1.一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性scr器件，其特征在于，包括p型衬底；在所述p型衬底上从左到右依次设置且相邻接的第一p阱、n阱和第二p阱；所述第一p阱的表面区域间隔设置有第一p型重掺杂区和第一n型重掺杂区；所述n阱的表面区域间隔设置有第二n型重掺杂区和第二p型重掺杂区；所述第二p阱的表面区域间隔设置有第三n型重掺杂区和第三p型重掺杂区；且所述n阱与所述第二p阱的邻接处跨接有第四n型重掺杂区；所述第二n型重掺杂区和所述第二p型重掺杂区均与一个阳极端口相连；所述第一p型重掺杂区、所述第三n型重掺杂区和所述第三p型重掺杂区均与一个阴极端口相连；所述n阱位于所述第二p型重掺杂区和所述第四n型重掺杂区之间的表面上设有第一栅氧化层；所述第一栅氧化层的左侧边缘与所述第二p型重掺杂区的右侧边缘连接；所述第一栅氧化层的右侧边缘与所述第四n型重掺杂区的左侧边缘连接；所述第二p阱位于所述第三n型重掺杂区和所述第四n型重掺杂区之间的表面上设有第二栅氧化层；所述第二栅氧化层的右侧边缘与所述第三n型重掺杂区的左侧边缘连接；所述第二栅氧化层的左侧边缘与所述第四n型重掺杂区的左侧边缘连接；所述第一栅氧化层的上表面和所述第二栅氧化层的上表面均与所述第二n型重掺杂区连接。2.根据权利要求1所述的低触发高鲁棒性scr器件，其特征在于，所述第一p型重掺杂区、所述第一n型重掺杂区、第二p型重掺杂区、所述第二n型重掺杂区、第三p型重掺杂区、所述第三n型重掺杂区和所述第四n型重掺杂区均呈条状排布。3.根据权利要求2所述的低触发高鲁棒性scr器件，其特征在于，所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层均呈条状设置。4.根据权利要求2所述的低触发高鲁棒性scr器件，其特征在于，所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层中至少有一个采用比例分割排布。5.一种保护电路，其特征在于，包括被保护电路以及设置在所述被保护电路上的权利要求1
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4任一项所述低触发高鲁棒性scr器件。

技术总结
本发明提供一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路，通过第一N型重掺杂区、第一P阱、N阱以及与阳极端口连接的第二P型重掺杂区构成了第一个SCR器件；通过与阳极端口连接的第二P型重掺杂区、第二P阱、N阱以及与阴极端口连接的第三N型重掺杂区构成了第二个SCR器件；同时通过第二P阱、N阱、第一栅氧化层、第二栅氧化层构成了RC电路；通过第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二栅氧化层构成了寄生NMOS器件，提高了SCR器件的可控性和运行可靠性。行可靠性。行可靠性。


技术研发人员：冯永 刘继之 李健儿 胡仲波 李慕轩
受保护的技术使用者：四川上特科技有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2021/10/28