技术特征：
1.一种c/tic/tin/tialn复合涂层的制备装置，其特征在于：包括磁过滤弧光放电与射频等离子体共沉积装置，由弧光放电等离子体装置、射频等离子体装置、磁过滤筛选装置和反应腔室四部分组成；其中反应腔室作为反应发生的容器，位于设备的中心位置，其两侧通过两个磁过滤筛选装置分别连接弧光放电等离子体装置和射频等离子体装置，磁过滤筛选装置将两侧装置产生的等离子体引入到反应腔室内部的反应基底上方进行沉积。2.根据权利要求1所述的c/tic/tin/tialn复合涂层的制备设备，其特征在于：所述射频等离子体装置为常规设备，由射频电源和靶材组成，射频电源位于靶材正上方，靶材为含碳/含氮气体。3.根据权利要求1所述c/tic/tin/tialn复合涂层的制备设备，其特征在于：所述弧光放电等离子体装置为常规设备，由弧光放电电源和靶材组成，弧光放电电源位于靶材上方，靶材为c/ti/al材料。4.根据权利要求1所述c/tic/tin/tialn复合涂层的制备设备，其特征在于：所述磁过滤筛选装置，固态和气态靶材经过上述两种等离子体装置后，再通过磁过滤筛选装置去除直径超过1μm的大颗粒。5.根据权利要求1所述c/tic/tin/tialn复合涂层的制备设备，其特征在于：所述弧光放电等离子体装置、射频等离子体装置和磁过滤筛选装置之间通过管道连接，各管道之间的连接通过焊接密封。6.一种如权利要求1所述的c/tic/tin/tialn复合涂层制备设备的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、制备c涂层：在弧光放电等离子体装置装置中引入固体碳源，在弧光放电作用下产生碳等离子体，同时在射频装置中引入含碳气体，在射频作用下产生碳等离子体；分别通过磁过滤筛选两种碳等离子体，去除其中直径超过1μm大颗粒，两种等离子体混合后形成结构为sp2杂化的c等离子体，继而沉积在反应基底上形成c涂层；步骤2、制备c/tic复合涂层：在弧光放电等离子体装置装置中引入固体钛源，在弧光放电作用下产生钛等离子体，同时在射频装置中引入含碳气体，在射频电源作用下产生碳等离子体，并分别通过磁过滤筛选去除直径超过1μm的大颗粒，形成的ti等离子体和c等离子体发生反应，共沉积在前述c涂层表面形成c/tic复合涂层；步骤3、制备c/tic/tin复合涂层：在弧光放电等离子体装置装置中引入固体钛源，在弧光放电作用下产生钛等离子体，同时引入含氮气体在射频电源作用下产生等离子体，并分别通过磁过滤筛选去除直径超过1μm的大颗粒，形成的ti等离子体和n等离子体发生反应，共沉积在c/tic层表面形成c/tic/tin复合涂层；步骤4、制备c/tic/tin/tialn复合涂层：在弧光放电等离子体装置装置中引入固体铝源和固体钛源在弧光放电作用下产生等离子体，通过磁过滤筛选去除直径超过1μm的大颗粒形成al等离子体和ti等离子体，同时引入含氮气体在射频电源作用下产生n等离子体，n等离子体与al等离子体和ti等离子体发生反应，共沉积在c/tic/tin复合涂层表面形成c/tic/tin/tialn复合涂层。7.根据权利要求6所述的c/tic/tin/tialn复合涂层制备设备的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，首先将铝箔清洗后固定在反应基座上作为反应基底。
技术总结
本发明公开了一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层制备装置及其方法。本发明提出的装置主要包括弧光放电等离子体装置、射频等离子体装置和磁过滤筛选装置三部分，充分组合利用三部分的技术优势，从而达到制备优质涂层的目的。本发明提供的复合涂层的制备方法，包括以下步骤：将固态源进行弧光放电后得到弧光放电等离子体；将气态源进行射频处理后得到射频等离子体；将所述两种等离子体经过磁过滤去除较大颗粒后共沉积在基底表面，从而得到复合涂层。本发明提供的制备方法为制备不同成分的复合涂层提供了新的合成思路，且制备得到的复合涂层材料具有高均匀性，高致密性以及优异的机械性能。能。能。
技术研发人员：陈子博 吴强 张婷 何倩 焦云飞 韩旭然 陈剑宇 应世强 李谊 马延文
受保护的技术使用者：南京亿浦先进材料研究院有限公司
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/10/26
再多了解一些
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