一种晶圆级封装方法及其封装结构与流程

技术特征：
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆中形成有多个第一芯片；提供多个第二芯片，将多个所述第二芯片键合于临时衬底上；在所述第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构；将所述第一芯片和所述第二芯片相对设置并将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，以将所述第一芯片和所述第二芯片电连接；其中，所述第一芯片、所述第一环形电连接结构、所述第二环形电连接结构和所述第二芯片围成空腔；去除所述临时衬底；在多个所述第二芯片以及所述第二芯片露出的所述第一环形电连接结构、所述第二环形电连接结构和所述器件晶圆上形成覆盖封装层。2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构，包括：在所述第一芯片上形成第一环形导电层，并在所述第一环形导电层上形成环形金属层，所述第一环形导电层和所述环形金属层作为所述第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形导电层作为所述第二环形电连接结构。3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，包括：将所述环形第二导电层键合在所述环形金属层上。4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构，包括：在所述第一芯片上形成第一环形导电层作为第一环形电连接结构，在所述第二芯片上形成第二环形导电层，并在所述第二环形导电层上形成环形金属层，所述第二环形导电层和所述环形金属层作为第二环形电连接结构。5.如权利要求4所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，包括：将所述环形金属层键合在所述第一环形导电层上。6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在所述第二芯片上形成第二环形电连接结构，包括：在所述第一芯片上形成第一环形导电层作为第一环形电连接结构，在所述第二芯片上形成第二环形导电层作为所述第二环形电连接结构。7.如权利要求6所述的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构键合在一起，包括：将所述第二环形导电层键合于所述第一环形导电层上。8.如权利要求2
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7任意一项所述晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一环形导电层和所述第二环形导电层采用沉积和刻蚀工艺形成。9.如权利要求2或4所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述环形金属层通过电镀工艺形成。10.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一环形电连接结构和所
述第二环形电连接结构采用熔融键合的方式键合在一起。11.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第二芯片通过粘合剂接合层或使用静电结合工艺与所述临时衬底临时键合。12.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成所述封装层之后，还包括：减薄所述器件晶圆的背面，在减薄后的所述器件晶圆的背面中形成通孔互连结构。13.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：器件晶圆，所述器件晶圆上形成有多个第一芯片，在所述第一芯片上形成有第一环形电连接结构；多个第二芯片，所述第二芯片位于所述第一芯片的上方，在所述第二芯片靠近所述第一芯片的一侧形成有第二环形电连接结构；所述第一环形电连接结构远离所述第一芯片的一侧表面与所述第二环形电连接结构远离所述第二芯片的一侧表面键合，所述第一环形电连接结构和所述第二环形电连接结构用于所述第一芯片和所述第二芯片电连接，所述第一芯片、所述第一环形电连接结构、所述第二环形电连接结构和所述第二芯片围成空腔；封装层，包覆多个所述第二芯片、多个所述第一环形电连接结构、多个所述第二环形电连接结构和器件晶圆。14.如权利要求13所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一环形电连接结构包括形成于所述第一芯片上的第一环形导电层和形成于所述第一环形导电层上的环形金属层；所述第二环形电连接结构包括位于形成于所述第二芯片上的第二环形导电层；所述环形金属层与所述第二环形导电层键合。15.如权利要求13所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一环形电连接结构包括形成于所述第一芯片连接的第一环形导电层；所述第二环形电连接结构包括形成于所述第二芯片上的第二环形导电层和形成于所述第二环形导电层上的环形金属层；所述第一环形导电层和所述金属层键合。16.如权利要求13所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一环形电连接结构包括形成于所述第一芯片上的第一环形导电层；所述第二环形电连接结构包括形成于所述第二芯片上的第二环形导电层；所述第一环形导电层和所述第二环形导电层键合。17.如权利要求14
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16任意一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一环形导电层和所述第二环形导电层采用沉积和刻蚀方法形成。18.如权利要求14或15所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述环形金属层通过电镀方法形成。19.如权利要求13所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装层包括注射成型层。

技术总结
本发明提供一种晶圆级封装方法及其封装结构包括：提供器件晶圆，器件晶圆中形成有多个第一芯片；提供多个第二芯片，将多个第二芯片键合于临时衬底上；在第一芯片上形成第一环形电连接结构，并在第二芯片上形成第二环形电连接结构；将第一芯片和第二芯片相对设置并将第一环形电连接结构和第二环形电连接结构键合在一起，以将第一芯片和第二芯片电连接；其中，第一芯片、第一环形电连接结构、第二环形电连接结构和第二芯片围成空腔；去除临时衬底；在多个第二芯片以及第二芯片露出的第一环形电连接结构、第二环形电连接结构和器件晶圆上形成覆盖封装层简化了封装工艺。在原适应的封装场合中增加了可用于具有空腔结构的封装场合，提高了其利用率。提高了其利用率。提高了其利用率。


技术研发人员：蔺光磊
受保护的技术使用者：芯知微（上海）电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2021/10/23