体声波谐振器的制作方法

体声波谐振器
1.本技术要求于2020年4月7日提交到韩国知识产权局的第10-2020-0042080号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
2.以下描述涉及体声波谐振器。


背景技术：

3.倒装芯片安装中使用的铜柱(cu pillar)技术是一种常用的技术。然而，cu pillar技术难以应用于例如包括气腔的体声波(baw)谐振器的安装工艺。这是因为该安装工艺必须在不对气腔造成损坏的情况下执行。因此，期望发展促进cu pillar技术应用于baw的结构。


技术实现要素：

4.提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
5.在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分；金属焊盘，连接到所述第一电极和所述第二电极；以及连接构件，连接到所述金属焊盘的上表面。所述连接构件的下端部包括在朝向所述连接构件的下端的方向上直径减小的锥形部，并且所述锥形部的倾斜表面与所述金属焊盘的所述上表面之间的角度为45
°
至80
°
。
6.所述连接构件的上端部可包括具有恒定直径的圆柱形部。所述锥形部可设置在所述圆柱形部的下方。
7.所述锥形部可具有6μm或更大的高度。
8.所述锥形部的底表面的直径可以是60μm或更大。
9.所述连接构件可利用金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金以及铝(al)和铝合金中的任意一种制成，或者利用包含金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金以及铝(al)和铝合金中的任意两种或更多种的材料制成。
10.所述体声波谐振器还可包括设置在所述第一电极与所述压电层之间的插入层。
11.所述体声波谐振器还可包括与所述基板一起形成腔的膜层。
12.所述体声波谐振器还可包括：蚀刻停止部，设置为围绕所述腔；以及牺牲层，设置为围绕所述蚀刻停止部。
13.所述膜层可包括相对于所述基板的上表面倾斜地设置的倾斜部以及设置在有效区域中的平坦部，在所述有效区域中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全都彼此
叠置。
14.所述第二电极可包括设置在所述有效区域的边缘处的框架。所述框架可具有比所述第二电极的其余部分的厚度大的厚度。
15.所述体声波谐振器还可包括设置在所述基板上且在所述腔下方的绝缘层。
16.所述金属焊盘可包括连接到所述第一电极的第一金属焊盘以及连接到所述第二电极的第二金属焊盘。
17.在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分；金属焊盘，连接到所述第一电极和所述第二电极；以及连接构件，连接到所述金属焊盘的上表面。所述连接构件包括：圆柱形部，设置在所述连接构件的上端部处，并且具有恒定的直径；以及锥形部，设置在所述圆柱形部的下方，所述锥形部具有6μm或更大的高度以及在所述锥形部的下端处比在所述锥形部的上端处小的直径。
18.所述锥形部的底表面可与所述金属焊盘的所述上表面接触。
19.所述锥形部的所述底表面的直径可以是60μm或更大。
20.在所述体声波谐振器的截面图中，所述锥形部的底表面的宽度可小于所述金属焊盘的上表面的平坦部分的宽度。
21.通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
22.图1是示出根据实施例的体声波谐振器的示意性截面图。
23.图2是示出图1的a部分的放大图。
24.图3是示出根据实施例的体声波谐振器的示意性截面图。
25.图4是示出图3的b部分的放大图。
26.在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
27.提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本技术的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本技术的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
28.在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为受限于此描述的示例。更确切地说，提供在此描述的示例仅仅为了示出在理解本技术的公开内容后将是显而易见的实施在此描述的方法、设备和/或系统的很多可行的方式中的一些方式。
29.在此，注意到的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在其中包括或实现这种特征的至少一个示例或实施例，而所有示例和实施例不限于此。
30.在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的其他元件。
31.如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
32.尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
33.为了易于描述，在此可使用诸如“在
……
上方”、“在
……
上”、“在
……
下方”、“在
……
下”、“在
……
前方”、“在
……
后方”以及“在
……
侧”的空间关系术语，以描述如图所示的一个元件相对于另一元件的关系。这种空间关系术语意图包含除了图中所描绘的方位以外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“上方”或“上”的元件于是将“在”另一元件“下方”或“下”。因而，术语“在
……
上方”根据装置的空间方位包括上方和下方两种方位。又例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一个元件“前”的元件将相对于另一个元件“后”。因此，根据装置的空间方位，术语“在
……
前方”涵盖前方位和后方位两者。装置也可以以其他方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并且在此使用的空间关系术语将得到相应解释。
34.在此使用的术语仅用于描述各种示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在陈述的特征、数字、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数字、操作、构件、元件和/或它们的组合。
35.由于制造技术和/或公差，如图所示的形状可能发生变型。因此，在此描述的示例不局限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间所发生的形状上的变化。
36.在此描述的示例的特征可按照在理解本技术的公开内容后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本技术的公开内容后将是显而易见的其他构造是可行的。
37.图1是示出根据实施例的体声波谐振器100的示意性截面图。图2是示出图1的a部分的放大图。
38.参照图1和图2，体声波谐振器100可包括例如基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层160、第二电极170、插入层180、钝化层190、金属焊盘200和连接构件210。
39.基板110可以是硅基板。例如，硅晶片或绝缘体上硅(soi)型基板可用作基板110。
40.绝缘层112可设置在基板110的上表面上，并且可将基板110与设置在其上的层和组件电隔离。另外，当在制造工艺中形成腔c时，绝缘层112防止基板110被蚀刻气体蚀刻。
41.在示例中，绝缘层112可利用二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化铝(al2o3)和氮
化铝(aln)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合形成，并且绝缘层112可通过化学气相沉积、rf磁控溅射和蒸镀中的任意一种形成。
42.牺牲层120可形成在绝缘层112上，腔c和蚀刻停止部130可设置在牺牲层120中。腔c可通过在制造期间去除牺牲层120的一部分而形成。因此，因为腔c形成在牺牲层120中，所以第一电极150的设置在牺牲层120的上部上的部分和其他层的设置在牺牲层120的上部上的部分可平坦地形成。
43.蚀刻停止部130沿着腔c的边界设置。蚀刻停止部130被设置为在形成腔c的工艺中防止蚀刻进行到超出腔c区域。
44.膜层140与基板110一起形成腔c。另外，膜层140可利用在去除牺牲层120时与蚀刻气体具有低反应性的材料制成。蚀刻停止部130插入并设置在通过膜层140形成的槽部142中。膜层140可包括相对于基板110的上表面倾斜地设置的倾斜部140a以及设置在有效区域s中的平坦部140b，在有效区域s中，第一电极150、压电层160和第二电极170全都彼此叠置。膜层140可包括具有氮化硅(si3n4)、二氧化硅(sio2)、氧化锰(mno)、氧化镁(mgo)、氧化锆(zro2)、氮化铝(aln)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)和氧化锌(zno)中的任意一种的介电层。
45.利用氮化铝(aln)制成的种子层(未示出)例如可形成在膜层140上。也就是说，种子层可设置在膜层140与第一电极150之间。除了氮化铝(aln)之外，种子层还可利用具有密排六方(hcp)晶体结构的电介质或金属形成。在其中种子层利用金属形成的示例中，种子层可利用钛(ti)形成。
46.第一电极150形成在膜层140上，并且第一电极150的一部分设置在腔c的上部上。此外，第一电极150可被构造为用于分别输入或输出诸如射频(rf)信号等的电信号的输入电极和输出电极中的任意一者。
47.第一电极150可利用例如包含钪(sc)的铝合金材料制成。在其中第一电极150利用包含钪(sc)的铝合金材料制成的示例中，由于机械强度增大，因此高功率反应溅射可以是可能的。在这样的沉积条件下，可防止第一电极150的表面粗糙度增大，并且还可诱导压电层160高取向生长。
48.另外，通过包含钪(sc)，可增大第一电极150的耐化学性，从而补偿当第一电极利用纯铝制成时出现的缺点。此外，可确保例如在制造期间的干蚀刻或湿蚀刻工艺中的工艺稳定性。此外，当第一电极利用纯铝制成时容易发生氧化，但是通过利用包含钪的铝合金材料形成第一电极150可提高化学抗氧化性。
49.然而，本公开不限于以上描述的示例，并且第一电极150可利用诸如钼(mo)或钼(mo)的合金的导电材料形成。另外，例如，第一电极150可利用诸如钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)、铬(cr)或者钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)或铬(cr)的合金等的导电材料形成。
50.压电层160可形成为至少覆盖第一电极150的设置在腔c的上部上的部分。压电层160是被构造为产生将电能转换为弹性波的形式的机械能的压电效应的部分，并且包括例如氮化铝(aln)材料。
51.此外，诸如稀土金属或过渡金属的掺杂剂可掺杂到压电层160中。作为示例，用作掺杂剂的稀土金属可包括钪(sc)、铒(er)、钇(y)和镧(la)中的任意一种或者任意两种或更
多种的任意组合。此外，用作掺杂剂的过渡金属可包括钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钽(ta)和铌(nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。另外，压电层160也可包括作为二价金属的镁(mg)。
52.第二电极170形成为覆盖压电层160的设置在腔c的上部上的至少一部分。第二电极170可被构造为用于分别输入或输出诸如射频(rf)信号等的电信号的输入电极和输出电极中的任意一者。也就是说，当第一电极150被构造为输入电极时，第二电极170被构造为输出电极，并且当第一电极150被构造为输出电极时，第二电极170被构造为输入电极。
53.然而，本公开不限于以上提供的示例，并且第二电极170可利用诸如钼(mo)或钼(mo)的合金的导电材料形成。另外，第二电极170可利用诸如钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)、铬(cr)或者钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)或铬(cr)的合金等的导电材料形成。
54.插入层180设置在第一电极150与压电层160之间。插入层180可利用包括二氧化硅(sio2)、氮化铝(aln)、氧化铝(al2o3)、氮化硅(si3n4)、氧化锰(mno)、氧化镁(mgo)、氧化锆(zro2)、锆钛酸铅(pzt)和砷化镓(gaas)、氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)、氧化锌(zno)等的介电层形成，但是可利用与压电层160的材料不同的材料形成。另外，如有必要，也可将其中设置有插入层180的区域形成为空气空间。空气空间可通过在制造工艺中去除插入层180来实现。
55.作为示例，插入层180可沿着膜层140的表面、第一电极150的表面和蚀刻停止部130的表面设置。插入层180的至少一部分可设置在压电层160与第一电极150之间。
56.钝化层190形成在不包括第一电极150和第二电极170的部分的区域中。钝化层190防止第二电极170和第一电极150在制造工艺期间被损坏。
57.此外，钝化层190的一部分可在最终工艺中通过用于调整频率特性的蚀刻去除。也就是说，可调节钝化层190的厚度。例如，包含氮化硅(si3n4)、二氧化硅(sio2)、氧化锰(mno)、氧化镁(mgo)、氧化锆(zro2)、氮化铝(aln)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)和氧化锌(zno)中的任意一种的介电层可用于形成钝化层190。
58.金属焊盘200形成在第一电极150和第二电极170的其上未形成钝化层的区域上。作为示例，金属焊盘200可利用诸如金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金以及铝(al)、铝合金等的材料制成。例如，铝合金可以是铝-锗(al-ge)合金。
59.金属焊盘200可包括连接到第一电极150的第一金属焊盘202以及连接到第二电极170的第二金属焊盘204。
60.连接构件210连接到金属焊盘200，并且连接构件210的上端部的直径比连接构件210的下端部的直径大。作为示例，连接构件210可包括：圆柱形部211，设置在连接构件210的上端部处并且具有恒定的直径；以及锥形部212，从圆柱形部211延伸，位于连接构件210的下端部处，并且在朝向连接构件210的下端的方向上具有减小的直径。锥形部212的倾斜表面212a与金属焊盘200之间的角度θ可以是45
°
至80
°
。此外，锥形部212的高度h可以是6μm或更大。另外，锥形部212的最小直径(例如，在锥形部212的底端/底表面处的直径)d1可以是60μm或更大。连接构件210的最大直径(例如，圆柱形部211的直径)d2可以是90μm或更大。
61.在连接构件210的制造方法中，首先，将保护性光致抗蚀剂层叠在金属焊盘200上，
然后将种子层层叠在保护性光致抗蚀剂上。此后，层叠用于形成连接构件210的镀覆光致抗蚀剂，并且在镀覆光致抗蚀剂中形成用于形成连接构件210的孔。此后，在形成连接构件210之后，去除镀覆光致抗蚀剂和种子层。此后，通过去除保护性光致抗蚀剂，在连接构件210的下端部处形成锥形部212。
62.因此，通过去除保护性抗蚀剂，在连接构件210的下端部处形成锥形部212。相应地，锥形部212形成为具有6μm或更大的高度(h)，并且锥形部212的倾斜表面212a与金属焊盘200之间的角度θ为45
°
至80
°
。
63.作为示例，连接构件210可利用诸如金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金以及铝(al)、铝合金等的材料制成。连接构件210可利用与金属焊盘200的材料相同的材料制成，或者可利用与金属焊盘200的材料不同的材料制成。作为示例，在其中金属焊盘200利用金(au)材料制成的示例中，连接构件210可利用铜(cu)材料制成。
64.如上所述，由于锥形部212设置在连接构件210中，因此可以减小施加到连接构件210的下部的应力以提高可靠性。
65.此外，通过减小连接构件210的连接到金属焊盘200的下端部的直径并增大连接构件210的上端部的直径，即使金属焊盘200的区域不足以安装连接构件210，也可容易地将连接构件210连接到金属焊盘200。
66.图3是示出根据实施例的体声波谐振器300的截面图。图4是示出图3的b部分的放大图。
67.参照图3和图4，体声波谐振器300可包括例如基板310、膜层320、第一电极330、压电层340、第二电极350、钝化层360、金属焊盘370和连接构件380。
68.基板310可以是硅基板。例如，硅晶片或绝缘体上硅型基板可用作基板310。
69.绝缘层312可形成在基板310的上表面上，并且可将基板310与设置在其上的层和组件电隔离。另外，当在制造工艺中形成腔c时，绝缘层312防止基板310被蚀刻气体蚀刻。
70.在示例中，绝缘层312可利用二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化铝(al2o3)和氮化铝(aln)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合形成，并且绝缘层312可通过化学气相沉积、rf磁控溅射和蒸镀中的任意一种形成。
71.膜层320与基板310一起形成腔c。膜层320可包括相对于基板310的上表面倾斜地设置的倾斜部320a以及设置在有效区域s中的平坦部320b，在有效区域s中，第一电极330、压电层340和第二电极350全都彼此叠置。另外，膜层320可利用在去除牺牲层(未示出)时与蚀刻气体具有低反应性的材料制成。膜层320可包括具有氮化硅(si3n4)、二氧化硅(sio2)、氧化锰(mno)、氧化镁(mgo)、氧化锆(zro2)、氮化铝(aln)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)和氧化锌(zno)中的任意一种的介电层。
72.利用氮化铝(aln)制成的种子层(未示出)可形成在膜层320上。也就是说，种子层可设置在膜层320与第一电极330之间。除了氮化铝(aln)之外，种子层还可利用具有hcp晶体结构的电介质或金属形成。在其中种子层为金属的示例中，种子层可利用钛(ti)形成。
73.第一电极330可设置在膜层320上，并且第一电极330的一部分可设置在腔c的上部上。此外，第一电极330可被构造为用于分别输入或输出诸如射频(rf)信号等的电信号的输入电极和输出电极中的任意一者。
74.作为示例，第一电极330可利用诸如钼(mo)或钼(mo)的合金的导电材料形成。然
而，本公开不限于该示例，第一电极330可利用诸如钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)、铬(cr)或者钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)或铬(cr)的合金等的导电材料形成。
75.压电层340可形成为至少覆盖第一电极330的设置在腔c的上部上的部分。压电层340是被构造为产生将电能转换为弹性波的形式的机械能的压电效应的部分，并且可利用氮化铝(aln)、氧化锌(zno)和锆钛酸铅(pzt；pbzrtio)中的任意一种形成。例如，当压电层340利用氮化铝(aln)制成时，压电层340还可包括稀土金属或过渡金属。作为示例，稀土金属可包括钪(sc)、铒(er)、钇(y)和镧(la)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。另外，作为示例，过渡金属可包括钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钽(ta)和铌(nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。此外，也可包含作为二价金属的镁(mg)。
76.第二电极350形成为覆盖压电层340的设置在腔c的上部上的至少一部分。第二电极350可被构造为用于分别输入和输出诸如射频(rf)信号的电信号的输入电极和输出电极中的任意一者。也就是说，当第一电极330被构造为输入电极时，第二电极350可被构造为输出电极，并且当第一电极330被构造为输出电极时，第二电极350可被构造输入电极。
77.作为示例，第二电极350可利用诸如钼(mo)或钼(mo)的合金的导电材料形成。然而，本公开不限于该示例，第二电极350可利用诸如钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)、铬(cr)或者钌(ru)、钨(w)、铱(ir)、铂(pt)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、镍(ni)或铬(cr)的合金等的导电材料形成。
78.第二电极350可包括设置在有效区域s的边缘处的框架352。如上所述，有效区域s例如是其中第一电极330、压电层340和第二电极350全都彼此叠置的区域。框架352可具有比第二电极350的其余部分的厚度大的厚度。
79.钝化层360形成在不包括第一电极330和第二电极350的部分的区域中。钝化层360防止第二电极350和第一电极330在制造工艺期间被损坏。
80.此外，钝化层360的一部分可在制造工艺的最终工艺中通过用于调整频率特性的蚀刻去除。也就是说，可调节钝化层360的厚度。例如，钝化层360可利用包含氮化硅(si3n4)、二氧化硅(sio2)、氧化镁(mgo)、氧化锆(zro2)、氮化铝(aln)、锆钛酸铅(pzt)、砷化镓(gaas)、氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)和氧化锌(zno)中的任意一种的介电层形成。
81.金属焊盘370连接到第一电极330和第二电极350的从钝化层360暴露的区域。作为示例，金属焊盘370可利用诸如金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金以及铝(al)、铝合金等的材料制成。例如，铝合金可以是铝-锗(al-ge)合金。
82.金属焊盘370可包括连接到第一电极330的第一金属焊盘372以及连接到第二电极350的第二金属焊盘374。
83.连接构件380连接到金属焊盘370，并且连接构件380的上端部的直径比连接构件380的下端部的直径大。作为示例，连接构件380可包括：圆柱形部381，设置在连接构件380的上端部处并且具有恒定的直径；以及锥形部382，从圆柱形部381延伸，位于连接构件380的下端部处，并且具有在朝向连接构件380的下端的方向上减小的直径。锥形部382的倾斜表面382a与金属焊盘370之间的角度θ可以是45
°
至80
°
。此外，锥形部382的高度h可以是6μm或更大。另外，锥形部382的最小直径(例如，在锥形部382的底端/底表面处的直径)d1可以
是60μm或更大。连接构件380的最大直径(例如，圆柱形部381的直径)d2可以是90μm或更大。
84.在下文中，将简要地讨论连接构件380的制造方法。首先，将保护性光致抗蚀剂层叠在金属焊盘370上，然后将种子层层叠在保护性光致抗蚀剂上。此后，层叠用于形成连接构件380的镀覆光致抗蚀剂，并且在镀覆光致抗蚀剂中形成用于形成连接构件380的孔。此后，在形成连接构件380之后，去除镀覆光致抗蚀剂和种子层。此后，通过去除保护性光致抗蚀剂，在连接构件380的下端部处形成锥形部382。
85.因此，通过去除保护性抗蚀剂，在连接构件380的下端部处形成锥形部382。相应地，锥形部382形成为具有6μm或更大的高度(h)，并且锥形部382的倾斜表面382a与金属焊盘370之间的角度θ为45度至80度。
86.作为示例，连接构件380可利用诸如金(au)、金-锡(au-sn)合金、铜(cu)、铜-锡(cu-sn)合金以及铝(al)、铝合金等的材料制成。连接构件380可利用与金属焊盘370的材料相同的材料制成，或者可利用与金属焊盘370的材料不同的材料制成。在其中金属焊盘370利用金(au)材料制成的示例中，连接构件380可利用铜(cu)材料制成。
87.如上所述，由于锥形部382设置在连接构件380中，因此可以减小施加到连接构件380的下部的应力以提高可靠性。
88.此外，即使金属焊盘370的区域不足以安装连接构件380，连接构件380也可通过减小连接构件380的连接到金属焊盘370的下端部的直径并增大连接构件380的上端部的直径而容易地连接到金属焊盘370。
89.如上所述，根据在此公开的实施例，可通过减小施加到连接构件的下部的应力来提高体声波谐振器的可靠性。
90.虽然本公开包括具体示例，但是在理解本技术的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对这些示例做出各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其他组件或其等同物来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的全部变型将被解释为被包含在本公开中。