膜层去除浆料、太阳能电池片的切割方法及半导体器件的划线方法与流程

技术特征：
1.一种膜层去除浆料，用于对采用金属氧化物形成的透明导电膜层进行处理，其特征在于，包括如下体积百分含量的组分：中强酸2
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10％；弱酸10
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30％；溶剂40
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70％；助剂5
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20％；树脂5
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15％，各组分的体积百分含量之和为100％。2.根据权利要求1所述的膜层去除浆料，其特征在于，包括如下体积百分含量的组分：中强酸2
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5％；弱酸20
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25％；溶剂50
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60％；助剂5
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10％；树脂10
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15％，各组分的体积百分含量之和为100％。3.根据权利要求1或2所述的膜层去除浆料，其特征在于，所述中强酸为磷酸、亚硫酸中的至少一种；可选的，所述弱酸为氢氟酸、草酸中的至少一种；可选的，所述溶剂为松油醇，柠檬酸三丁酯，醋酸乙酯中的至少一种；可选的，所述树脂为聚苯乙烯，乙基纤维素，硝化纤维素中的至少一种；可选的，所述助剂为表面活性剂、增稠剂、触变剂中的至少一种；可选的，所述表面活性剂为聚氧乙烯、烷基磷羧酸盐、α
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烯基磺酸钠中的至少一种；可选的，所述增稠剂为peg
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150二硬脂酸酯、羟乙基纤维素、n
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亚甲基双丙烯酰胺中的至少一种；可选的，所述触变剂为聚乙烯醇，聚酰胺蜡中的至少一种。4.一种太阳能电池片的切割方法，所述太阳能电池片包括透明导电膜层，其特征在于，包括以下步骤：在所述透明导电膜层表面的待切割区域涂覆膜层去除浆料，形成无膜层区域；烘干烧结，去除残留的所述膜层去除浆料；在所述无膜层区域进行激光切割；其中，所述膜层去除浆料包括如下体积百分含量的组分：中强酸2
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10％；弱酸10
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30％；溶剂40
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70％；助剂5
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20％；树脂5
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15％，各组分的体积百分含量之和为100％。5.根据权利要求4所述的太阳能电池片的切割方法，其特征在于，所述烘干烧结的温度范围为150
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250℃，时间范围为4
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8min。6.根据权利要求4所述的太阳能电池片的切割方法，其特征在于，采用丝网印刷技术涂覆所述膜层去除浆料。7.根据权利要求4所述的太阳能电池片的切割方法，其特征在于，所述膜层去除浆料的涂覆厚度范围为10
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15μm，涂覆宽度范围为0.5
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2mm；所述激光切割采用激光波长为532nm和1064nm两种规格激光，两种激光顺次扫描，完成切割。8.根据权利要求4
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7任一项所述的太阳能电池片的切割方法，其特征在于，可选的，所述中强酸为磷酸、亚硫酸中的至少一种；可选的，所述弱酸为氢氟酸、草酸中的至少一种；可选的，所述溶剂为松油醇，柠檬酸三丁酯，醋酸乙酯中的至少一种；可选的，所述树脂为聚苯乙烯，乙基纤维素，硝化纤维素中的至少一种。9.根据权利要求4
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8任一项所述的太阳能电池片的切割方法，其特征在于，所述助剂为表面活性剂、增稠剂、触变剂中的至少一种；可选的，所述表面活性剂为聚氧乙烯、烷基磷羧酸盐、α
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烯基磺酸钠中的至少一种；
可选的，所述增稠剂为peg
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150二硬脂酸酯、羟乙基纤维素、n
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亚甲基双丙烯酰胺中的至少一种；可选的，所述触变剂为聚乙烯醇，聚酰胺蜡中的至少一种。10.一种半导体器件的划线方法，所述半导体器件能划分为至少两个半导体器件单元、且相邻所述半导体器件单元之间表面为采用金属氧化物形成的透明导电膜层，其特征在于，包括以下步骤：在所述透明导电膜层表面的待划线区域涂覆膜层去除浆料，形成无膜层区域；烘干烧结，去除残留的所述膜层去除浆料；其中，所述膜层去除浆料包括如下体积百分含量的组分：中强酸2
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10％；弱酸10
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30％；溶剂40
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70％；助剂5
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20％；树脂5
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15％，各组分的体积百分含量之和为100％。

技术总结
本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及膜层去除浆料、太阳能电池片的切割方法、半导体器件的划线方法。膜层去除浆料包括如下体积百分含量的组分：中强酸2


技术研发人员：徐晓华 辛华伟 符欣 张良 周肃 龚道仁 王文静 陈梦滢
受保护的技术使用者：安徽华晟新能源科技有限公司
技术研发日：2021.06.08
技术公布日：2021/9/9