一种显示面板、显示装置以及制作方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示装置以及制作方法。


背景技术：

2.有源矩阵有机电致发光器件(amoled，active matrix organic light emitting device)具有自发光(无需背光源)，宽视角、低功耗、柔性(折叠、卷曲)显示等优点，是目前最具前景的显示技术之一。随着传统oled显示产品的日趋普及，消费者立足省电和长时间续航，对低功耗尤为看重；同时可折叠可卷曲屏幕的发展使3d贴合技术、弯折区域的色偏和亮度等特性确保等方面的难度不断攀升。
3.现有的oled显示器件，一般为中小尺寸的顶发射结构的oled器件，为确保屏幕在不同外界环境下的对比度，减小其对环境光的反射，目前发光封装层的上方一般采用偏光片(pol，polarizer film)来确保屏幕的显示效果。目前偏光片的厚度一般为50～150微米，其厚度相对较厚弯折性很较差，反复弯折会出现明显的折痕，更无法实现屏幕卷曲，这大大限制了oled屏幕的使用范围。另外，pol的透过率(tr)相对较差，一般在38％～46％的水平，这同样不利于实现oled器件的低功耗和长寿命。以上两点不足的存在，不利于oled技术的进一步发展和应用。


技术实现要素：

4.为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种显示面板，包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层、发光器件层、封装层和彩膜层，所述发光器件层包括阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，
5.还包括设置在所述衬底上的调整层，用于调整所述发光器件层的各子像素的出光角度以使得所述各子像素的出光角度大于预设置的角度阈值。
6.在一个具体实施例中，所述调整层包括第一调整子层和第二调整子层；
7.所述彩膜层包括：
8.与所述各子像素的发光材料对应的第一彩色滤光片；
9.作为所述第一调整子层的黑矩阵，所述黑矩阵环绕所述第一彩色滤光片，相邻所述第一彩色滤光片之间的黑矩阵在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值；以及
10.设置在所述黑矩阵远离所述衬底一侧的作为所述第二调整子层的第一触控结构层；其中
11.所述黑矩阵在所述衬底上的正投影覆盖所述第一触控结构层在所述衬底上的正投影。
12.在一个具体实施例中，所述第一触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于所述预设宽度阈值；
13.所述第一触控结构层包括设置在所述黑矩阵上的第一触控结构子层和作为所述
第二调整子层的覆盖所述第一触控结构子层的不透明的辅助膜层，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值；
14.或者
15.所述第一触控结构层包括设置在所述黑矩阵上的不透明的第二触控结构子层，所述第二触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
16.在一个具体实施例中，所述调整层包括第三调整子层；
17.所述彩膜层包括：
18.与所述各子像素的发光材料对应的第二彩色滤光片；以及
19.作为所述第三调整子层的不透明的第二触控结构层，所述第二触控结构层环绕所述第二彩色滤光片，相邻所述第二彩色滤光片之间的第二触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值。
20.在一个具体实施例中，所述第二触控结构层包括设置在所述封装层上的第三触控结构子层和作为所述第三调整子层的覆盖所述第三触控结构子层的不透明的辅助膜层，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值；
21.或者
22.所述第二触控结构层包括设置在所述封装层上的不透明的第四触控结构子层，所述第四触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
23.在一个具体实施例中，所述调整层包括第四调整子层和第五调整子层；
24.所述发光器件层包括：
25.所述各子像素的发光材料；以及
26.环绕所述发光材料的且作为所述第四调整子层的不透明像素界定层，
27.所述不透明像素界定层的反射率小于等于预设反射率阈值；
28.所述彩膜层包括：
29.与所述各子像素的发光材料对应的第三彩色滤光片；以及
30.作为所述第五调整子层的不透明的第三触控结构层，所述第三触控结构层环绕所述第三彩色滤光片，相邻所述第三彩色滤光片之间的第三触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于预设宽度阈值；
31.所述不透明像素界定层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三触控结构层在所述衬底上的正投影。
32.在一个具体实施例中，所述第三触控结构层包括设置在所述封装层上的第五触控结构子层和作为所述第五调整子层的覆盖所述第五触控结构子层的不透明的辅助膜层，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值；
33.或者
34.所述第三触控结构层包括设置在所述封装层上的不透明的第六触控结构子层，所述第六触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
35.在一个具体实施例中，所述辅助膜层为导电材料或非导电材料。
36.在一个具体实施例中，所述辅助膜层为碳化物薄膜、黑色聚酰亚胺树脂材料、石墨、金属氧化物材料中的一种。
37.本发明第二个实施例提供一种显示装置，包括如上述的显示面板。
38.本发明第三个实施例提供一种制作上述显示面板的方法，包括：
39.在衬底上依次层叠形成驱动电路层、发光器件层、封装层和彩膜层，其中所述发光器件层包括阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，还包括：
40.在衬底上形成调整层，所述调整层用于调整所述发光器件层的各子像素的出光角度以使得所述各子像素的出光角度大于预设置的角度阈值。
41.在一个具体实施例中，所述调整层包括第一调整子层和第二调整子层；所述在衬底上形成调整层进一步包括：
42.在所述封装层上形成作为第一调整子层的黑矩阵；
43.在所述封装层上形成与所述各子像素的发光材料对应的第一彩色滤光片，所述黑矩阵环绕所述第一彩色滤光片，并且相邻所述第一彩色滤光片之间的黑矩阵在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值；
44.在所述黑矩阵上形成作为所述第二调整子层的第一触控结构层，其中所述黑矩阵在所述衬底上的正投影覆盖所述第一触控结构层在所述衬底上的正投影。
45.在一个具体实施例中，所述调整层包括第三调整子层；所述在衬底上形成调整层进一步包括：
46.在所述封装层上形成作为所述第三调整子层的不透明的第二触控结构层；
47.在所述封装层上形成与所述各子像素的发光材料对应的第二彩色滤光片，所述第二触控结构层环绕所述第二彩色滤光片，并且相邻所述第二彩色滤光片之间的第二触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值。
48.在一个具体实施例中，所述调整层包括第四调整子层和第五调整子层；所述在衬底上形成调整层进一步包括：
49.在所述发光器件层上形成作为所述第四调整子层的不透明像素界定层，所述不透明像素界定层限定各子像素的发光材料，所述不透明像素界定层的反射率小于等于预设反射率阈值；
50.在所述封装层上形成作为所述第五调整子层的不透明的第三触控结构层，所述不透明像素界定层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三触控结构层在所述衬底上的正投影；
51.在所述封装层上形成与所述各子像素的发光材料对应的第三彩色滤光片，所述第三触控结构层环绕所述第三彩色滤光片，并且相邻所述第三彩色滤光片之间的第三触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于预设宽度阈值。
52.本发明的有益效果如下：
53.本发明针对目前现有的问题，制定一种显示面板，通过在衬底上设置调整层，使得发光器件层中各子像素的出光角度增加，有效降低了功耗和色偏，能够改善现有技术中显示面板随视角的亮度衰减问题，具有广泛的应用前景。
附图说明
54.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
55.图1示出现有技术中采用偏光片的显示器件的结构示意图；
56.图2示出应用coe技术的amoled显示器的像素结构示意图；
57.图3示出目前显示器常用的一种像素结构的示意图；
58.图4示出有机发光二极管组件中coe结构的彩色滤光膜的亮度衰减(l
‑
decay)示意图；
59.图5示出现有coe结构的显示面板的示意图；
60.图6示出根据本技术的一个实施例的显示面板的结构示意图；
61.图7示出根据本技术的一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图；
62.图8示出根据本技术的又一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图；
63.图9示出根据本技术的又一个实施例的显示面板的结构示意图；
64.图10示出根据本技术的又一个实施例的显示面板的结构示意图；
65.图11示出根据本技术的又一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图；
66.图12示出根据本技术的又一个实施例的显示面板的结构示意图；
67.图13示出根据本技术的又一个实施例的显示面板的结构示意图；
68.图14示出根据本技术的又一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图。
具体实施方式
69.为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
70.需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
71.现有的oled显示器件一般为中小尺寸的顶发射结构的oled器件，为确保显示屏幕在不同外界环境下的对比度并减小其对环境光的反射，如图1所示，通常在封装层14上方设置偏光片16来确保屏幕的显示效果。然而，目前偏光片的厚度一般为50～150微米，其厚度相对较厚导致显示器件的弯折性很差并且反复弯折会出现明显的折痕，无法实现屏幕的卷曲；此外，偏光片的透过率(tr)相对较差，一般为38％～46％，不利于实现oled器件的低功耗和长寿命，极大的限制了oled屏幕的使用范围。
72.现有技术中，通常采用coe(color filter on encapsulation)方案代替如图1所示的偏光片结构是一种有效提高透过率的方法，能够获得更薄的显示屏模组，降低3d贴合的难度，也有利于可折叠可卷曲屏幕的进一步发展。coe技术普遍应用于lcd显示器件中，在底发射的大尺寸oled器件中也有应用。
73.图2为应用coe技术的amoled显示器的像素结构示意图，包括r、g、b子像素的发光区、用于减少反射的黑色薄膜(bm)302，以及像素区域与bm的距离，即bm out 304。图3为目
前显示器常用的一种像素结构，其中，像素单元以rgbg像素结构排列，包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、ps(photo spacer)以及柔性多层集成触控层(fmloc，flexible multilayer on cell)。其中，红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素形成一个像素单元，像素单元包括各子像素的发光功能层，包括有相同的空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、光耦合层(cpl)、封装层等，一般采用开放式掩膜板(open mask)蒸镀。此外各颜色的发光功能层还包括各自的微腔调节层和发光层，采用精细金属掩膜板蒸镀。其中，ps为支撑层，用于蒸镀过程中支撑精细金属掩膜板。
74.图4示出了有机发光二极管组件中coe结构的彩色滤光膜的亮度衰减(l
‑
decay)示意图，从图4中能够看出，bm开口角度越小，l
‑
decay程度越大，光的损失越大，功耗越高。为了减低l
‑
decay和功耗的损失，一般而言我们会调大bm out的距离，然而会影响器件的反射率。coe结构的器件中包括大量金属走线，存在导致panel对比度大幅度降低和色分离现象。
75.具体的，参见图5为现有coe结构的显示面板的示意图，彩膜层包括黑矩阵17和彩色滤光片18，其中，黑矩阵17为黑色光阻挡层，其能够减少光反射增加对比度。具体的，利用彩膜层的黑矩阵17设置在驱动电路层12上方的位置特性，能够遮挡驱动电路层中的金属并降低对外部环境光的反射。与图1所示的偏光片结构的oled发光器件相比，彩膜层的彩色滤光片18(cf，color filter)的透过率更高，一般为60％，因此，图5所示的显示器件的功耗比图1所示的显示器件的功耗低。
76.不同于底发射器件，顶发射的oled器件利用微腔结构来提高效率，其效率一般可以达到底发射oled器件的两倍。微腔结构导致顶发射oled的亮度、色坐标、效率等特性随角度的变化更为敏感，因此，色偏一直是顶发射oled器件中固有的一大难题。图5示出的coe结构虽然具有可以实现屏幕的弯折及蜷曲的特性，但是coe结构为减小环境光反射提高对比度，以及规避子像素出光经coe表面多次反射造成混色，通过彩膜层在非像素区引入黑色矩阵17(bm,black matrix)吸光结构，导致子像素出光随视角的增大亮度衰减更加严重(l
‑
decay,luminance decay)，这进一步加剧了顶发射oled器件使用coe结构的难度。即使不会影响使用者得到显示屏的信息，但是会影响显示的色偏，降低使用者的视觉体验。在使用coe结构中的amoled器件中，bm的使用对光线有很大的遮挡作用，这就导致器件效率下降，减少了滤光片替代pol带来的功耗收益。因此，只有克服coe结构的顶发射oled的以上各种不足，增大出光角度，才能真正的将此技术应用于顶发射oled领域，从而获得更优的显示效果，其中，出光角度为图5中发光材料131与黑矩阵17的连线，记为θ，将θ预设置为角度阈值。
77.为此，本发明的第一个实施例提供了一种显示面板，如图6所示，该显示面板包括：衬底11、依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层12、发光器件层13、封装层14和彩膜层，所述发光器件层13包括阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，还包括设置在所述衬底上的调整层，用于调整所述发光器件层13的各子像素的出光角度以使得所述各子像素的出光角度大于预设置的角度阈值θ。
78.本实施例提供的显示面板，通过在衬底上设置调整层，使得发光器件层中各子像素的出光角度增加，有效降低了功耗和色偏，能够改善现有技术中显示面板随视角的增加亮度衰减问题，具有广泛的应用前景。
79.在本实施例中，衬底11为柔性的pi基板；驱动电路层12包括缓冲buffer层、有源p
‑
si层、栅绝缘gi层、栅极gate层、层间绝缘层ild层、源漏sd层等功能层。显示面板还包括阳
极(anode)层，其阳极结构可以为ito/ag/ito，其中ito为10nm，ag为100nm，也可以为其他反射率较高的阳极结构，本技术对此不作具体限定，本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的设计，在此不再赘述。
80.在一个具体的示例中，如图6所示，
81.所述调整层包括第一调整子层和第二调整子层；
82.所述彩膜层包括与所述各子像素的发光材料131对应的第一彩色滤光片18、黑矩阵17以及第一触控结构层；
83.其中，黑矩阵17用于遮挡驱动电路层12中的金属层，吸收外部环境光，为第一调整子层。黑矩阵17环绕所述第一彩色滤光片18，相邻所述第一彩色滤光片18之间的黑矩阵17在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值，即图6中的l。
84.所述第一触控结构层一方面遮挡其内部的金属层，另一方面以较低反射率反射外部环境光，为第二调整子层。所述第一触控结构层设置在所述黑矩阵17远离所述衬底11的一侧，如图6所示，所述黑矩阵17在所述衬底11上的正投影覆盖所述第一触控结构层在所述衬底上的正投影。
85.与图5相比，本实施例通过调整黑矩阵的位置以增加所述发光器件层的各子像素的出光角度，即在黑矩阵的预设宽度阈值不变的情况下，黑矩阵越靠近衬底则出光角度越大，出光角度为发光材料与黑矩阵连线的夹角，即图6中的θ1，该出光角度θ1大于图5的出光角度θ，即大于预设的角度阈值。
86.在本实施例中，通过在衬底上设置黑矩阵以及第一触控结构层，在确保黑矩阵的宽度不变的情况下，以及对驱动电路层的金属层和触控结构层自身金属的遮挡功能和对外部环境光的吸收功能不变的情况下，使得发光器件层中各子像素的出光角度增加，有效降低了功耗和色偏，能够改善现有技术中显示面板随视角的增加亮度衰减问题。
87.由于黑矩阵已经实现对驱动电路层的金属层的遮挡，而第一触控结构层只需遮挡其内部金属层，因此，在一个可选的示例中，所述第一触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于所述黑矩阵在垂直于衬底方向的截面图中的宽度，如图6所示，即第一触控结构层的宽度l1小于黑矩阵的宽度l。
88.需要说明的是，黑矩阵为网状结构，其宽度与所述显示面板的分辨率成反比例关系，当显示面板的分辨率为400ppi时，黑矩阵的宽度被设置为5～17微米。同时，第一触控结构层的宽度与所述显示面板的分辨率成反比例关系，当显示面板的分辨率为400ppi时，第一触控结构层的宽度被设置为1～15微米。换句话说，当显示面板的分辨率越高，黑矩阵的宽度越小，第一触控结构层的宽度也越小。
89.如图6所示，在一个具体示例中，所述第一触控结构层包括设置在所述黑矩阵上的第一触控结构子层15和作为所述第二调整子层的覆盖所述第一触控结构子层的不透明的辅助膜层19，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值。
90.其中，辅助膜层为不透明膜层，可以为导电材料或非导电材料，优选为黑色材料，本技术对辅助膜层的材料不做限定，能够实现遮挡第一触控结构层内部的金属并降低对外部环境光的反射即可，例如，辅助膜层可以为碳化物薄膜(tiwc)、黑色聚酰亚胺树脂材料、石墨无机材料、金属氧化物材料等，其中，金属氧化物材料可以为四氧化三铁、氧化铜(cuo)；二氧化锰(mno2)等；也可以为氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化钛等带有颜色的材料。
91.需要说明的是，辅助膜层的厚度根据透过率的需求制定，在本实施例中，所述辅助膜层的厚度为10纳米～10微米。
92.在另一个具体的示例中，所述第一触控结构层包括设置在所述黑矩阵17上的不透明的第二触控结构子层，所述第二触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值。
93.在本实施例中，通过采用不透明的第二触控结构子层实现遮挡其内部的金属，并降低对外部环境光的反射。
94.本技术对所述预设反射率阈值的值不做限定，以能够使得辅助膜层或不透明的第二触控子层实现遮挡第一触控结构层中内部的金属并降低外部环境光的反射为设计准则。
95.下面以制作该实施例的显示面板为例进行说明，具体的制作过程如图7所示：
96.s10、在衬底上依次层叠形成驱动电路层、发光器件层、封装层和彩膜层，其中所述发光器件层包括阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素；
97.在本实施例中，首先在衬底上依次层叠形成驱动电路层、发光器件层和封装层。其中，封装层为通过化学气相沉积(cvd)制备的sinx或sinox等无机层，无机层可以为单层或多层，多层无机物之间的有机物可以由喷墨打印的ijp的方法制备。
98.s20、在衬底上形成调整层，所述调整层用于调整所述发光器件层的各子像素的出光角度以使得所述各子像素的出光角度大于预设置的角度阈值。
99.在本实施例中，在封装层上形成作为调整层的彩膜层。
100.在一个具体示例中，所述调整层包括第一调整子层和第二调整子层；如图8所示，所述s20进一步包括：
101.s200、在所述封装层上形成作为第一调整子层的黑矩阵；
102.s202、在所述封装层上形成与所述各子像素的发光材料对应的第一彩色滤光片，所述黑矩阵环绕所述第一彩色滤光片，并且相邻所述第一彩色滤光片之间的黑矩阵在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值；
103.s204、在所述黑矩阵上形成作为所述第二调整子层的第一触控结构层，其中所述黑矩阵在所述衬底上的正投影覆盖所述第一触控结构层在所述衬底上的正投影。
104.在一个具体示例中，在封装层上制备不透光的bm薄膜，bm薄膜的厚度可以为1～5微米，bm薄膜作为第一调整子层，用于调整色偏和降低反射，其能够通过旋涂的方法制成薄膜，利用光刻曝光的方式实现图案化。
105.在各个子像素上方利用旋涂和曝光的方法制备彩色滤光片，即rgb三种颜色的彩膜，彩色滤光片的位置位于发光子像素的周边，用于减少各子像素上方环境光的反射率。
106.进一步，在黑矩阵上方形成第一触控结构层，本实施例中第一触控结构层为不透明的柔性多层集成触控层(fmloc，flexible multilayer on cell)或fmloc层与辅助膜层的复合结构，用于遮挡第一触控结构层内部的金属，并降低对外部环境光的反射。
107.其中，fmloc层一般采用ti/al/ti多层结构结构，本技术对fmloc层的结构不作具体限定，本领域技术人员应当根据实际需要选择适当的结构。本实施例的fmloc层采用双层结构，如表1所示，为本实施例中双层ti/al/ti的fmloc的层间材料及工艺参数示意图。
108.表1
[0109][0110]
本领域技术人员应当理解，图6所示的显示面板为示例性的，在第一触控结构层上方，还能够根据需求制备其他的膜层，例如，盖板cover层、降反层(anti
‑
reflection cover glass)、增透层、微透镜micro
‑
len层等功能层，本技术在此不在赘述。
[0111]
由于本技术实施例提供的制作方法与上述实施例提供的显示面板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。
[0112]
在本实施例中，通过在衬底上设置黑矩阵以及第一触控结构层，使得发光器件层中各子像素的出光角度增加，有效降低了功耗和色偏，能够改善现有技术中显示面板随视角的增加亮度衰减问题。
[0113]
在一个具体的实施例中，如图9所示，
[0114]
调整层包括第三调整子层；
[0115]
彩膜层包括与所述各子像素对应的第二彩色滤光片18以及不透明的第二触控结构层20。
[0116]
其中，第二触控结构层20用于遮挡驱动电路层12中的金属层以及其内部的金属层，吸收外部环境光，具体包括设置在所述封装层14上的第三触控结构子层15和作为所述第三调整子层的覆盖所述第三触控结构子层15的不透明的辅助膜层19，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值，以降低对外部环境光的反射，从而改善色偏。
[0117]
其中，第二触控结构层20为第三调整子层，相邻所述第二彩色滤光片18之间的第二触控结构层20在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值，即l2等于l。
[0118]
在本实施例中，使用不透明的第二触控结构层20代替图6中所示的黑矩阵，能降低光的反射，从而减少因为coe结构必须使用黑矩阵(bm)来降低反射率而带来的色偏问题、大视角亮度衰减等问题，可以实现更好的显示效果。同时在工艺上可以更加简化，减少bm制备这一工艺步骤。
[0119]
在一个具体的示例中，如图9所示，不透明的第二触控结构层20包括第三触控结构子层fmloc层15和覆盖其的作为所述第三调整子层的辅助膜层19，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值，用于遮挡驱动电路层12中的金属层以及第三触控结构子层fmloc层15的金属层，吸收外部环境光，降低色偏，第二触控结构层20的宽度l2等于图5中所示的黑矩阵的宽度l。具体实施方式与前述实施例相类似，在此不再赘述。
[0120]
在另一个具体的示例中，如图10所示，不透明的第二触控结构层20包括不透明的
第四触控结构子层，第四触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值，用于遮挡驱动电路层12中的金属层以及内部的金属层，吸收外部环境光，降低色偏，其中，第四触控结构子层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值，即l3＝l。具体实施方式与前述实施例相类似，在此不再赘述。
[0121]
应当理解，如图9或图10所示的显示面板的出光角度为发光材料131与第二触控结构层20连线的夹角，即θ2；由于不透明的第二触控结构层20相对于图5中的黑矩阵靠近衬底，调整层越靠近衬底则出光角度越大，因此该出光角度θ2大于图5的出光角度阈值θ。
[0122]
需要说明的是，本实施例与前述实施例相同或相似部分可以略写。前述实施例和随之带来的有益效果同样适用于本实施例，因此，相同的部分不再赘述。
[0123]
本实施例通过在衬底上设置不透明的第二触控结构层，使得发光器件层中各子像素的出光角度增加，有效降低了功耗和色偏，能够改善现有技术中显示面板随视角的增加亮度衰减问题，具有广泛的应用前景。
[0124]
在具体的制作过程中，所述调整层包括第三调整子层；如图11所示，所述s20进一步包括：
[0125]
s206、在所述封装层上形成作为所述第三调整子层的不透明的第二触控结构层；
[0126]
s208、在所述封装层上形成与所述各子像素的发光材料对应的第二彩色滤光片，所述第二触控结构层环绕所述第二彩色滤光片，并且相邻所述第二彩色滤光片之间的第二触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度为预设宽度阈值。
[0127]
由于本技术实施例提供的制作方法与上述几种实施例提供的显示面板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。
[0128]
通过在衬底上设置不透明的第二触控结构层，使得发光器件层中各子像素的出光角度增加，有效降低了功耗和色偏，能够改善现有技术中显示面板随视角的增加亮度衰减问题，具有广泛的应用前景。
[0129]
在一个具体的实施例中，如图12所示，
[0130]
调整层包括第四调整层和第五调整层；
[0131]
发光器件层13包括所述各子像素的发光材料131以及环绕发光材料131的不透明像素界定层132；其中，不透明像素界定层131为第四调整子层，所述不透明像素界定层132的反射率小于等于预设反射率阈值，用于遮挡驱动电路层12中的金属层，吸收外部环境光。
[0132]
彩膜层包括与所述各子像素对应的第三彩色滤光片18以及不透明的第三触控结构层21，其中，第三触控结构层环绕21环绕所述第三彩色滤光片18，如图12所示，第三触控结构层具体包括设置在所述封装层上的第五触控结构子层15和作为所述第五调整子层的覆盖所述第五触控结构子层的不透明的辅助膜层19，所述辅助膜层的反射率小于等于预设反射率阈值；相邻所述第三彩色滤光片18之间的第三触控结构层21在垂直于衬底11方向的截面图中的宽度小于预设宽度阈值，即l4小于l。
[0133]
所述不透明像素界定层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三触控结构层在所述衬底上的正投影。具体的，如图12所示，所述不透明像素界定层132在所述衬底11上的正投影覆盖所述第三触控结构层132在所述衬底上的正投影，即所述不透明像素界定层132在垂直于衬底11方向的截面图中的宽度l5大于所述第三触控结构层21在垂直于衬底11方向的截面图中的宽度l4。
[0134]
如图12所示出光角度为发光材料与第三触控结构层连线的夹角，即θ3，由于不透明的第三触控结构层的宽度减小，因此该出光角度θ3大于图2的出光角度θ，即大于预设的角度阈值，也大于前述实施例的出光角度θ1和θ2。
[0135]
在本实施例中，通过将发光器件层的像素界定层设置为不透明像素界定层，在一个优选示例中为黑色，用于遮挡驱动电路层中的金属层，吸收外部环境光；同时通过将替代黑矩阵的不透明的第三触控结构层的宽度减小以增加出光角度，第三触控结构层一方面遮挡其内部的金属层，另一方面以较低反射率反射外部环境光，降低反射率。
[0136]
在一个可选的示例中，如图13所示，所述第三触控结构层包括设置在所述封装层上的不透明的第六触控结构子层，所述第六触控结构子层的反射率小于等于预设反射率阈值，用于遮挡驱动电路层12中的金属层以及内部的金属层，吸收外部环境光，降低色偏，其中，第四触控结构子层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于预设宽度阈值，即l6小于l。
[0137]
所述不透明像素界定层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三触控结构层在所述衬底上的正投影
[0138]
如图13所示出光角度为发光材料与第三触控结构层连线的夹角，即θ3，由于不透明的第三触控结构层的宽度减小，因此该出光角度θ3大于图2的出光角度θ，即大于预设的角度阈值，也大于前述实施例的出光角度θ1和θ2。
[0139]
本实施例通过将发光器件层的像素界定层设置为不透明，在一个优选示例中为黑色，用于遮挡驱动电路层中的金属层，吸收外部环境光；同时通过将替代黑矩阵的不透明的第三触控结构层的宽度减小以增加出光角度，第三触控结构层一方面遮挡其内部的金属层，另一方面以较低反射率反射外部环境光，降低反射率。
[0140]
需要说明的是，本实施例与前述实施例相同或相似部分可以略写。前述实施例和随之带来的有益效果同样适用于本实施例，因此，相同的部分不再赘述。
[0141]
在具体的制作过程中，如图14所示，所述调整层包括第四调整子层和第五调整子层；所述s20进一步包括：
[0142]
s210、在所述发光器件层上形成作为所述第四调整子层的不透明像素界定层，所述不透明像素界定层限定各子像素的发光材料，所述不透明像素界定层的反射率小于等于预设反射率阈值；
[0143]
s212、在所述封装层上形成作为所述第五调整子层的不透明的第三触控结构层，所述不透明像素界定层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三触控结构层在所述衬底上的正投影；
[0144]
s214、在所述封装层上形成与所述各子像素的发光材料对应的第三彩色滤光片，所述第三触控结构层环绕所述第三彩色滤光片，并且相邻所述第三彩色滤光片之间的第三触控结构层在垂直于衬底方向的截面图中的宽度小于预设宽度阈值。
[0145]
由于本技术实施例提供的制作方法与上述几种实施例提供的显示面板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。
[0146]
本实施例通过将像素界定层设置为不透明色，用于遮挡驱动电路层中的金属层以及反射外部环境光，由此第三触控结构层的宽度能够减小，达到进一步增加出光角度的目的，此外，该实施例能够达到简化结构以及简化制作流程的效果。
[0147]
表2示出了本技术与现有pol结构以及现有coe结构的显示器件的色偏、亮度衰减及功耗的对比。具体的，以不同类型进行对比：现有技术中pol结构的功耗为4.1w，现有技术中coe结构的功耗为3.28w，本技术中的功耗为2.88w，可见本技术提出的显示面板相比于现有pol结构以及现有coe结构能够达到降低功耗的效果。相类似的，以视角30
°
为例进行对比，图1示出的现有pol结构在视角30
°
时色偏为3.0，亮度衰减为33％；图5示出的现有coe结构在视角30
°
时的色偏为3.4，亮度衰减为40％；本技术在视角30
°
时的色偏为2.7，亮度衰减为66％，可见本技术提出的显示面板相比于现有coe结构能够达到降低色偏以及改善亮度衰减的效果，相对现有的pol结构可以大幅度降低功耗。
[0148]
表2
[0149][0150]
通过表2，本领域技术人员能够看出，本技术的技术方案通过在衬底上设置调整层，能够调整所述发光器件层的各子像素的出光角度以使得所述各子像素的出光角度大于预设置的角度阈值，有效改善色偏、减少亮度衰减并降低功耗，具有广泛的应用前景。
[0151]
本发明的另一个实施例提供了一种显示装置，包括上述实施例所述的柔性显示面板，并且所述显示装置为电致发光二极管显示装置。所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0152]
需要说明的是，在本发明的描述中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0153]
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。