半导体存储器装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：电极结构，所述电极结构包括堆叠在基板上的多个栅极导电膜；以及沟道阵列，在所述沟道阵列中，穿过所述电极结构的多个沟道柱在第二方向上布置，其中，所述多个沟道柱包括第一柱和第二柱，所述第一柱的最上平面具有第一形状，所述第二柱的最上平面具有第二形状，所述第二形状不同于所述第一形状，并且n个第一柱和n个第二柱在不同于所述第二方向的第一方向上交替布置，其中，n是大于或等于1的自然数。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在所述第一方向上彼此对齐，并且在所述第二方向上以z字形方式布置，并且其中，在所述多个沟道柱中，位于奇数行的所述沟道柱的平面中心在所述第二方向上彼此对齐，并且位于偶数行的所述沟道柱的平面中心在所述第二方向上彼此对齐。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在所述第一方向和所述第二方向中的每一个上彼此对齐，并且其中，所述n个第一柱和所述n个第二柱在所述第二方向上交替布置。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在相对于所述第一方向具有斜度的斜向方向上彼此对齐，并且2n个第一柱和2n个第二柱在所述斜向方向上交替布置。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在相对于所述第一方向具有斜度的斜向方向上彼此对齐，并且各自具有相同最上平面形状的多个沟道柱在所述斜向方向上布置。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一形状包括圆形形状，并且所述第二形状包括具有长轴和短轴的椭圆形形状，并且所述第二形状的所述短轴的长度小于所述第一形状的直径，并且所述第二形状的所述长轴的长度等于或大于所述第一形状的直径。7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述第二形状的所述长轴在所述第二方向上延伸或在相对于所述第一方向具有斜度的斜向方向上延伸。8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，在所述第二方向上位于奇数行的所述第二柱中的每一个的所述第二形状的所述长轴在相对于所述第一方向具有斜度的第一斜向方向上延伸，并且其中，在所述第二方向上位于偶数行的所述第二柱中的每一个的所述第二形状的所述长轴在不同于所述第一斜向方向的第二斜向方向上延伸。9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：所述第一形状包括圆形形状；所述第二形状包括具有长轴和短轴的椭圆形形状；所述多个沟道柱中的每一个的最下平面具有与所述第一形状相同的第三形状；并且所述第三形状的直径等于或小于所述第二形状的所述短轴的长度。10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个沟道柱中的每一个包括：开口部分，所述开口部分被配置为穿过所述电极结构；存储器膜，所述存储器膜形成在所述开口部分的侧壁上以接触所述多个栅极导电膜，
并且包括依次堆叠在所述开口部分中的隧道绝缘膜、电荷捕获膜和阻挡膜；沟道膜，所述沟道膜形成在所述存储器膜上；芯膜，所述芯膜形成在所述沟道膜上，并被配置为部分地间隙填充所述开口部分；以及覆盖膜，所述覆盖膜形成在所述芯膜上并且被配置为间隙填充剩余的所述开口部分，并且电连接到所述沟道膜。11.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：电极结构，所述电极结构包括堆叠在基板上的多个栅极导电膜；以及沟道阵列，在所述沟道阵列中，穿过所述电极结构的多个沟道柱在第二方向上以z字形方式布置，其中，所述多个沟道柱包括第一柱和第二柱，所述第一柱的最上平面具有第一形状，所述第二柱的最上平面具有第二形状，所述第二形状不同于所述第一形状，并且在所述沟道阵列的任意一行中，n个第一柱和m个第二柱在不同于所述第二方向的第一方向上交替布置，其中，n是大于或等于1的自然数，并且m是大于或等于2的自然数。12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列的奇数行中，所述n个第一柱和所述m个第二柱在所述第一方向上交替布置，并且在所述沟道阵列的偶数行中，m个第一柱和n个第二柱在所述第一方向上交替布置。13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在所述第一方向上彼此对齐，并且在所述多个沟道柱中，位于奇数行的所述沟道柱的平面中心在所述第二方向上彼此对齐，并且位于偶数行的所述沟道柱的平面中心在所述第二方向上彼此对齐。14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在相对于所述第一方向具有斜度的斜向方向上彼此对齐，并且2n个第一柱和2m个第二柱在所述斜向方向上交替布置。15.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，所述多个沟道柱的平面中心在相对于所述第一方向具有斜度的斜向方向上彼此对齐，并且，各自具有相同最上平面形状的多个沟道柱在所述斜向方向上布置。16.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一形状包括圆形形状，并且所述第二形状包括具有长轴和短轴的椭圆形形状，并且所述第二形状的所述短轴的长度小于所述第一形状的直径，并且所述第二形状的所述长轴的长度等于或大于所述第一形状的直径。17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，所述第二形状的所述长轴在所述第二方向上延伸或在相对于所述第一方向具有斜度的斜向方向上延伸。18.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，在所述沟道阵列中，在所述第二方向上位于奇数行的所述第二柱中的每一个的所述第二形状的所述长轴在基于所述第一方向具有斜度的第一斜向方向上延伸，并且，在所述第二方向上位于偶数行的所述第二柱中的每一个的所述第二形状的所述长轴在不同于所述第一斜向方向的第二斜向方向上延伸。19.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中：所述第一形状包括圆形形状；
所述第二形状包括具有长轴和短轴的椭圆形形状；所述多个沟道柱中的每一个的最下平面具有与所述第一形状相同的第三形状；并且所述第三形状的直径等于或小于所述第二形状的所述短轴的长度。20.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个沟道柱中的每一个包括：开口部分，所述开口部分被配置为穿过所述电极结构；存储器膜，所述存储器膜形成在所述开口部分的侧壁上以接触所述多个栅极导电膜，并且包括依次堆叠在所述开口部分中的隧道绝缘膜、电荷捕获膜和阻挡膜；沟道膜，所述沟道膜形成在所述存储器膜上；芯膜，所述芯膜形成在所述沟道膜上，并且被配置为部分地间隙填充所述开口部分；以及覆盖膜，所述覆盖膜形成在所述芯膜上并且被配置为间隙填充剩余的所述开口部分，并且电连接到所述沟道膜。

技术总结
一种半导体存储器装置可以包括：电极结构，该电极结构包括堆叠在基板上的多个栅极导电膜；以及沟道阵列，其中，穿过电极结构的多个沟道柱在第二方向上布置。多个沟道柱包括最上平面具有第一形状的第一柱和最上平面具有第二形状的第二柱。N(N是大于或等于1的自然数)个第一柱和N个第二柱可以在不同于第二方向的第一方向上交替布置。第一方向上交替布置。第一方向上交替布置。


技术研发人员：郑盛旭 郑帐喜
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2020.08.14
技术公布日：2021/10/22