一种超快斜坡扫描脉冲产生电路及产生方法与流程

技术特征：
1.一种超快斜坡扫描脉冲产生电路，其特征在于，所述超快斜坡扫描脉冲产生电路包括于条纹相机的扫描模块中；所述超快斜坡扫描脉冲产生电路，包括：充电电路和放电电路；所述充电电路包括：第一mosfet开关管q1与压控电流源vccs串联接地，第一mosfet开关管q1与压控电流源vccs组成的串联电路分别与第二mosfet开关管q2并联接地，与依次串联的电阻r1、电感l1、偏转板的等效电容c1组成的串联电路并联接地；所述放电电路包括：第三mosfet开关管q3与恒流源串联接地，第三mosfet开关管q3与恒流源组成的串联电路分别与第二mosfet开关管q2并联接地，与依次串联的电阻r1、电感l1、偏转板的等效电容c1组成的串联电路并联接地；当第一mosfet开关管q1导通时，压控电流源vccs对偏转板的等效电容c1进行充、放电，获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲。2.如权利要求1所述的超快斜坡扫描脉冲产生电路，其特征在于，所述超快斜坡扫描脉冲产生电路，还包括：通过调节恒流源的充电电流大小，对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。3.如权利要求2所述的超快斜坡扫描脉冲产生电路，其特征在于，调节恒流源的充电电流大小的方式，包括以下方式中的任一种：通过改变压控电流源vccs的电压，调节恒流源的充电电流大小；通过改变压控电流源vccs的频率，调节恒流源的充电电流大小；通过改变压控电流源vccs的占空比，调节恒流源的充电电流大小。4.一种超快斜坡扫描脉冲产生方法，其特征在于，基于超快斜坡扫描脉冲产生电路，其包括于条纹相机的扫描模块中；当第一mosfet开关管q1导通时，压控电流源vccs对偏转板的等效电容c1进行充、放电，获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲；其中，所述超快斜坡扫描脉冲产生电路，包括：充电电路和放电电路；所述充电电路包括：第一mosfet开关管q1与压控电流源vccs串联接地，第一mosfet开关管q1与压控电流源vccs组成的串联电路分别与第二mosfet开关管q2并联接地，与依次串联的电阻r1、电感l1、偏转板的等效电容c1组成的串联电路并联接地；所述放电电路包括：第三mosfet开关管q3与恒流源串联接地，第三mosfet开关管q3与恒流源组成的串联电路分别与第二mosfet开关管q2并联接地，与依次串联的电阻r1、电感l1、偏转板的等效电容c1组成的串联电路并联接地。5.如权利要求4所述的超快斜坡扫描脉冲产生方法，其特征在于，还包括：通过调节恒流源的充电电流大小，对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。6.如权利要求5所述的超快斜坡扫描脉冲产生方法，其特征在于，调节恒流源的充电电流大小的方式，包括以下方式中的任一种：通过改变压控电流源vccs的电压，调节恒流源的充电电流大小；通过改变压控电流源vccs的频率，调节恒流源的充电电流大小；通过改变压控电流源vccs的占空比，调节恒流源的充电电流大小。

技术总结
本发明公开了一种超快斜坡扫描脉冲产生电路及产生方法，该方法包括：当第一MOSFET开关管Q1导通时，压控电流源VCCS对偏转板的等效电容C1进行充、放电，获得具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲；通过调节恒流源的充电电流大小，对具有快速前、后沿的斜坡扫描脉冲斜率进行调节。本发明采用了一种基于MOSFET全新设计，利用本发明产生的超快斜坡脉冲具有很高的线性度(线性区间可高达96％)，从而解决了传统电路脉冲延时大，电路及元器件耐压幅值要求高，且脉冲重复工作频率受限的问题，其结构紧凑，档位(斜坡脉冲斜率)可根据需求调整，从而不受体积限制等问题。积限制等问题。积限制等问题。


技术研发人员：卢裕 刘震 马梦园 郭常福 王磊 汪文军
受保护的技术使用者：西安中科英威特光电技术有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2021/10/23