一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，该装置包括：上腔体(15)、太赫兹倍频器基板和下腔体(16)；上腔体(15)和下腔体(16)相对放置，太赫兹倍频器基板位于上腔体(15)和下腔体(16)之间，上腔体(15)和下腔体(16)的相对位置处设置主沟道(17)和偏置沟道(18)，将太赫兹倍频器设置在主沟道(17)和偏置沟道(18)内，并用导电胶(12)填满；所述主沟道(17)和偏置沟道(18)之间的倾斜角为65
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85度；通过多个紧固螺钉将上腔体(15)和下腔体(16)，以及设置在其中的太赫兹倍频器基板紧固在一起。2.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述太赫兹倍频基板包括：第一标准波导结构(1)、第二标准波导结构(10)、肖特基势垒二极管对(8)、低通滤波器(6)、输入耦合探针(2)、输出耦合探针(9)、第一石英电路基板(5)、第二石英电路基板(7)、直流偏置滤波器(4)，第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)；输入耦合探针(2)、低通滤波器(6)、肖特基势垒二极管对(8)、输出耦合探针(9)均固定在水平放置的第二石英电路基板(7)上，第二石英电路基板(7)设置在主沟道(17)内；输入耦合探针(2)和低通滤波器(6)相连接，且二者位于第二石英电路基板(7)的前端，输出耦合探针(9)位于第二石英电路基板(7)的末端，低通滤波器(6)与输出耦合探针(9)之间增设第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)；第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)之间增设肖特基势垒二极管对(8)，该肖特基势垒二极管对(8)与第二石英电路基板(7)呈十字交叉状结构；第二石英电路基板(7)的前端还设置第一标准波导结构(1)，第一标准波导结构(1)与输入耦合探针(2)之间增设波导
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微带转换结构，第二石英电路基板(7)的末端还增设设置第二标准波导结构(10)，第二标准波导结构(10)与输出耦合探针(9)之间增设波导
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微带转换结构；第二石英电路基板(7)上倾斜设置第一石英电路基板(5)，第一石英电路基板(5)上设置直流偏置滤波器(4)，直流偏置滤波器(4)的输入端与低通滤波器(6)的输入端键合金丝(3)相连接。3.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述第二石英电路基板(7)与第一石英电路基板(5)之间的倾斜角度为65
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85度。4.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述第一标准波导(1)和第二标准波导(10)均为标准矩形波导；所述第一标准波导(1)采用型号为wr10的标准矩形波导；所述第二标准波导(10)采用型号为wr3.4的标准矩形波导。5.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述直流偏置滤波器(4)和低通滤波器(6)均采用高低阻抗线结构。6.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述第一石英电路基板(5)与第二石英电路基板(7)均为平面微带线结构；第一石英电路基板(5)与第二石英电路基板(7)的厚度均为50um,且第一石英电路基板(5)与第二石英电路基板(7)上的微带线厚度均为3um。7.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述
输入耦合探针(2)和输出耦合探针(9)均为e面探针。8.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述肖特基势垒二极管对(8)包括：第一肖特基变容管(81)和第二肖特基变容管(82)；第一肖特基变容管(81)和第二肖特基变容管(82)相对设置；第一肖特基变容管(81)的一端通过导电胶(12)粘接在操场形沟道(84)的上半圆形沟道(11)上，第二肖特基变容管(82)的一端通过导电胶(12)粘接在操场形沟道(84)的下半圆形沟道(83)上；第一肖特基变容管(81)的另一端和第二肖特基变容管(82)的另一端相对设置，且通过导电胶(12)粘接在一起。9.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)均为阶跃阻抗结构。10.一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器的制备方法，该方法包括：上腔体(15)和下腔体(16)的相对位置处增设主沟道(17)和偏置沟道(18)；将输入耦合探针(2)、低通滤波器(6)、肖特基势垒二极管对(8)、输出耦合探针(9)均固定在水平放置的第二石英电路基板(7)上，输入耦合探针(2)和低通滤波器(6)相连接，且二者位于第二石英电路基板(7)的前端，输出耦合探针(9)位于第二石英电路基板(7)的末端，低通滤波器(6)与输出耦合探针(9)之间增设第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)；第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)之间增设肖特基势垒二极管对(8)，该肖特基势垒二极管对(8)与第二石英电路基板(7)呈十字交叉状结构；第二石英电路基板(7)的前端还设置第一标准波导结构(1)，第一标准波导结构(1)与输入耦合探针(2)之间增设波导
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微带转换结构，第二石英电路基板(7)的末端还增设设置第二标准波导结构(10)，第二标准波导结构(10)与输出耦合探针(9)之间增设波导
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微带转换结构；将第二石英电路基板(7)通过导电胶(12)粘接在主沟道(17)内；第二石英电路基板(7)上倾斜设置第一石英电路基板(5)，第一石英电路基板(5)上设置直流偏置滤波器(4)，将第一石英电路基板(5)通过导电胶(12)粘接在偏置沟道(18)内，直流偏置滤波器(4)的输入端与低通滤波器(6)的输入端键合金丝(3)相连接；通过多个紧固螺钉将上腔体(15)和下腔体(16)紧固在一起。

技术总结
本发明属于太赫兹倍频器技术领域，具体地说，涉及一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，该装置包括：上腔体(15)、太赫兹倍频器基板和下腔体(16)；上腔体(15)和下腔体(16)相对放置，太赫兹倍频器基板位于上腔体(15)和下腔体(16)之间，上腔体(15)和下腔体(16)的相对位置处设置主沟道(17)和偏置沟道(18)，将太赫兹倍频器设置在主沟道(17)和偏置沟道(18)内，并用导电胶(12)填满；所述主沟道(17)和偏置沟道(18)之间的倾斜角为65


技术研发人员：李雨航 张德海 孟进
受保护的技术使用者：中国科学院国家空间科学中心
技术研发日：2021.06.03
技术公布日：2021/10/23