扇出封装结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：线路层；第一芯片和第二芯片，位于所述线路层上；加强结构，位于所述线路层上，所述加强结构包围所述第一芯片和所述第二芯片的侧壁，所述加强结构具有图案化电路，所述图案化电路电连接至所述线路层。2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，相比于所述第二芯片，所述图案化电路离所述第一芯片更近。3.根据权利要求2所述的扇出封装结构，其特征在于，所述图案化电路为电容电路或电感电路。4.根据权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述图案化电路位于所述加强结构的底面处并且面向所述线路层。5.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，还包括：互连件，所述图案化电路通过所述互连件电连接至所述线路层。6.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，还包括：填充材料，位于所述加强结构的内侧壁与所述第一芯片和所述第二芯片的侧壁之间。7.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述加强结构固定在所述线路层上。8.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述加强结构与所述线路层围成腔，所述第一芯片和所述第二芯片位于所述腔中，所述加强结构覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的上表面。9.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述加强结构具有多个导热孔，所述多个导热孔位于所述第一芯片和所述第二芯片上方。10.根据权利要求9所述的扇出封装结构，其特征在于，所述导热孔内包括导热材料。11.根据权利要求10所述的扇出封装结构，其特征在于，所述导热材料是金属材料。12.根据权利要求10所述的扇出封装结构，其特征在于，所述导热孔的内侧壁上还包括种子层，所述种子层包围所述导热材料。13.根据权利要求9所述的扇出封装结构，其特征在于，位于所述第一芯片上方的所述导热孔的涵盖面积大于位于所述第二芯片上方的所述导热孔的涵盖面积。14.一种形成扇出封装结构的方法，其特征在于，包括：提供基底；对所述基底执行图案化工艺以形成加强结构；将所述加强结构设置在线路层上，所述加强结构包围所述线路层上的第一芯片和第二芯片的侧壁，所述加强结构电连接至所述线路层。15.根据权利要求14所述的形成扇出封装结构的方法，其特征在于，所述图案化工艺包括形成电容电路或电感电路。16.根据权利要求14所述的形成扇出封装结构的方法，其特征在于，在所述基底中形成容置空间，所述第一芯片和所述第二芯片位于所述容置空间中。17.根据权利要求16所述的形成扇出封装结构的方法，其特征在于，所述容置空间与所述线路层围成腔，所述加强结构还覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的顶面。
18.根据权利要求14所述的形成扇出封装结构的方法，其特征在于，还包括：形成位于所述加强结构和所述第一芯片和所述第二芯片结构中的填充材料。

技术总结
本申请的实施例提供一种扇出封装结构，包括：线路层；第一芯片和第二芯片，位于所述线路层上；加强结构，位于所述线路层上，所述加强结构包围所述第一芯片和所述第二芯片的侧壁，所述加强结构具有图案化电路，所述图案化电路电连接至所述线路层。本发明的目的在于提供扇出封装结构及其形成方法，以提升扇出封装结构的性能。性能。性能。


技术研发人员：刘旭唐 张皇贤
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.09
技术公布日：2021/10/29