电子装置的制作方法

1.本发明涉及一种电子装置，特别涉及一种具有弯曲部的电子装置。


背景技术：

2.近年有许多电子装置的操作区(例如显示区、感测区)已延伸至侧面及/或背面，然而，传统的电磁波发射结构(例如背光模块)因结构上的限制，导致侧面及/或背面的操作区的功能或质量不理想，故须进一步改变相关设计来改善侧面及/或背面的操作区的功能或质量。


技术实现要素：

3.本发明的一实施例提供一种电子装置，电子装置包括面板以及电磁波发射结构。面板具有第一弯曲部，而电磁波发射结构具有第二弯曲部对应于第一弯曲部。电磁波发射结构包括基板以及多个电磁波发射单元。多个电磁波发射单元设置于基板上，且多个电磁波发射单元中的至少一个设置于第二弯曲部中。
附图说明
4.图1所示为本发明第一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
5.图2所示为本发明一实施例的电磁波发射结构的部分剖面示意图。
6.图3所示为本发明第二实施例的电子装置的部分剖面示意图。
7.图4所示为本发明第三实施例的电子装置的部分剖面示意图。
8.图5所示为本发明第四实施例的电子装置的部分剖面示意图。
9.图6所示为本发明第五实施例的电子装置的部分剖面示意图。
10.图7所示为本发明第六实施例的电子装置的部分剖面示意图。
11.图8所示为本发明第七实施例的电子装置的部分剖面示意图。
12.图9所示为本发明一实施例的电子装置的显示效果示意图。
13.附图标记说明：10-面板；11-第一偏振元件；12-第一基板；13-介质层；14-第二基板；15-第二偏振元件；16-附着件；18-支撑基板；20-电磁波发射结构；21-支撑构件；22-基板；23-电磁波发射单元；23a-第一电磁波发射单元；23b-第二电磁波发射单元；24-电磁波接收单元；24a-第一电磁波接收单元；24b-第二电磁波接收单元；30-功能层；80-连接结构；81-导电材料；82-导电垫；83-穿孔结构；91-第一电路结构；92-第二电路结构；101-107-电子装置；c11-曲面；c12-曲面；c21-曲面；d1-水平方向；d2-垂直方向；ds1-第一距离；ds2-第二距离；f11-第一平面；f12-第二平面；f13-平面；f21-第一平面；f22-第二平面；l1-延伸平面；l1
’-
延伸平面；l2-延伸平面；l2
’-
延伸平面；n1-第一法线方向；n2-第二法线方向；ns-末端部分；pc1-第一节距；pc2-第二节距；r11-第一弯曲部；r12-平坦部；r21-第二弯曲部；r22-平坦部；s1-第一表面；s2-第二表面；s3-侧面；se1-侧边；se2-侧边；ss1-表面；ss2-表面；ss1
’-
第一内表面；ss2
’-
第二内表面；tk1-厚度；tk1
’-
厚度；tk2-厚度；tk3-厚度。
具体实施方式
14.参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
15.本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。因此，当本发明的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
16.本文中所提到的方向用语，例如：「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
17.当相应的构件(例如膜层或元件)被称为「设置或形成在另一个构件上」时，它可以直接设置或形成在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接设置或形成在另一个构件上」时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为「设置或形成在另一个构件上」时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
18.应当理解到，当构件或膜层被称为「连接至」另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为「直接连接至」另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为「耦接于另一个构件(或其变体)」时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
19.术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
20.说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
21.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
22.请参考图1，图1所示为本发明第一实施例的电子装置101的部分剖面示意图。本实施例提供一种电子装置101，其包括一面板10以及一电磁波发射结构20。面板10具有一第一
弯曲部r11以及一平坦部r12相邻于第一弯曲部r11。电磁波发射结构20具有一第二弯曲部r21以及一平坦部r22相邻于第二弯曲部r21，第二弯曲部r21对应第一弯曲部r11。在一些实施例中，电磁波发射结构20包括一基板22以及多个电磁波发射单元23。多个电磁波发射单元23设置于基板22上，且该多个电磁波发射单元23中的至少一个设置于第二弯曲部r21中。关于第一弯曲部r11、平坦部r12、第二弯曲部r21以及一平坦部r22的叙述或定义后续会再详细说明。
23.在一些实施例，电磁波发射结构20可还包括一支撑构件21附着于基板22，支撑构件21可用以支撑基板22。在一些实施例中，支撑构件21的硬度或杨氏系数(young’s modulus)可大于基板22。举例来说，基板22可包括可挠式(flexible)基板，支撑构件21可包括硬质(rigid)基板，但不以此为限。在一些实施例中，基板22可包括聚合物材料，例如聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、其他适合的可挠材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，支撑构件21可包括玻璃、陶瓷、其他适合材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例，支撑构件21或基板22可包括单层结构或复合结构。在一些实施例，支撑构件21的厚度(未标示)可大于基板22的厚度tk2。在一些实施例中，支撑构件21可选择性包括导光材料及/或反射材料，但不限于此。在一些实施例中，支撑构件21可具有相对的第一表面s1与第二表面s2，以及连接于第一表面s1与第二表面s2之间的侧面s3。在一些实施例中，基板22设置于支撑构件21(例如第一表面s1)上，并延伸且弯折至支撑构件21(例如第二表面s2)上，但不限于此。在一些实施例中，部分的基板22可接触于第一表面s1及/或第二表面s2，但未接触侧面s3。
24.请参考图1，在一些实施例中，电磁波发射结构20的平坦部r22例如大致平行于水平方向d1且沿水平方向d1延伸。详细来说，设置于第一表面s1上的基板22的部分可具有一表面ss1(邻近支撑构件21的基板22的表面)，且表面ss1大致平行于水平方向d1，根据表面ss1可延伸出一延伸平面l1。另外，设置于第二表面s2上的基板22的部分可具有一表面ss2(邻近支撑构件21的的基板22的表面)，且表面ss2大致平行于水平方向d1，根据表面ss2可延伸出一延伸平面l2。须注意的是，与上述延伸平面l1及/或延伸平面l2未平行且错开的电磁波发射结构20的部分可定义为第二弯曲部r21，而与延伸平面l1及/或延伸平面l2平行且未错开的电磁波发射结构20的部分可定义为平坦部r22。须注意的是，上述举例透过基板22的表面ss1及表面ss2来分别得到延伸平面l1及延伸平面l2，并通过如上方式来定义出第二弯曲部r21与平坦部r22，但不限于此。在其它实施例，可根据电磁波发射结构20所包括的所有层迭中，根据具有最小弯折曲率的层别的内表面来定义出类似上述延伸平面l1及延伸平面l2的延伸平面(未标示)，而与此些延伸平面未平行且错开的电磁波发射结构20的部分可定义为第二弯曲部r21，而与此些延伸平面平行且未错开的电磁波发射结构20的部分可定义为平坦部r22。换句话说，部分的基板22、支撑构件21可位于平坦部r22中，部分的基板22可位于第二弯曲部r21中。在一些实施例中，位于平坦部r22中的基板22的部分可位于支撑构件21的第一表面s1上，甚至可选择性延伸突出于第一表面s1，但不限于此。在一些实施例中，位于平坦部r22中的基板22的部分可位于支撑构件21的第二表面s2上，甚至可选择性延伸突出于第二表面s2，但不限于此。在一些实施例中，位于第二弯曲部r21中的基板22的部分可分别与位于第一表面s1上的基板22的部分及位于第二表面s2上的基板22的部分相连，但不以此为限。在一些实施例中，电磁波发射结构20可还包括驱动元件(未绘示)或导线(未
绘示)设置于基板22上，上述驱动元件或导线可选择性与电磁波发射单元23电性连接，藉此驱动或操控电磁波发射单元23。在其它实施例中，支撑构件21与基板22之间可选择性插入其它层别。
25.请参考图1，在一些实施例中，面板10具有第一基板12、第二基板14及设置于第一基板12与第二基板14之间的介质层13，第一基板12可设置于介质层13(例如液晶材料、电致变色(electrochromic,ec)材料，但不限于此)_与电磁波发射结构20之间，但不以此为限。在一些实施例中，面板10可包括一液晶盒(liquid crystal cell)结构。在一些实施例中，电子装置可被视为液晶天线装置。在一些实施例中，面板10可包括一显示设备(例如显示液晶盒)，且该多个电磁波发射单元23可为光发射单元，但不以此为限。上述的光发射单元23可包括毫米发光二极管(mini-led)、微米发光二极管(micro-led)、量子点发光二极管(qd-led、qled)、磷光材料、荧光材料、量子点材料、其他适合的光发射结构或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，此些电磁波发射单元23可分别通过不同的封装材料所封装，换句话说，一个封装层可位于或覆盖于一个电磁波发射单元23上，但不以此为限。在一些实施例中，此些电磁波发射单元23可通过一个封装层(未标示)同时对多个电磁波发射单元23所封装。换句话说，一个封装层可位于或覆盖于多个电磁波发射单元23上，但不以此为限。
26.请参考图1，在一些实施例中，面板10可更包括驱动元件(未绘示)或电路(未绘示)，但不限于此。在一些实施例中，面板10可更包括彩色滤光层(未绘示)或遮蔽层(未绘示)设置于第一基板12与第二基板14之间，但不以此为限。在一些实施例中，面板10可包括第一偏振元件11及/或第二偏振元件15。在一些实施例中，第一偏振元件11可设置于第一基板12与电磁波发射结构20之间，第二偏振片15可设置于第二基板14远离介质层13的一侧，但不限于此。在其它实施例，第一偏振元件11及/或第二偏振元件15的设置位置可根据需求而调变。上述的第一基板12与第二基板14可分别为可挠式基板。
27.在一些实施例中，如上所述面板10具有第一弯曲部r11以及平坦部r12相邻于第一弯曲部r11，平坦部r12例如平行于水平方向d1延伸。在一些实施例中，平坦部r22对应于平坦部r12设置，第二弯曲部r21对应于第一弯曲部r11设置。详细来说，面板10例如具有第一内表面ss1’(例如第一偏振元件11的表面)邻近于支撑构件21的第一表面s1，第一内表面ss1’大致平行于水平方向d1，根据该第一内表面ss1’可延伸出一延伸平面l1’。另外，面板10例如具有第二内表面ss2’(例如第一偏振元件11的表面)邻近于支撑构件21的第二表面s1，第二内表面ss2’大致平行于水平方向d1延伸，根据该第二内表面ss2’可延伸出一延伸平面l2’。须注意的是，与上述的延伸平面l1’及/或延伸平面l2’未平行且错开的面板10的部分可定义为第一弯曲部r11，而与延伸平面l1’及/或延伸平面l2’平行且未错开的面板10的部分可定义为平坦部r12。须注意的是，上述的面板10的第一内表面ss1’及第二内表面ss2’虽分别以第一偏振元件11的表面来举例，但不限于此。面板10的第一内表面ss1’及第二内表面ss2’可根据实际的面板10所包括的层别中，根据具有最小弯折曲率的层别的内侧表面来定义出类似上述延伸平面l1’及延伸平面l2’的延伸平面(未标示)，而与此些延伸平面未平行且错开的面板10的部分可定义为第一弯曲部r11，而与此些延伸平面平行且未错开的面板10的部分可定义为平坦部r12。
28.请参考图1，在一些实施例中，面板10中的部分第一偏振元件11、部分第一基板12、部分介质层13、部分第二基板14及/或部分第二偏振元件15可分别设置于平坦部r12中。在
一些实施例中，面板10中的部分第一偏振元件11、部分第一基板12、部分介质层13、部分第二基板14及/或部分第二偏振元件15可分别设置于第一弯曲部r11中。通过上设设计，电子装置101面板10的平坦部r12及/或第一弯曲部r11可选择性执行功能操作(例如显示、感测或其他功能性操作)。在一些实施例中，第一基板12及/或第二基板14可分别包括聚合物材料例如聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、其他适合的可挠材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，基板22、第一基板12及/或第二基板14的厚度可根据实际需求(例如制程或弯曲的程度考虑)而调整。在一些实施例中，基板22、第一基板12与第二基板14的厚度可分别介于5微米(um)至50微米之间(5微米≤厚度≤50微米)、或可分别介于10微米至40微米之间(10微米≤厚度≤40微米)，但不以此为限。
29.请参考图1，在一些实施例中，第一偏振元件11及/或第二偏振元件15的厚度可介于50微米至500微米之间(50微米≤厚度≤500微米)，或可介于175微米至300微米之间(175微米≤厚度≤300微米)，但不以此为限。在一些实施例中，面板10可还包括一附着件16设置于第一基板12与第二基板14之间，附着件16例如围绕于介质层13，举例附着件16可包括框胶(sealant)。
30.请参考图1与图2，图2所示为本发明一实施例的电磁波发射结构的部分剖面示意图。在一些实施例中，面板10的平坦部r12可具有第一平面f11(例如第二偏振元件15的部分的外表面)及/或第二平面f12(例如第二偏振元件15的部分的外表面)，第一平面f11邻近于或对应于第一表面s1设置，第二平面f12邻近于或对应于第二表面s2设置。在一些实施例中，第一弯曲部r11可具有一曲面c11与第一平面f11及/或第二平面f12相连。相似的，在一些实施例中，电磁波发射结构20的可具有第一平面f21(例如基板22的部分的外表面)及/或第二平面f22(例如基板22的部分的外表面)，第一平面f21邻近于或对应于第一表面s1设置，第二平面f22邻近于或对应于第二表面s2设置。在一些实施例中，电磁波发射结构20的第二弯曲部r21中的基板22可具有一曲面c21与第一平面f21及/或第二平面f22相连。
31.请参考图2，在一些实施例中，一部分的电磁波发射单元23可设置于位于平坦部r22中的基板22上，而另一部分的电磁波发射单元23可设置于位于第二弯曲部r21中的基板22上，但不限于此。举例来说，多个电磁波发射单元23可包括多个第一电磁波发射单元23a以及多个第二电磁波发射单元23b，该多个第一电磁波发射单元23a可设置于平坦部r22中(即设置于位于平坦部r22中的基板22上)，而该多个第二电磁波发射单元23b可设置于第二弯曲部r21中(即设置于位于第二弯曲部r21中的基板22上)。在一些实施例中，该多个第一电磁波发射单元23a可具有一第一节距(pitch)pc1，该多个第二电磁波发射单元23b可具有一第二节距pc2，且第二节距pc2可与第一节距pc1相同或不相同。在一些实施例中，第二节距pc2可小于第一节距pc1。第一节距pc1可定义为其中两相邻的第一电磁波发射单元23a于第一平面f21上的节距，第二节距pc2可定义为其中两相邻的第二电磁波发射单元23b于曲面c21上的节距。在一些实施例中，两相邻的第一电磁波发射单元23a之间的第一距离ds1可相同或不同于两相邻第二电磁波发射单元23b之间的第二距离ds2。第一距离ds1可定义为其中两相邻的第一电磁波发射单元23a于第一平面f21上的最短距离，第二距离ds2可定义为其中两相邻的第二电磁波发射单元23b于曲面c21上的最短距离。在一些实施例中，第二距离ds2可小于第一距离ds1，但不限于此。在其他实施例(未绘示)，多个电磁波发射单元23可包括多个第一电磁波发射单元23a以及至少一第二电磁波发射单元23b。举例来说，当第
二电磁波发射单元23b只有一个时，第二节距pc2可定义为此第二电磁波发射单元23b与其相邻的第一电磁波发射单元23a于一表面(第一平面f21延伸至曲面c21的表面)上的节距，第二距离ds2可定义为此第二电磁波发射单元23b与其相邻的第一电磁波发射单元23a于一表面(第一平面f21延伸至曲面c21的表面)上的最短距离。在其他实施例中(未绘示)，第二节距pc2亦可视设计需要大于第一节距pc1，或第二距离ds2可大于第一距离ds1。
32.请参考图1与图2，在一些实施例中，第一弯曲部r11的曲面c11可被视为电子装置101的侧边的出光面，平坦部r12的第一平面f11可被视为正面的出光面，平坦部r12的第二平面f12可被视为背面的出光面。在一些实施例中，位于第二弯曲部r21中的第二电磁波发射单元23b所产生或发射的电磁波可穿过面板10且大致朝曲面c11的方向射出，位于平坦部r22中的第一电磁波发射单元23a所产生或发射的电磁波可穿过面板10而大致朝第一平面f11及/或第二平面f12的方向射出，但不限于此。在一些实施例中(如图2)，第一电磁波发射单元23a可设置于位在第一表面s1上的基板22部分及位在第二表面s2上的基板22部分上，第二电磁波发射单元23b可设置于位于第二弯曲部r21中的基板22部分上，使电子装置101的正面、侧面及/或背侧执行功能操作，但不以此为限。在其它实施例中，第二电磁波发射单元23b可例如未设置于位在第二表面s2上的基板22部分上。
33.在一些实施例中，上述的基板22、第一基板12与第二基板14可根据材料或/及弯曲程度而有相同或不同的厚度。举例来说，基板22于第二弯曲部r21中的曲率半径相对小于第一基板12及/或第二基板14于第一弯曲部r11中的曲率半径，故基板22的厚度tk2可设计小于第一基板12的厚度tk1及/或第二基板14的厚度tk1’，以利于实现小曲率半径的弯曲状况，但不限于此。在一些实施例中，基板22的厚度tk2例如可小于30微米，但不以此为限。在一些实施例中，第一基板12的厚度tk1及/或第二基板14的厚度tk1’例如可介于5微米(um)至50微米之间(5微米≤厚度50微米)、或可分别介于10微米至40微米之间(10微米≤厚度≤40微米)，但不以此为限。
34.请参考图2，在一些实施例中，基板22可被弯曲且延伸，使基板22的末端部分ns可位于支撑构件21的第二表面s2上，位于平坦部r22的基板22的第一平面f11可具有一第一法线方向n1，而基板22的末端部分ns的表面可具有一第二法线方向n2，第一法线方向n1与第二法线方向n2之间的夹角可大于或等于90度且小于或等于180度，但不以此为限。如上所述，当基板22的末端部分位于第二表面s2上时，第一法线方向n1与第二法线方向n2之间的夹角可大致接近180度，但不以此为限。
35.在其他实施例(未绘示)，基板22的末端部分ns可未延伸至第二表面s2上，即基板22的末端部分ns可位于第二弯曲部r21中。如上所述，当基板22的末端部分ns位于第二弯曲部r21中时，第一法线方向n1与第二法线方向n2之间的夹角可大致介于大于或等于90度且小于180度，但不限于此。换句话说，基板22部分位于平坦部r22中且部分位于第二弯曲部r21中，位于该平坦部r22中的基板22具有一第一法线方向n1，位于第二弯曲部r21中的该基板22(末端部分ns)具有一第二法线方向n2，且第一法线方向n1与第二法线方向n2之间的夹角大于或等于90度且小于或等于180度。在其他实施例(未绘示)，第一法线方向n1与第二法线方向n2之间的夹角可大于或等于20度且小于或等于90度。
36.在一些实施例中，位于第二弯曲部r21中的基板22的部分与支撑构件21的侧面s3之间可具有空隙，空隙中可选择性设置或填入其他材料(例如胶材，未绘示)，以提高第二弯
曲部r21中的基板22与支撑构件21之间的附着或接合状况。在一些实施例中(未绘示)，基板22与面板10之间可设置其他部件(例如胶材或/及间隙子)，用以加强面板10与电磁波发射结构20之间的接合状况，但不限于此。
37.请参考图1，在一些实施例中，电子装置101可更包括第一电路结构91与面板10电性连接，第一电路结构91例如可与第一基板12或/及第二基板14上的部件(例如导电垫，未绘示)电性连接。举例来说，第一电路结构91例如设置于远离第一表面s1的第一基板12上，且与第一基板12上的部件(例如导电垫，未绘示)电性连接，但不限于此。在一些实施例中，电子装置101可更包括第二电路结构92与电磁波发射结构20(例如电磁波发射单元23)电性连接。举例来说，第二电路结构92可设置于基板22上并远离第一表面s1设置。在一些实施例中，第一电路结构91及/或第二电路结构92可包括印刷电路板(printed circuit board，pcb)、带载封装(tape carrier package，tcp)结构、覆晶薄膜(chip on film，cof)结构、其他适合的电路结构或上述的组合。在一些实施例中，于垂直方向d2(或支撑构件21的法线方向)上，第一电路结构91与第二电路结构92可部分重迭。在一些实施例中，于垂直方向d2(电子装置101的俯视方向)上看，第一电路结构91及/或第二电路结构92例如与平坦部r12重迭，且第一电路结构91及/或第二电路结构92例如邻近于第二表面s2设置，降低第一电路结构91及/或第二电路结构92对电子装置101于功能上的影响或于外观上被使用者所观察到，但不以此为限。在一些实施例中，第一电路结构91与第二电路结构92可视设计需要而彼此电性连接(例如通过走线或/及引线)，但不以此为限。
38.下文将针对本发明的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述，而不再对相同的部分作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的元件以相同的标号进行标示，用以方便在各实施例间互相对照。各实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
39.请参考图3，图3所示为本发明第二实施例的电子装置102的部分剖面示意图。如图3所示，电子装置102可还包括一连接结构80，第一电路结构91可通过连接结构80及基板22上的导电垫(未绘示)与电磁波发射结构20中的电磁波发射单元23电性连接，故可省略上述第一实施例中的第二电路结构，但不限于此。在一些实施例中，连接结构80可包括导电材料81，例如金属、透明导电层、或上述的组合。在一些实施例中，连接结构80可通过网版印刷方式或其它合适方式来形成，但不限于此。在一些实施例中，连接结构80可部分设置于基板22的侧边se1上及/或第一基板12的侧边se2上且与第一电路结构91连接。导电材料81可例如为侧边导电图案，但不以此为限。在一些实施例中，连接结构80可包括多条导线(未绘示)，用以电性连接第一电路结构91与电磁波发射单元23。在一些实施例中(未绘示)，连接结构80的外侧可选择性设置有其它保护结构(未绘示)，用以降低连接结构80被损伤或氧化的机会。本实施例的导电材料81可视设计需要应用于其他实施例中。
40.请参考图4。图4所示为本发明第三实施例的电子装置103的部分剖面示意图。如图4所示，在电子装置103中，连接结构80可包括导电垫82与穿孔结构83，导电垫82可设置于基板22上，穿孔结构83可例如贯穿第一基板12及/或第一偏振元件11，第一电路结构91通过穿孔结构83与导电垫82电性连接，导电垫82例如与电磁波发射单元23电性连接。在一些实施例中(未绘示)，可视设计需要调整第一偏振元件11的设置位置或第一偏振元件11的尺寸，使穿孔结构83可选择性于未贯穿第一偏振元件11的情况下，将第一电路结构91及导电垫82
电性连接。本实施例的导电垫82与穿孔结构83可视设计需要应用于其他实施例中。
41.请参考图5。图5所示为本发明第四实施例的电子装置104的部分剖面示意图。如图5所示，在电子装置104中，第一偏振元件11可例如设置于第一基板12与介质层13之间，第二偏振元件15可设置于第二基板14与介质层13之间，但不限于此。在一些实施例中，第一偏振元件11与第二偏振元件15可分别包括线栅偏振元件(wire grid polarizer，wgp)，但不限于此。在一些实施例中，第一偏振元件11及/或第二偏振元件15的厚度可例如小于10微米，但不以此为限。在一些实施例中，第一偏振元件11与第二偏振元件15中的至少一者可设置于介质层13与面板10的基板(例如第一基板12或第二基板14)之间。此外，第一偏振元件11与第二偏振元件15的结构与设置位置亦可视设计需要应用于本发明的其他实施例中。
42.请参考图6。图6所示为本发明第五实施例的电子装置105的部分剖面示意图。如图6所示，电子装置105可还包括一功能层30设置于面板10与电磁波发射结构20之间。在一些实施例中，功能层30可包括散射板、黏着层、封装层、散热层、应力调整层、增亮膜、具有其他功能的结构或/及材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，功能层30可选择性与面板10及/或电磁波发射结构20接触或不接触。在其它实施例(未绘示)，功能层30可选择性突出于或内缩于面板10。此外，本实施例的功能层30亦可视设计需要应用于本发明的其他实施例中。
43.请参考图7。图7所示为本发明第六实施例的电子装置106的部分剖面示意图。电子装置106可被例如为天线装置(例如液晶天线)，但不限于此。在一些实施例中，电子装置106可包括多个电磁波接收单元24设置于基板22上，用以接收电磁波。在一些实施例中，电磁波接收单元24可位于支撑构件21与基板22之间。换句话说，电磁波接收单元24与电磁波发射单元23可位于基板22的不同的表面上，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，电磁波接收单元24与电磁波发射单元23可位于基板22的相同的表面上，但不限于此。在一些实施例中，电磁波接收单元24可与电磁波发射单元23交错设置。换句话说，于垂直方向d2上，电磁波接收单元24与电磁波发射单元23未重迭，降低彼此之间的干扰，但不以此为限。在一些实施例中，电磁波接收单元24可包括多个第一电磁波接收单元24a及多个第二电磁波接收单元24b，该多个第一电磁波接收单元24a设置于平坦部r22中，该多个第二电磁波接收单元24b设置于第二弯曲部r21中，其中两相邻第一电磁波接收单元24a之间的节距及最小距离亦可视设计需要不同于或相同于其中两相邻第二电磁波接收单元24b之间的节距及最小距离。上述的第一电磁波接收单元24a之间的节距及/或最短距离的定义方式可相似于如上所述的第一电磁波发射单元23a，第二电磁波接收单元24b之间的节距及/或最短距离的定义方式可相似于如上所述的第二电磁波发射单元23b，故不再重复叙述。在一些实施例中，其中两相邻第二电磁波接收单元24b之间的节距或/及最短距离可小于或大于其中两相邻第一电磁波接收单元24a之间的节距或/及最短距离。在一些实施例中，电子装置106中的面板10可还可选择性包括支撑基板18，支撑基板18可设置于第一基板12与电磁波发射结构20之间，但不限于此。在一些实施例中，支撑基板18的材料可不同于第一基板12的材料，例如支撑基板18的材料可包括聚对苯二甲酸乙二酯(pet)，第一基板12的材料可包括聚酰亚胺(pi)，但不以此为限。在一些实施例中，支撑基板18的硬度或/及杨氏系数可大于第一基板12及/或第二基板14的硬度或/及杨氏系数，提供支撑效果。在一些实施例中，支撑基板18的厚度tk3可相同或不同于第一基板12的厚度tk1及/或第二基板14的厚度tk1’。在一些实施
例中，支撑基板18的厚度tk3可大于第一基板12的厚度tk1及/或第二基板14的厚度tk1’。在一些实施例中，支撑基板18的厚度tk3可大于100微米，第一基板12的厚度tk1可介于10微米至20微米之间(10微米≤厚度tk1≤20微米)，但不以此为限。在一些实施例中，电磁波接收单元24及/或电磁波发射单元23可接触支撑构件21或可通过其他部件(例如黏着层、封装层或其他合式材料)结合或附着于支撑构件21上，但不以此为限。
44.请参考图8。图8所示为本发明第七实施例的电子装置107的部分剖面示意图。如图8所示，在电子装置107中，面板10的第一弯曲部r11可具有曲面c11、曲面c12及/或平面f13，平面f13可位于或连接于曲面c11与曲面c12之间，但不限于此。在一些实施例中，曲面c11可位于或连接于第一平面f11与平面f13之间，曲面c12可位于平面f13与第二平面f12之间，但不以此为限。在一些实施例中，第一弯曲部r11的平面f13的法线方向(未标示)与平坦部r12的第一平面f11的法线方向(未标示)之间的夹角可大致上为80度至100度(80度≤夹角≤100度)，但不以此为限。在一些实施例中，亦可视设计需要将上述的曲面c11及/或曲面c12分别改成倾斜或其他不规则的面，但不以此为限。在一些实施例中，第一弯曲部r11的平面f13可例如为电子装置107的侧面的出光面，而位于第二弯曲部r21的第二电磁波发射单元23b所产生的电磁波可穿过面板10而部分朝平面f13射出，但不限于此。在一些实施例中，视第二电磁波发射单元23b的出光角度设计，第二电磁波发射单元23b所产生的电磁波亦可穿过面板10而部分朝第一平面f11、第二平面f12、曲面c11或/及曲面c12射出，但不限于此。此外，在一些实施例中，对应于平面f13的电磁波发射单元23的设置数量或/及密度可不同于对应第一平面f11的电磁波发射单元23的设置数量或/及密度，但不以此为限。
45.请参考图9，并请一并参考图1、图3、图4、图5、图6与图8。图9所示为本发明一实施例的电子装置的显示效果示意图。在一些实施例中，电子装置(例如显示设备)可包括至少一第一弯曲部r11，至少一第一弯曲部r11可邻近于平坦部r12的不同侧边，至少一第一弯曲部r11与平坦部r12可分别用以显示不同的画面。在一些实施例中，至少两第一弯曲部r1可相邻设置，但不以此为限。在一些实施例中，平坦部r12所显示的画面分辨率可相同或不同于至少一第一弯曲部r11所显示的画面分辨率。举例来说，平坦部r12所显示的画面分辨率可高于或低于第一弯曲部r11所显示的画面分辨率，但不以此为限。在一些实施例中，平坦部r12所显示的画面与第一弯曲部r11所显示的画面可分开被控制或操作。在一些实施例中，显示设备的正面显示及侧边显示的状况可分别通过控制对应设置于平坦部r12中的第一电磁波发射单元23a及对应设置于第一弯曲部r11中的第二电磁波发射单元23b的操作来决定，但不限于此。在一些实施例中，可仅显示侧边的画面而未显示正面的画面。举例来说，当电子装置为触控显示设备时，于休眠状况下触碰电子装置可触发第一弯曲部r11先显示侧边的画面，此时设置于第一弯曲部r11中第二电磁波发射单元23b可为开启状态，而设置于平坦部r12中的第一电磁波发射单元23a可为关闭状态。另外，之后可通过解锁操作来使平坦部r12显示正面的画面，此时设置于平坦部r12中的第一电磁波发射单元23a可为开启状态。在一些实施例中，平坦部r12可用以显示可变动的画面，第一弯曲部r11可用以显示相对较固定的画面(例如装置或/及品牌名称、电量指示、来电通知、信息通知等)，但不以此为限。
46.综上所述，在本发明的电子装置中，可将部分的电磁波发射单元设置于电磁波发射结构20的第二弯曲部(对应于面板的第一弯曲部)中，提高电子装置于弯曲部(大致对应
侧面)的相关操作表现。
47.虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一申请专利范围构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个申请专利范围及实施例的组合。本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
48.以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。