发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示术领域，具体涉及一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板。


背景技术：

2.迷你发光二极管、微型发光二极管以及有机发光二极管等发光器件具有高亮度、高对比度及高色域等优点，目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。其中，在现有的发光器件驱动电路中，每一发光器件通常采用由两个晶体管(驱动晶体管和开关晶体管)与一个电容构成，俗称2t1c电路。但驱动晶体管容易在长期的电流压力下发生阈值电压偏移，以及驱动电路中存在电压降(ir
‑
drop)问题，从而使得发光器件的亮度衰减，造成显示不均匀。


技术实现要素：

3.本技术提供一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板，可以解决驱动晶体管阈值电压偏移以及驱动电路中存在电压降导致的发光器件亮度衰减的问题。
4.本技术提供一种发光器件驱动电路，其包括：
5.发光器件，所述发光器件串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路；
6.驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极以及漏极串接于所述发光回路；
7.数据信号写入模块，所述数据信号写入模块接入第一扫描信号和数据信号，并电性连接于所述驱动晶体管的栅极，所述数据信号写入模块用于在所述第一扫描信号的控制下，将所述数据信号写入所述驱动晶体管的栅极；
8.第一初始化模块，所述第一初始化模块接入第二扫描信号和所述第一电源信号，并电性连接于所述驱动晶体管的栅极，所述第一初始化模块用于在所述第二扫描信号的控制下，初始化所述驱动晶体管的栅极的电位；
9.第二初始化模块，所述第二初始化模块接入第三扫描信号和所述第二电源信号，并电性连接于所述驱动晶体管的源极和漏极中的一者，所述第二初始化模块用于在所述第三扫描信号的控制下，初始化所述驱动晶体管的源极和漏极中的一者的电位；
10.补偿模块，所述补偿模块接入第四扫描信号，并电性连接于所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一者以及所述驱动晶体管的栅极，所述补偿模块用于在所述第四扫描信号的控制下，对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿；
11.自举模块，所述自举模块接入第五扫描信号，并电性连接于所述驱动晶体管的源极和漏极中的一者以及所述驱动晶体管的栅极，所述自举模块用于拉高所述驱动晶体管的栅极的电位。
12.可选的，在本技术一些实施例中，所述发光器件驱动电路还包括发光控制模块，所述发光控制模块接入发光控制信号，并串接于所述发光回路，所述发光控制模块用于基于所述发光控制信号控制所述发光回路导通或者截止。
13.可选的，在本技术一些实施例中，所述数据信号写入模块包括第一晶体管和第一
电容；
14.所述第一晶体管的栅极接入所述第一扫描信号，所述第一晶体管的源极和漏极中的一者接入所述数据信号，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一者与所述第一电容的一端电性连接，所述第一电容的另一端与所述驱动晶体管的栅极电性连接。
15.可选的，在本技术一些实施例中，第一初始化模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接入所述第二扫描信号，所述第二晶体管的源极和漏极中的一者与所述驱动晶体管的栅极电性连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的另一者连接所述第一电源信号。
16.可选的，在本技术一些实施例中，所述第二初始化模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极接入所述第三扫描信号，所述第三晶体管的源极和漏极中的一者与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者电性连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一者接入所述第二电源信号。
17.可选的，在本技术一些实施例中，所述补偿模块包括第四晶体管；
18.所述第四晶体管的栅极接入所述第四扫描信号，所述第四晶体管的源极和漏极中的一者与所述驱动晶体管的栅极电性连接，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一者与所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一者电性连接。
19.可选的，在本技术一些实施例中，所述自举模块包括第五晶体管和第二电容；
20.所述第五晶体管的栅极接入所述第五扫描信号，所述第五晶体管的源极和漏极中的一者与所述驱动晶体管的源极和漏极中的一者电性连接，所述第五晶体管的源极和漏极中的另一者与所述第二电容的一端电性连接，所述第二电容的另一端与所述驱动晶体管的栅极电性连接。
21.可选的，在本技术一些实施例中，所述发光器件驱动电路的驱动控制时序包括复位阶段、补偿阶段、数据写入阶段以及发光阶段；
22.在所述复位阶段，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号以及所述第三扫描信号均为高电位，所述第四扫描信号、所述第五扫描信号以及所述发光控制信号均为低电位；
23.在所述补偿阶段，所述第一扫描信号、所述第三扫描信号以及所述第四扫描信号均为高电位，所述第二扫描信号、所述第五扫描信号以及所述发光控制信号均为低电位；
24.在所述数据写入阶段，所述第一扫描信号和所述第三扫描信号均为高电位，所述第二扫描信号、所述第四扫描信号、所述第五扫描信号以及发光控制信号均为低电位；
25.在所述发光阶段，所述第五扫描信号和所述发光控制信号为高电位，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述第三扫描信号以及所述第四扫描信号均为低电位。
26.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。
27.相应的，本技术还提供一种背光模组，其包括：
28.数据线，所述数据线用于提供数据信号；
29.第一扫描线，所述第一扫描线用于提供第一扫描信号；
30.第二扫描线，所述第二扫描线用于提供第二扫描信号；
31.第三扫描线，所述第三扫描线用于提供第三扫描信号；
32.第四扫描线，所述第四扫描线用于提供第四扫描信号；
33.第五扫描线，所述第五扫描线用于提供第五扫描信号；
34.发光控制信号线，所述发光控制信号线用于提供发光控制信号；以及
35.如上述任一项所述的发光器件驱动电路，所述发光器件驱动电路与所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第三扫描线、所述第四扫描线、所述第五扫描线以及所述发光控制信号线连接。
36.相应的，本技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括多个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元均包括上述任一项所述的发光器件驱动电路。
37.本技术提供的发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板，通过第一初始化模块、第二初始化模块、补偿模块以及自举模块，使得流经发光器件的电流与驱动晶体管的阈值电压、第一电源信号以及第二电源信号均无关，对阈值电压偏移以及电压降进行了补偿，保证流经发光器件的电流不变，从而避免驱动晶体管阈值电压偏移以及驱动电路中存在电压降导致的发光器件亮度衰减。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1为本技术提供的发光器件驱动电路的结构示意图；
40.图2为本技术提供的发光器件驱动电路的电路示意图；
41.图3为本技术提供的发光器件驱动电路的时序图；
42.图4为本技术提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的复位阶段的通路示意图；
43.图5为本技术提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的补偿阶段的通路示意图；
44.图6为本技术提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的数据写入阶段的通路示意图；
45.图7为本技术提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的发光阶段的通路示意图。
46.图8为本技术提供的背光模组的结构示意图；
47.图9为本技术提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
48.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“左”、“右”通常是指装置实际使用或工作状态下的上、下、左和右，具体为附图中的图面方向。
49.本技术提供一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本技术实施例优选顺序的限定。
50.需要说明的是，由于本技术采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。
51.请参阅图1，图1为本技术提供的发光器件驱动电路的结构示意图。本技术提供一种发光器件驱动电路100，其包括发光器件d、驱动晶体管td、数据信号写入模块101、第一初始化模块102、第二电源信号写入模103、补偿模块104以及自举模块105。
52.其中，发光器件d串接于第一电源信号vdd与第二电源信号vss构成的发光回路。驱动晶体管td的源极以及漏极串接于发光回路。
53.数据信号写入模块101接入第一扫描信号s1和数据信号da，并电性连接于驱动晶体管td的栅极。数据信号写入模块101用于在第一扫描信号s1的控制下，将数据信号da写入驱动晶体管td的栅极。
54.第一初始化模块102接入第二扫描信号s2和第一电源信号vdd，并电性连接于驱动晶体管td的栅极。第一初始化模块102用于在第二扫描信号s2的控制下，初始化驱动晶体管td的栅极的电位。
55.第二初始化模块103接入第三扫描信号s3和第二电源信号vss，并电性连接于驱动晶体管td的源极和漏极中的一者。第二电源信号vss写入模块103用于在第三扫描信号s3的控制下，初始化驱动晶体管td的源极和漏极中的一者的电位。
56.补偿模块104接入第四扫描信号，并电性连接于驱动晶体管td的源极和漏极中的另一者以及驱动晶体管td的栅极，补偿模块104用于在第四扫描信号s4的控制下，对驱动晶体管td的阈值电压进行补偿；
57.自举模块105接入第五扫描信号s5，并电性连接于驱动晶体管td的源极和漏极中的一者以及驱动晶体管td的栅极。自举模块105用于拉高驱动晶体管td的栅极的电位。
58.进一步的，本技术提供的发光器件驱动电路100还包括发光控制模块106。发光控制模块106接入发光控制信号em，并串接于发光回路。发光控制模块106用于基于发光控制信号em控制发光回路导通或者截止。
59.需要说明的是，本技术只需保证发光控制模块106以及发光器件d串接于发光回路即可，图1所示的发光器件驱动电路100仅仅示意出发光控制模块106以及发光器件d的一种具体位置。也即，发光控制模块106以及发光器件d可以串接在发光回路上的任意位置。
60.本技术本提供的发光器件驱动电路100，通过设置第一初始化模块102、第二初始化模块103、补偿模块104以及自举模块，使得流经发光器件d的电流与驱动晶体管dt的阈值电压、第一电源信号vdd以及第二电源信号vss均无关。从而对阈值电压偏移以及第一电源信号vdd和第二电源信号vss的电压降进行了补偿，保证流经发光器件d的电流不变，避免驱动晶体管dt阈值电压偏移以及驱动电路中存在电压降导致的发光器件d亮度衰减。
61.在一些实施例中，请参阅图2，图2为本技术提供的发光器件驱动电路的电路示意图。结合图1、图2所示，数据信号写入模块101包括第一晶体管t1和第一电容c1。
62.第一晶体管t1的栅极接入第一扫描信号s1。第一晶体管t1的源极和漏极中的一者接入数据信号da。第一晶体管t1的源极和漏极中的另一者与第一电容c1的一端电性连接。第一电容c1的另一端与驱动晶体管td的栅极电性连接。当然，可以理解地，数据信号写入模
块101还可以采用多个晶体管和一个电容串联形成。
63.在一些实施例中，第一初始化模块102包括第二晶体管t2。第二晶体管t2的栅极接入第二扫描信号s2。第二晶体管t2的源极和漏极中的一者与驱动晶体管td的栅极电性连接。第二晶体管t2的源极和漏极中的另一者连接第一电源信号vdd。当然，可以理解地，第一初始化模块102还可以采用多个晶体管串联形成。
64.在一些实施例中，第二初始化模块103包括第三晶体管t3。第三晶体管t3的栅极接入第三扫描信号s3。第三晶体管t3的源极和漏极中的一者与驱动晶体管td的源极或漏极中的一者电性连接。第三晶体管t3的源极和漏极中的另一者接入第一电源信号vdd。当然，可以理解地，第二初始化模块103还可以采用多个晶体管串联形成。
65.在一些实施例中，补偿模块104包括第四晶体管t4。第四晶体管t4的栅极接入第四扫描信号s4。第四晶体管t4的源极和漏极中的一者与驱动晶体管td的栅极电性连接。第四晶体管t4的源极和漏极中的另一者与驱动晶体管td的源极和漏极中的另一者电性连接。当然，可以理解地，补偿模块104还可以采用多个晶体管串联形成。
66.在一些实施例中，自举模块105包括第五晶体管t5和第二电容c2。第五晶体管t5的栅极接入第五扫描信号s5。第五晶体管t5的源极和漏极中的一者与驱动晶体管td的源极和漏极中的一者电性连接。第五晶体管t5的源极和漏极中的另一者与第二电容c2的一端电性连接。第二电容c2的另一端与驱动晶体管td的栅极电性连接。当然，可以理解地，自举模块105还可以采用多个晶体管和一个电容串联形成。
67.在一些实施例中，发光控制模块106包括第六晶体管t6。第六晶体管t6的栅极接入发光控制信号em。第六晶体管t6的源极和漏极中的一者与驱动晶体管td的源极和漏极中的一者电性连接。第六晶体管t6的源极和漏极中的另一者与第二电容c2的一端电性连接。
68.当然，可以理解地，在本技术提供的发光器件驱动电路100中，发光控制模块106可以设置为一个、两个或多个。每一发光控制模块106均串接于发光回路。多个发光控制模块106可以接入同一发光控制信号em，也可以接入不同的发光控制信号em。此外，可以理解的是，发光控制模块106还可以采用多个晶体管串联形成。
69.本技术提供的发光器件驱动电路100采用7t2c(7个晶体管以及2个电容)结构的发光器件驱动电路对发光器件d进行控制，用了较少的元器件，结构简单稳定，节约了成本。
70.在一些实施例中，第一电源信号vdd和第二电源信号vss均用于输出一预设电压值。此外，在本技术实施例中，第一电源信号vdd的电位大于第二电源信号vss的电位。具体的，第二电源信号vss的电位可以为接地端的电位。当然，可以理解地，第二电源信号vss的电位还可以为其它。
71.在一些实施例中，驱动晶体管td、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5以及第六晶体管t6可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。此外，本技术提供的发光器件驱动电路100中的晶体管还可以是p型晶体管或n型晶体管。进一步的，可以设置本技术提供的发光器件驱动电路100中的晶体管为同一种类型的晶体管，从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对发光器件驱动电路100造成的影响。
72.请参阅图3，图3为本技术提供的发光器件驱动电路的时序图。发光控制信号em、第一扫描信号s1、第二扫描信号s2、第三扫描信号s3、第四扫描信号s4以及第五扫描信号s5相
组合先后对应于复位阶段t1、补偿阶段t2、数据写入阶段t3以及发光阶段t4。也即，在一帧时间内，本技术提供的发光器件驱动电路100的驱动控制时序包括复位阶段t1、补偿阶段t2、数据写入阶段t3以及发光阶段t4。
73.在一些实施例中，在复位阶段t1，第一扫描信号s1、第二扫描信号s2以及第三扫描信号s3均为高电位。第四扫描信号s4、第五扫描信号s5以及发光控制信号em均为低电位。此时，数据信号da的电位为低电位。
74.在一些实施例中，在补偿阶段t2，第一扫描信号s1、第三扫描信号s3以及第四扫描信号s4均为高电位。第二扫描信号s2、第五扫描信号s5以及发光控制信号em均为低电位。此时，数据信号da的电位为低电位。
75.在一些实施例中，在数据写入阶段t3，第一扫描信号s1和第三扫描信号s3均为高电位。第二扫描信号s2、第四扫描信号s4、第五扫描信号s5以及发光控制信号em均为低电位。此时，数据信号da的电位为高电位。
76.在一些实施例中，在发光阶段t4，第五扫描信号s5和发光控制信号em为高电位，第一扫描信号s1、第二扫描信号s2、第三扫描信号s3以及第四扫描信号s4均为低电位。此时，数据信号da的电位为低电位。
77.具体的，请参阅图3和图4，图4为本技术提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的复位阶段的通路示意图。在复位阶段t1，第二扫描信号s2为高电位，使得第二晶体管t2打开。第一电源信号vdd的电位经第五晶体管t5写入驱动晶体管td的栅极，以实现对驱动晶体管td的栅极的初始化。第三扫描信号s3为高电位，使得第三晶体管t3打开。第二电源信号vss的电位经第三晶体管t3写入驱动晶体管td的源极和漏极中的一者，以实现对驱动晶体管td的源极和漏极中的一者的初始化。第一扫描信号s1为高电位，使得第一晶体管t1打开。第一晶体管t1和电容c1构成通路，电容c1用于稳定驱动晶体管td的栅极的电位。此时，数据信号da为低电位。
78.与此同时，在复位阶段t1，由于第四扫描信号s4、第五扫描信号s5以及发光控制信号em均为低电位，使得第四晶体管t4、第五晶体管t5以及第六晶体管t6关闭。
79.请参阅图3和图5，图5为本技术提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的补偿阶段的通路示意图。在补偿阶段t2，第三扫描信号s3和第四扫描信号s4均为高电位，使得第四晶体管t4和第三晶体管t3打开。由于v
g
＝vdd(其中，g代表驱动晶体管td的栅极)，驱动晶体管td打开。则，第四晶体管t4连接驱动晶体管td的源极和漏极中的一者和驱动晶体管td的栅极。驱动晶体管td的源极和漏极中的一者和驱动晶体管td的栅极形成二极管结构。驱动晶体管td的栅极的电位由第一电源信号vdd的电位下降，驱动晶体管td的栅源电压vgs随之逐步降低。当驱动晶体管td的栅源电压vgs降低至驱动晶体管td的阈值电压vth时，驱动晶体管td就会关闭。此时，v
g
＝vss vth，v
s
＝vss。(其中，s代表驱动晶体管td的源极和漏极中的一者)。并且，第一扫描信号s1为高电位，使得第一晶体管t1打开。则由于存储电容c1的存在，驱动晶体管td的栅极的电位会维持在第二电源信号vss与驱动晶体管td的阈值电压之和。
80.与此同时，在补偿阶段t2，第二扫描信号s2、第五扫描信号s5以及发光控制信号em均为低电位，使得第二晶体管t2、第五晶体管t5以及第六晶体管t6关闭。
81.请参阅图3和图6，图6为本技术实施例提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动
时序下的数据写入阶段的通路示意图。在数据写入阶段t3，第一扫描信号s1为高电位，使得驱动晶体管td打开。此时，数据信号da由低电位转为高电位。驱动晶体管td的栅极的电位变为v
g
＝vss vth data_h
‑
data_l(其中，data_h代表数据信号da的高电位，data_l代表数据信号da的低电位)。此时，驱动晶体管td打开。第三扫描信号s3为高电位，使得第三晶体管t3打开，v
s
＝vss。
82.与此同时，由于第二扫描信号s2、第四扫描信号s4、第五扫描信号s5以及发光控制信号em均为低电位，使得第二晶体管t2、第四晶体管t4、第五晶体管t5以及第六晶体管t6均关闭。
83.请参阅图3和图7，图7为本技术实施例提供的发光器件驱动电路在图3所示的驱动时序下的发光阶段的通路示意图。在发光阶段t4，第五扫描信号s5和发光控制信号em为高电位，使得第五晶体管t5和第六晶体管t6打开。此时，数据信号da的电位为高电位。由于第五晶体管t5打开，第五晶体管t5和第二电容c2构成通路，使得s点电位对g点电位具有上举的作用。则驱动晶体管td的栅极的电位变为v
g
＝vss vth data_h
‑
data_l v_led，v
s
由vss变为vss v_led(其中，v_led代表led导通电压)。
84.进一步地，计算流经发光器件d的电流的公式为：
85.i
oled
＝1/2cox(μ1w1/l1)(vgs－vth)2，其中i
oled
为流经发光器件d的电流，μ1为驱动晶体管td的载流子迁移率，w1和l1分别为驱动晶体管td的沟道的宽度和长度，vgs为驱动晶体管td的栅极与源极和漏极中的一者之间的压差，vth为驱动晶体管td的阈值电压。
86.也即，流经发光器件d的电流：i
oled
＝1/2cox(μ1w1/l1)(vgs
‑
vth)2＝1/2cox(μ1w1/l1)(data_h
‑
data_l)2。
87.可知，流经发光器件d的电流与驱动晶体管dt的阈值电压vth、第一电源信号vdd以及第二电源信号vss均无关，从而实现对阈值电压以及电压降的补偿，避免驱动晶体管dt的阈值电压偏移以及驱动电路中存在电压降导致的发光器件d亮度衰减。
88.与此同时，由于第一扫描信号s1、第二扫描信号s2、第三扫描信号s3以及第四扫描信号s4均为低电位，使得第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3以及第四晶体管t4关闭。
89.请参阅图8，图8为本技术实施例提供的背光模组的结构示意图。本技术实施例还提供一种背光模组200，其包括第一扫描线10、第二扫描线20、第三扫描线30、第四扫描线40、第五扫描线50、发光控制信号线60、数据线70以及以上任一实施例所述的发光器件驱动电路100。其中，第一扫描线10用于提供第一扫描信号。第二扫描线20用于提供第二扫描信号。第三扫描线30用于提供第三扫描信号。第四扫描线40用于提供第四扫描信号。第五扫描线50用于提供第五扫描信号。发光控制信号线60用于提供发光控制信号。数据线70用于提供数据信号。发光器件驱动电路100与数据线70、第二扫描线20、第三扫描线30、第四扫描线40、第五扫描线50、发光控制信号线60连接。发光器件驱动电路100具体可参照以上对该发光器件驱动电路的描述，在此不做赘述。
90.请参阅图9，图9为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。本技术实施例还提供一种显示面板300，包括多个呈阵列排布的像素单元301，每一像素单元301均包括以上所述的发光器件驱动电路100，具体可参照以上对该发光器件驱动电路100的描述，在此不做赘述。
91.以上对本技术提供的发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。