半导体结构加工设备的制作方法

1.本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构加工设备。


背景技术：

2.在半导体器件的制造过程中，通常用到多种沉积技术在半导体基板上沉积多层材料，例如，通过化学气相沉积(cvd)方法在半导体基板上沉积材料层是制造半导体器件的工艺中的关键步骤。化学气相沉积通过在反应腔室内将反应气体生成成等离子体，并发生化学反应生成固态产物沉积在半导体基板上。
3.然而，在实际生产中，由于工艺设备硬件的某些原因，导致形成的材料膜层质量较差，影响半导体器件的良率。因此，如何提高设备的成膜质量，一直是半导体器件制造中需要改善的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构加工设备。
5.根据本公开实施例，提供一种半导体结构加工设备，包括：
6.容腔；
7.托盘，位于所述容腔内；
8.所述设备还包括：
9.承载台，位于所述容腔内，用于承载所述托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于所述承载台上，且在以所述托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，所述第二轴盘和所述第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；
10.和/或，
11.喷头，位于所述容腔内，且位于所述托盘上方，包括：扩散腔、以及与所述扩散腔连通的出气孔；所述扩散腔，用于容纳气体；其中，所述气体通过所述出气孔进入所述容腔内；
12.测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿所述扩散腔，且所述测温组件的一端位于所述容腔；其中，所述至少两个阻挡组件与所述测温组件在以所述扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。
13.在一些实施例中，在所述设备包括所述第一轴盘和所述第二轴盘时，所述设备包括偶数个所述托盘；
14.所述承载台相对靠近所述托盘的表面呈中心对称；
15.所述偶数个所述托盘的对称中心，与所述承载台相对靠近所述托盘的表面的对称中心重合；
16.所述第一轴盘，位于所述承载台相对靠近所述托盘的表面的中心，且与每个所述托盘相邻；
17.所述至少两个第二轴盘，位于所述承载台相对靠近所述托盘的表面的边缘。
18.在一些实施例中，所述设备还包括：
19.支撑件，与所述第一轴盘固定连接，沿平行于所述托盘所在的平面延伸；
20.第一控制器，与所述第一轴盘电连接，用于控制所述第一轴盘旋转，以带动所述支撑件相对所述托盘旋转。
21.在一些实施例中，所述设定范围为：0.75至1.25。
22.在一些实施例中，在所述容腔内，所述阻挡组件与所述测温组件具有相同形状。
23.在一些实施例中，在所述设备包括所述测温组件和所述阻挡组件时，所述设备还包括：
24.进气孔，贯穿所述扩散腔腔体的第一表面，用于安装进气管；其中，所述进气孔的中心与所述扩散腔的中心所在的直线垂直于第一表面；
25.所述出气孔，贯穿所述扩散腔腔体的第二表面；
26.其中，所述扩散腔腔体的第二表面与所述扩散腔腔体的第一表面为相对设置的两个表面，所述扩散腔腔体的第二表面相对靠近所述托盘。
27.在一些实施例中，所述设备还包括：
28.第二控制器，与所述测温组件电连接，用于控制所述测温组件开启或关断；
29.所述测温组件，用于在处于开启状态时，检测所述容腔内的温度，获得检测结果。
30.在一些实施例中，所述喷头，包括：面板和连接结构；其中，所述扩散腔位于所述面板中，所述出气孔贯穿所述面板相对靠近所述托盘的表面；所述连接结构的一端活动连接所述面板，所述连接结构的另一端固定连接所述容腔腔体的顶表面；
31.所述第二控制器，与所述面板电连接，用于调整所述面板所在平面与所述托盘所在平面的夹角。
32.在一些实施例中，所述面板相对靠近所述托盘的表面包括：相邻设置的第一部分和第二部分；
33.所述第二控制器，分别与所述第一部分以及所述第二部分电连接，用于调整所述第一部分所在平面与所述托盘所在平面的第一夹角，还用于调整所述第二部分所在平面与所述托盘所在平面的第二夹角；其中，所述第一夹角不同于所述第二夹角。
34.在一些实施例中，所述设备还包括：
35.加热组件，位于所述托盘相对远离所述测温组件的表面，用于加热所述托盘；
36.所述第二控制器，与所述加热组件电连接，用于在所述检测结果大于预设温度范围时，减小所述加热组件的加热功率；
37.所述第二控制器，还用于在所述检测结果小于所述预设温度范围时，增大所述加热组件的加热功率。
38.在一些实施例中，所述设备还包括：
39.暂存腔室，用于暂存半导体结构；
40.移动组件，位于所述暂存腔室中，用于在所述暂存腔室和所述容腔之间移动所述半导体结构；
41.第三控制器，与所述移动组件电连接，用于根据所述移动组件的端部在所述容腔中位置和所述半导体结构在所述容腔中的位置，控制所述移动组件在所述暂存腔室和所述容腔之间移动。
42.在一些实施例中，在所述设备包括所述喷头时，所述气体包括：产生氮化硅的第一
气体；和/或，产生正硅酸乙酯的第二气体。
43.本公开实施例，一方面通过在托盘周围设置至少两个第二轴盘，与第一轴盘均匀分布在托盘周围，使托盘周围的阻抗均衡，减少因托盘周围阻抗不均衡对托盘上方的等离子气体分布的影响，从而提高在半导体结构上成膜的均匀性。
44.另一方面，本公开实施例通过至少两个阻挡组件，与测温组件均匀分布在以喷头中扩散腔的中心为圆心的同一圆周上，以平衡测温组件的在扩散腔中对反应气体均匀扩散的阻碍影响，使得扩散腔中的反应气体能在扩散腔内均匀分布并从出气口均匀喷出到达半导体结构表面，从而提高半导体结构上成膜的均匀性。
附图说明
45.图1a和图1b为根据一示例性实施例示出的一种半导体结构加工设备的局部示意图；
46.图2为根据一示例性实施例示出的一种半导体结构加工设备的局部俯视示意图；
47.图3a和图3b为根据一示例性实施例示出的半导体结构表面形成的膜的形貌图；
48.图4a和图4b为根据一示例性实施例示出的一种半导体结构加工设备及成膜形貌图；
49.图5至图10为根据一示例性实施例示出的另一种半导体结构加工设备局部示意图；
50.图11为根据一示例性实施例示出的另一种半导体结构加工设备局部调节方法示意图；
51.图12a为根据一示例性实施例示出的另一种半导体结构加工设备局部示意图；
52.图12b为根据一示例性实施例示出的另一种半导体结构加工设备局部调节方法示意图。
具体实施方式
53.以下结合说明书附图及具体实施例对本公开的技术方案做进一步的详细阐述。
54.在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。
55.在本公开实施例中，术语“a与b连接”包含a与b直接连接的情形，或者a、b两者之间还间插有其它部件而a间接地与b连接的情形。
56.在本公开实施例中，术语“层”是指包括具有厚度的区域的材料部分。层可以在下方或上方结构的整体之上延伸，或者可以具有小于下方或上方结构范围的范围。此外，层可以是厚度小于连续结构厚度的均质或非均质连续结构的区域。例如，层可位于连续结构的顶表面和底表面之间，或者层可在连续结构顶表面和底表面处的任何水平面对之间。层可以水平、垂直和/或沿倾斜表面延伸。并且，层可以包括多个子层。
57.可以理解的是，本公开中的“在
……
上”、“在
……
之上”和“在
……
上方”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在
……
上”不仅表示其“在”某物“上”且其间没有居间特征或层(即直接在某物上)的含义，而且还包括“在”某物“上”且其间有居间特征或层的含义。
58.需要说明的是，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包
含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其它实施方式。
59.3d nand作为一种非易失性存储器，以高集成度和低成本成为一种新兴的存储器得到广泛的应用。3d nand存储器的制造过程包括通过成膜设备(例如cvd设备)在衬底上沿垂直于衬底的方向形成交替层叠的材料层，例如前期制程中在硅衬底上交替沉积氧化物膜(例如氧化硅)和氮化物膜(例如氮化硅)，形成叠层结构(no stack)。
60.图1a和图1b是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构加工设备100的局部示意图。参照图1a示，半导体结构加工设备100包括：承载台101；托盘102，位于承载台101上表面，用于放置半导体结构；轴盘103，连接有手臂；手臂可取放半导体结构。作为示例，图1a中结构包括四个托盘102，在承载台101上表面呈中心对称分布，轴盘103位于对称中心位置，与四个托盘102均相邻，以便取放每个托盘上的半导体结构。
61.参照图1b所示，半导体结构加工设备100还包括：喷头104，位于每个托盘104上方，喷头104内具有气体扩散腔(未示出)，以及分布在喷头104下表面与扩散腔连通的出气孔(未示出)；进气管105与扩散腔连通，用于通入反应气体；测温元件106，贯穿喷头104。
62.半导体结构加工设备100的俯视图参照图2所示，图2示出了测温元件106及轴盘103与托盘102的相对位置关系示意图。从图2可知，每个托盘102的上方均对应设置有一个测温元件106，四个托盘102中心对称分布，共用一个轴盘103。
63.示例性地，半导体结构加工设备100可以是化学气相沉积(cvd)设备，通过该设备在晶圆(wafer)上通过化学气相沉积形成teos(正硅酸乙酯)氧化物膜(以下称作“teos膜”)与氮化硅膜交替层叠的叠层结构(no stack)。
64.在形成每一层材料层(teos膜或氮化硅膜)时，由于受许多因素影响，保证每一层膜的厚度均匀性往往是工艺的难点。
65.在使用半导体结构加工设备100在晶圆上沉积teos膜或氮化硅膜时发现，形成的膜的厚度并不均匀，存在区域性的差异。参照图3a和图3b所示，图3a和图3b分别示出了氮化硅膜和teos膜的形貌，不同深浅的灰度表示不同的厚度。无论对于氮化硅膜还是teos膜，在同一片晶圆表面的不同区域的膜厚差异较大，影响存储器的质量。
66.进一步发现，对于每个托盘102上的晶圆，在测温元件106对应的区域附近形成的膜较其它区域厚，并且在与轴盘103相邻的区域形成的膜厚度也较厚。以轴盘103为例，参照图4a和4b所示，可看到无论是氮化硅膜还是teos膜，在晶圆上与轴盘103相邻的区域形成的膜厚度均较大。
67.化学气相沉积工艺是通过将反应气体等离子化，在晶圆表面反应生成固态产物。反应气体从进气管105进入喷头104的扩散腔中扩散均匀后从喷头底部的出气孔出来，经等离子体化后在晶圆表面形成氮化硅膜或者teos膜。由于扩散腔是一个对称的结构，测温元件106贯穿扩散腔，影响反应气体在扩散腔内分布的均匀性，从而影响等离子气体在晶圆表面的密度分布的均匀性，导致形成的膜厚度不均匀。
68.另一方面，由于每个托盘102只与一个轴盘103相邻，且轴盘103的组成材料包括金属，对于每个托盘102来说，周围的阻抗分布并不均衡，影响位于托盘102上的晶圆上方的等离子气体的密度分布的均匀性，从而影响晶圆表面成膜的厚度均匀性。
69.图5是根据本公开实施例示出的一种半导体结构加工设备200的局部示意图。参照5所示，半导体结构加工设备200包括：
70.容腔；
71.托盘202，位于容腔内；
72.承载台201，位于容腔内，用于承载202托盘；
73.第一轴盘203和至少两个第二轴盘204，位于承载台201上，且在以托盘202的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值在设定范围内。
74.示例性地，容腔可包括处理腔室，容腔里可设置多个托盘202，位于承载台201的上表面，用于放置半导体结构(例如晶圆)，以便可以在一个容腔内同时进行多个半导体结构的加工。
75.示例性地，托盘202的形状可包括圆形，第一轴盘203的组成材料包括金属。每个托盘202的周围分布着至少两个第二轴盘204，且第二轴盘204和第一轴盘203的中心在以托盘202的中心为圆心的同一圆周上均匀分布，例如以等弧长的间距分布，以使每个托盘202周围的阻抗均衡或者接近均衡。
76.示例性地，第二轴盘204和第一轴盘203的组成材料及形状大小可相同或者不相同，但每个第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值在预设范围内。
77.在一些实施例中，第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值的设定范围为：0.75至1.25。例如，第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值可以为0.8、0.9、1、1.1或1.2等。
78.第二轴盘204具有与第一轴盘203接近的阻抗，包括：第二轴盘204的阻抗与第一轴盘203的阻抗相同，即第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值为1；或者，第二轴盘204比第一轴盘203的阻抗略大一点，例如，第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值为1.1；或者，第二轴盘204比第一轴盘203的阻抗略小一点，例如，第二轴盘204和第一轴盘203的阻抗比值为0.9。可以理解的是，第二轴盘204的阻抗与第一轴盘203的阻抗接近程度越高时，对托盘202周围的阻抗均衡性的调控效果越好。
79.本公开实施例，通过在托盘周围设置至少两个第二轴盘，与第一轴盘均匀分布在托盘周围，且第二轴盘与第一轴盘的阻抗比值在设定范围内，能够提高托盘周围的阻抗均衡性，减少因托盘周围阻抗不均衡对托盘上方的等离子气体分布的影响，从而提高在半导体结构上成膜的均匀性。
80.图6是根据本公开实施例示出的一种半导体结构加工设备200的局部示意图。参照6所示，半导体结构加工设备200包括：
81.容腔；
82.托盘202，位于容腔内；
83.喷头205，位于所述容腔内，且位于托盘202上方，包括：扩散腔、以及与扩散腔连通的出气孔；扩散腔，用于容纳气体；其中，气体通过出气孔进入容腔内；
84.测温组件206和至少两个阻挡组件207，分别贯穿扩散腔，且测温组件206的一端位于容腔；其中，至少两个阻挡组件207与测温组件206在以扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。
85.示例性地，每个托盘202的上方均配置有喷头205，用于喷出反应气体对半导体结
构进行加工。喷头205内包含气体扩散腔，气体从外部进入扩散腔并在扩散腔内扩散均匀，并从喷头205底部与扩散腔连通的出气孔喷出。
86.示例性地，测温组件206和阻挡组件207在以扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布，例如以等弧长的间距均匀分布。例如参照图7所示，托盘202为圆形，扩散腔的中心与托盘202的圆心的连线垂直于托盘202所在的平面，两个阻挡组件207与测温组件206在托盘202上的投影，在以托盘202的圆心为圆心的同一个圆周上均匀分布，两个阻挡组件207与测温组件206在托盘202上的投影的连线可构成等边三角形(图7中测温组件206和阻挡组件207相对托盘202的位置关系只作示意)。需要强调的是，阻挡组件207位于容腔内的端部，与测温组件206位于容腔内的端部在垂直于托盘202的方向齐平，即具有相同的高度。
87.在一些实施例中，在容腔内，阻挡组件207与测温组件206具有相同形状。需要说明的是，阻挡组件207与测温组件206具有相同形状，包括具有相同的立体外观形状及相同的尺寸大小。
88.当阻挡组件207与测温组件206的组成材料包括绝缘材料时，阻挡组件207与测温组件206的组成材料可以不相同，但二者的形状相同。
89.当阻挡组件207与测温组件206的组成材料包括导电材料时，阻挡组件207与测温组件206具有相同的形状和阻抗。
90.一方面，阻挡组件207与测温组件206在扩散腔中均匀对称分布，可平衡测温组件206在扩散腔内对气体均匀扩散的阻挡效应。
91.另一方面，当阻挡组件207与测温组件206的组成材料包括导电材料时，阻挡组件207可与测温组件206在喷头中形成均衡的阻抗。
92.在一些实施例中，测温组件206的一端相对于喷头205向托盘202凸出，从而靠近托盘202以便探测托盘202上方的温度。这种情况下，在等离子气体从喷头上的出气孔喷出后，测温组件206的凸出的端部对托盘202上方的等离子气体的均匀扩散分布也会产生不利影响。此时，阻挡组件207还可以平衡测温组件206对从喷头喷出的等离子气体的阻碍效应，进一步降低测温组件206对托盘上方等离子气体均匀扩散的不利影响，提高等离子气体分布的均匀性。
93.示例性地，测温组件206可包括热电偶或热敏电阻等，用于检测反应气体对半导体结构的加工温度，阻挡组件207可以包括与测温组件206相同的结构，但不用于检测温度。
94.或者，阻挡组件207也具有与测温组件206相同的功能，此时可根据测温组件206和阻挡组件207检测的温度值的平均值来指示反应气体对半导体结构的加工温度。
95.本公开实施例通过设置至少两个阻挡组件，与测温组件均匀分布在以喷头中扩散腔的中心为圆心的同一圆周上，以平衡测温组件的在扩散腔中对反应气体均匀扩散的阻碍影响，并能与测温组件在喷头中形成均衡的阻抗，使得扩散腔中的反应气体能在扩散腔内均匀分布并从出气口均匀喷出到达半导体结构表面，从而提高半导体结构上成膜的均匀性。
96.需要强调的是，在一些实施例中，半导体结构加工设备200可同时包括：第一轴盘、至少两个第二轴盘、喷头、测温组件和至少两个阻挡组件。在该方案中，通过至少两个第二轴盘和至少两个阻挡组件的双重作用，能进一步提高托盘上方等离子气体分布的均匀性，从而进一步提高半导体结构上成膜的均匀性。
97.在一些实施例中，参照图5所示，在半导体结构加工设备200包括第一轴盘203和第二轴盘204时，所述设备包括偶数个托盘202；
98.承载台201相对靠近所述托盘的表面呈中心对称；
99.偶数个托盘202的对称中心，与承载台201相对靠近所述托盘的表面的对称中心重合；
100.第一轴盘203，位于承载台201相对靠近所述托盘的表面的中心，且与每个托盘202相邻；
101.至少两个第二轴盘204，位于承载台201相对靠近托盘202的表面的边缘。
102.示例性地，承载台201的上表面设置有2n(n为正整数)个托盘202，呈中心对称均匀分布在承载台201的上表面，承载台201的上表面也呈中心对称，托盘202构成的中心对图形的对称中心与承载台201的对称中心重合，这样有利于提高设备空间的利用率。第一轴盘203位于承载台201上表面的中心(即对称中心)并与每个托盘202相邻，有利于提高半导体结构在各个托盘202之间转运的效率。
103.示例性地，半导体结构加工设备200包括两个第二轴盘204，第二轴盘204可位于承载台201上表面的边缘处，并与托盘202相邻，与第一轴盘203均匀分布在托盘202的周围。
104.在一些实施例中，参照图8所示，半导体结构加工设备200还包括：
105.支撑件208，与第一轴盘203固定连接，沿平行于托盘202所在的平面延伸；
106.第一控制器209，与第一轴盘202电连接，用于控制所述第一轴盘203旋转，以带动支撑件208相对托盘202旋转。
107.示例性地，支撑件208可包括与第一轴盘203固定连接的机械手臂，用于取放半导体结构。第一控制器209控制第一轴盘的运动，包括升降运动和旋转运动，从而控制支撑件208将半导体结构在托盘之间转运。
108.在一些实施例中，参照图9所示，在半导体结构加工设备200包括测温组件206和阻挡组件207时，设备200还包括：
109.进气孔211，贯穿扩散腔210腔体的第一表面210a，用于安装进气管212；其中，进气孔211的中心与扩散腔210的中心所在的直线垂直于第一表面210a；
110.出气孔213，贯穿所述扩散腔腔体的第二表面210b；
111.其中，扩散腔210腔体的第二表面210b与扩散腔腔体的第一表面210a为相对设置的两个表面，扩散腔210腔体的第二表面210b相对靠近托盘。
112.示例性地，扩散腔210呈圆形，进气孔211位于扩散腔210中心的正上方，以确保气体进入扩散腔210后从中央往四周均匀扩散。进气孔211与进气管212的直径适配并密封连接，气体经进气管212与进气孔211进入扩散腔210内。
113.出气孔213均匀分布在扩散腔210腔体的第二表面210b，与扩散腔210连通，以使扩散腔210内的气体均匀的喷出。
114.在一些实施例中，参照图9所示，在半导体结构加工设备200包括：
115.第二控制器214，与测温组件206电连接，用于控制测温组件206开启或关断；
116.测温组件206，用于在处于开启状态时，检测容腔内的温度，获得检测结果。
117.在半导体结构的加工过程中，第二控制器213控制测温组件206开启，检测半导体结构上方的温度。在半导体结构的加工结束后，第二控制器213控制测温组件206关闭。
118.示例性地，第二控制器214可控制测温组件206按需开启和关闭，第二控制器214可与托盘上半导体结构的感应器连接，当感应器感应到托盘上存在半导体结构时，第二控制器214控制测温组件206开启。当感应器感应到托盘上不存在半导体结构时，第二控制器214控制测温组件206关闭。这样，有利于节约能源。
119.在一些实施例中，参照图10所示，喷头包括：面板215和连接结构216；其中，扩散腔位于面板215中，出气孔贯穿面板215相对靠近托盘202的表面；连接结构216的一端活动连接面板215，连接结构216的另一端固定连接容腔腔体的顶表面；
120.第二控制器214，与面板215电连接，用于调整面板215所在平面与托盘202所在平面的夹角。
121.示例性地，连接结构216可用于调节面板215与托盘202之间的距离，当对托盘上的半导体结构进行加工时，面板215靠近半导体结构；当需要将半导体结构从托盘上转移时，面板215远离半导体结构。
122.第二控制器214还与面板215相连接，可调整面板215相对托盘202的水平度或者倾斜度，以调节面板215不同区域与半导体结构之间的相对距离。半导体结构上形成的膜厚与半导体结构与面板215的距离有关，当距离较远时形成的膜较薄，当距离较大时形成的膜较厚。因此，可通过调节面板215不同区域与半导体结构之间的相对距离，来调节半导体结构上不同区域形成的膜厚，可以提高调节膜后的灵活度。
123.在一些实施例中，参照图11所示，面板215相对靠近托盘202的表面包括：相邻设置的第一部分和第二部分；
124.第二控制器，分别与所第一部分以及所述第二部分电连接，用于调整所述第一部分所在平面与托盘202所在平面的第一夹角，还用于调整所述第二部分所在平面与托盘202所在平面的第二夹角；其中，所述第一夹角不同于所述第二夹角。
125.示例性地，面板215的下表面可包括两个部分，每个部分可单独调节倾斜度，通过调节每个部分与托盘202所在平面的夹角可调节出气孔与半导体结构之间的距离。在另一些实施例中，面板215的下表面可包括多个可单独调节倾斜度的部分，以调节面板下表面不同部分与半导体结构之间的距离。
126.受许多因素的影响，半导体结构上不同区域形成的膜厚存在差异，在本实施例中，通过将面板215分成不同的部分，每个部分可单独调节相对于托盘所在平面的倾斜角度，以调节面板215不同区域相对于半导体结构的距离。具体地，将半导体结构上成膜较厚的区域对应的面板215的部分向远离半导体结构的方向调节，将半导体结构上成膜较薄的区域对应的面板215的部分向靠近半导体结构的方向调节，从而控制半导体结构上不同区域的膜的厚度，该方式控制的灵活度较高，可作为辅助手段调节半导体结构上膜厚度的均匀性。
127.在一些实施例中，参照图10所示，半导体结构加工设备200还包括：
128.加热组件217，位于托盘202相对远离所述测温组件的表面，用于加热托盘202；
129.第二控制器214，与加热组件217电连接，用于在测温组件的检测结果大于预设温度范围时，减小加热组件217的加热功率；
130.第二控制器214，还用于在测温组件的检测结果小于预设温度范围时，增大加热组件217的加热功率。
131.示例性地，半导体结构的加工在一定的温度范围内进行，通过加热托盘202进而加
热半导体结构，因此半导体结构的温度大小可通过调节加热组件217的功率来控制。
132.当测温组件检测到的温度低于预设温度范围的下限时，第二控制器214控制加热组件217增大加热功率。当测温组件检测到的温度高于预设温度范围的上限时，第二控制器214控制加热组件217减小加热功率，以保证半导体结构在加工时处于加工温度范围内。
133.示例性地，在一些实施例中，加热组件217位于托盘202的下表面。在另一些实施例中，加热组件217还可以位于托盘202内部，即位于托盘202的上表面与下表面之间。
134.在一些实施例中，参照图12a所示，半导体结构加工设备200还包括：
135.暂存腔室218，用于暂存半导体结构；
136.移动组件219，位于暂存腔室218中，用于在暂存腔室218和容腔220之间移动半导体结构；
137.第三控制器221，与所述移动组件电连接，用于根据移动组件219的端部在容腔220中位置和半导体结构在所述容腔中的位置，控制移动组件219在暂存腔室218和容腔220之间移动；其中，指示信息，还用于指示半导体结构在所述容腔中的位置。
138.示例性地，半导体结构在进入容腔220之前，先在暂存腔室218缓存，第三控制器221根据移动组件219的端部在容腔220中位置和半导体结构在所述容腔中的位置信息，控制移动组件219将半导体结构移动到指定容腔220的目标托盘202上。
139.示例性地，参照图12b所示，第三控制器221还控制移动组件219将半导体结构放置在托盘202上的位置坐标，通过调整移动组件219在x方向和y方向上的移动距离来调整半导体结构放置在托盘202上的位置，x方向和y方向均平行于托盘202的上表面。
140.示例性地，可通过调节半导体结构的位置，使半导体结构在托盘上的位置偏离调整位置前成膜较厚的区域，从而降低半导体结构上不同区域膜厚的差异性。
141.在一些实施例中，在半导体结构加工设备200包括喷头时，喷头喷出的气体包括：产生氮化硅的第一气体；和/或，产生正硅酸乙酯的第二气体。
142.示例性地，制造3d nand存储器时，在半导体衬底上形成氮化硅层和正硅酸乙酯氧化物层的叠层结构，第一气体包括：氮源气体和硅源气体，例如硅烷(sih4)和氨气(nh4)。
143.第二气体包括：正硅酸乙酯(si(oc2h5)4)。正硅酸乙酯层经加热可形成氧化硅和其它挥发性副产物。
144.以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。