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半导体器件
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法与流程
本公开涉及一种功率半导体模块、一种功率半导体器件以及一种用于制造功率半导体器件的方法。
标签:
功率
半导体器件
半导体
模块
方法
2023-10-07
掩模坯料、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法与流程
本公开涉及掩模坯料、使用该掩模坯料的转印用掩模的制造方法以及使用通过该制造方法制造的转印用掩模的半导体器件的制造方法。
标签:
坯料
方法
转印
半导体器件
用掩模
2023-09-23
掩模坯料、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法与流程
本公开涉及掩模坯料、使用该掩模坯料的转印用掩模的制造方法以及使用通过该制造方法制造的转印用掩模的半导体器件的制造方法。
标签:
坯料
方法
转印
半导体器件
用掩模
2023-09-23
掩模坯料、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法与流程
本公开涉及掩模坯料、使用该掩模坯料的转印用掩模的制造方法以及使用通过该制造方法制造的转印用掩模的半导体器件的制造方法。
标签:
坯料
方法
转印
半导体器件
用掩模
2023-09-23
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.本技术要求于2022年3月17日在韩国知识产权局(kipo)递交的韩国专利申请no.10-2022-0033237的优先权,其公开内容通过整体引用并入本文。技术领域3.实施例涉及半导体器件。更具体地,实施例涉及三维半导体存储器件。
标签:
韩国
半导体器件
优先权
知识产权局
专利申请
2023-09-20
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.本技术要求于2022年3月17日在韩国知识产权局(kipo)递交的韩国专利申请no.10-2022-0033237的优先权,其公开内容通过整体引用并入本文。技术领域3.实施例涉及半导体器件。更具体地,实施例涉及三维半导体存储器件。
标签:
韩国
半导体器件
优先权
知识产权局
专利申请
2023-09-19
一种功率半导体器件焊接质量的确定方法与流程
本发明主要涉及到功率半导体器件技术领域,特指一种功率半导体器件焊接质量的确定方法。
标签:
功率
半导体器件
质量
方法
2023-09-09
半导体器件结构及其制备方法与流程
本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种半导体器件结构及其制备方法。
标签:
集成电路
制备方法
结构
半导体器件
2023-07-20
半导体器件及其制造方法与流程
本技术的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
标签:
方法
半导体器件
2023-07-13
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年6月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2021-0072834的优先权的权益,其公开内容通过引用整体合并于此。技术领域3.本公开涉及半导体器件。
标签:
韩国
半导体器件
优先权
知识产权局
专利申请
2023-04-12
半导体器件及其制造方法与流程
本公开实施例涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
标签:
半导体
方法
半导体器件
2023-04-12
半导体器件及其制造方法与流程
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地,本发明涉及一种包括背面布线图案的半导体器件及其制造方法。
标签:
方法
半导体器件
背面
图案
2023-04-12
半导体器件及其形成方法与流程
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
标签:
半导体
方法
半导体器件
2023-04-12
半导体器件及其制作方法与流程
本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
标签:
制作方法
集成电路
半导体器件
2023-04-12
半导体器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制备方法。
标签:
半导体
制备方法
半导体器件
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件及其制造方法与流程
本公开实施例涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
标签:
半导体
方法
半导体器件
2023-04-12
半导体器件及其形成方法与流程
本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
标签:
方法
半导体器件
2023-04-12
半导体器件及其制造方法与流程
本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
标签:
方法
半导体器件
2023-04-12
半导体器件及其制作方法与流程
本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
标签:
制作方法
集成电路
半导体器件
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年6月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2021-0072834的优先权的权益,其公开内容通过引用整体合并于此。技术领域3.本公开涉及半导体器件。
标签:
韩国
半导体器件
优先权
知识产权局
专利申请
2023-04-11
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统的制作方法
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年6月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2021-0071950的权益,该申请的全部公开内容通过引用并入本文以用于所有目的。技术领域3.本发明构思涉及半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。
标签:
半导体器件
韩国
数据存储
系统
知识产权局
2023-04-11
半导体器件及其形成方法与流程
本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
标签:
方法
半导体器件
2023-04-11
半导体器件及其制造方法与流程
本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
标签:
方法
半导体器件
2023-04-11
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