等离子体处理装置的制作方法

技术特征：
1.一种等离子体处理装置，包括：工艺腔室；电极连接部，结合于所述工艺腔室的上端部，并且至少包括第一子电极连接部和第二子电极连接部，所述第二子电极连接部具有与所述第一子电极连接部的厚度不同的厚度并在水平方向上与所述第一子电极连接部邻近；电极板，结合于所述电极连接部，并且根据所述电极连接部的下表面的阶梯差而弯曲，从而具有至少一部分弯曲的下表面；以及基座，与所述电极板隔开而支撑基板。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部及所述电极板包括金属。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部及所述电极板包括铝。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部及所述电极板包括相同的物质。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部还包括：第三子电极连接部，与所述第二子电极连接部隔开并与所述第一子电极连接部邻近，其中，所述第一子电极连接部具有大于所述第二子电极连接部和所述第三子电极连接部的厚度的厚度。6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部还包括：第三子电极连接部，与所述第二子电极连接部隔开并与所述第一子电极连接部邻近，其中，所述第一子电极连接部具有小于所述第二子电极连接部和所述第三子电极连接部的厚度的厚度。7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部还包括：第三子电极连接部，与所述第一子电极连接部隔开并与所述第二子电极连接部邻近，其中，所述第一子电极连接部具有大于所述第二子电极连接部的厚度的厚度，所述第二子电极连接部具有大于所述第三子电极连接部的厚度的厚度。8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一子电极连接部具有与水平方向平行的下表面，所述第二子电极连接部具有相对于所述水平方向而倾斜的下表面。9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二子电极连接部的与所述第一子电极连接部邻近的第一端部具有与所述第一子电极连接部的厚度相同的厚度，与所述第一端部相反的第二端部具有小于所述第一端部的厚度的厚度。10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一子电极连接部及所述第二子电极连接部中的至少一个的与所述电极板邻近的边角具有弧形形状。
11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一子电极连接部和所述第二子电极连接部通过凹凸结构而结合。12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极板的下表面的至少一部分包括凸出的曲面。13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极板的下表面的至少一部分包括凹陷的曲面。14.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极板包括用于喷射工艺气体的气孔。15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一子电极连接部及所述第二子电极连接部中的每一个包括：缓冲区域，连接于所述气孔而输送所述工艺气体。16.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述工艺气体包括沉积气体。17.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极板与用于形成等离子体的电源电连接。18.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基座与用于将等离子体离子引入到所述基板的偏压电源电连接。19.一种等离子体处理装置，包括：工艺腔室；电极连接部，结合于所述工艺腔室的上端部，并且包括具有阶梯差的下表面；电极板，结合于所述电极连接部的下表面，并且根据所述电极连接部的下表面的阶梯差而弯曲；以及基座，与所述电极板隔开而支撑基板。20.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极连接部至少包括：第一子电极连接部；第二子电极连接部，具有与所述第一子电极连接部的厚度不同的厚度，并且在水平方向上与所述第一子电极连接部邻近。

技术总结
本发明涉及一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：工艺腔室；电极连接部，结合于所述工艺腔室的上端部；电极板，结合于所述电极连接部；以及基座，与所述电极板隔开而支撑基板。所述电极连接部至少包括第一子电极连接部和第二子电极连接部，所述第二子电极连接部具有与所述第一子电极连接部的厚度不同的厚度并在水平方向上与所述第一子电极连接部邻近。所述电极板根据所述电极连接部的下表面的阶梯差而弯曲，从而具有至少一部分弯曲的下表面。面。面。


技术研发人员：金仁敎 高锡珍 郑石源 许明洙
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.03.11
技术公布日：2021/10/26