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一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层及其制备方法与流程

2021-10-19 23:50:00 来源:中国专利 TAG:涂层 润滑 支承 应用于 回转

技术特征:
1.一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层,其特征在于,所述的润滑耐磨涂层的原料按质量百分比计包括硅铁19~26 %、硼酸钠8~15 %、二氧化钛4~10 %、硅酸钙12~25 %、碳酸氢钠6~11 %、碳化三铁9~14 %、镍铁13~22 %、多元二维材料0.5~2 %、铬铁10~18 %、玻璃粉1~3 %;其中,所述的多元二维材料由钼酸铵、钴、硅、钛、硼经球磨、微波加热合成所得。2.根据权利要求1所述的一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层,其特征在于,所述镍铁中镍元素所占质量百分数为65~80 %;所述铬铁中铬元素所占质量百分数为33~50 %;所述硅铁中硅元素的质量分数为20~35 %。3.根据权利要求1所述的一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层,其特征在于,所述的多元二维材料的制备方法为:选用钼酸铵、钴、硅、钛、硼作为原料,按各原料按质量百分比计为:钼酸铵32~43 %、钴9~13 %、硅18~27 %、钛2~5 %、硼28~39 %称取各原料粉末,通过球磨过筛得到150~200目筛分的微粉,然后再在保护气氛下通过微波加热合成制得多元二维材料。4.根据权利要求1所述的一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层,其特征在于,所述的润滑耐磨涂层的摩擦系数平均值为0.331~0.374,磨损率为0.592~1.034
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‑1。5.根据权利要求1 所述的一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层,其特征在于,所述的润滑耐磨涂层是以硅铁、硼酸钠、二氧化钛、硅酸钙、碳酸氢钠、碳化三铁、镍铁、多元二维材料、铬铁及玻璃粉为原料,通过添加玻璃粉球磨、微波加热合成、球磨、激光熔覆而成。6.权利要求1所述的应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层的制备方法,其特征在于,主要包括如下步骤:步骤1,球磨:按各原料的质量百分比计:硅铁19~26 %、硼酸钠8~15 %、二氧化钛4~10 %、硅酸钙12~25 %、碳酸氢钠6~11 %、碳化三铁9~14 %、镍铁13~22 %、多元二维材料0.5~2 %、铬铁10~18 %及玻璃粉1~3 %,称取各原料粉末混合后进行球磨;步骤2,微波加热合成:将步骤1所得各原料粉末的球磨混合物进行微波合成,得到复合体,取出后待冷却至室温备用;步骤3,球磨:将步骤2得到的复合体粉碎后进行球磨,得到复合粉末;步骤4,激光熔覆:将步骤3所得复合粉末在基体回转支承滚道上进行激光熔覆处理,进而在回转支承轴承滚道表面形成润滑耐磨涂层,即为应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层。7.根据权利要求6所述的应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层的制备方法,其特征在于,所述基体回转支承滚道选用的材料包括但不限于42crmo、50mn、gcr15中的一种,预先进行预处理和清洗,室温下风干备用;其中,预处理包括打磨、抛光、除油、除脂。8.根据权利要求6所述的应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层的制备方法,其特征在于,步骤1和步骤3中,球磨处理后在室温下进行干燥,所得到的粉末直径控制在45~80 μm。9.根据权利要求6所述的应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层的制备方法,其特征在于,步骤2中,使用氩气作为保护气,通入量为8~10 l/min,在输出功率为900~1100 w的作用下加工15~20分钟,然后保温3~6个小时取出在室温下陈化12~18个小时,洗涤干燥。10.根据权利要求6所述的应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层的制备方法,其特征在于,步骤4中,激光熔覆处理的工艺为:激光功率为900~1100 w,光斑直径为2~4 mm,激光焦
距为12~16 mm,扫描速率为350~400 mm/min;采用氦气送粉,其流量为6~8 l/min,送粉量为2~3 l/min;采用氩气作为保护气,其流量为8~12 l/min,采用多道或单道方式进行焊接;润滑耐磨涂层的厚度为60~90 μm。

技术总结
本发明公开了一种应用于回转支承滚道的润滑耐磨涂层及其制备方法,属于轴承钢涂层技术领域。本发明主要以回转支承轴承滚道材料42CrMo等为基体材料,润滑耐磨涂层由硅铁、硼酸钠、二氧化钛、硅酸钙、碳酸氢钠、碳化三铁、镍铁、多元二维材料、铬铁及玻璃粉通过球磨、微波加热合成、球磨、激光熔覆而成;所述的原料按质量百分比计为:硅铁19~26%、硼酸钠8~15%、二氧化钛4~10%、硅酸钙12~25%、碳酸氢钠6~11%、碳化三铁9~14%、镍铁13~22%、多元二维材料0.5~2%、铬铁10~18%及玻璃粉1~3%。所述的润滑耐磨涂层具有优异的耐磨、耐腐蚀、耐高温等性能,可显著降低滚动体与滚道圈之间的磨损率,起到对回转支承的保护作用。支承的保护作用。


技术研发人员:史晓亮 张凯鹏 薛亚文 黄奇鹏
受保护的技术使用者:武汉理工大学
技术研发日:2021.04.14
技术公布日:2021/10/18
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