像素电路、显示面板及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种像素电路、显示面板及电子设备。


背景技术：

2.电子设备的显示技术一直以来都是重点的研究方向之一，而像素电路是显示技术的核心。像素电路中的电子元器件主要由薄膜晶体管构成，传统的像素电路中，薄膜晶体管的稳定性易受到光照及电子流的影响，造成显示不良、错误等情况的出现。


技术实现要素：

3.本技术公开了一种像素电路，能够解决薄膜晶体管的稳定性易受到光照、电子流影响的技术问题。
4.第一方面，本技术提供了一种像素电路，所述像素电路包括第一开关单元，所述第一开关单元包括第一源极、第一漏极、第一沟道、第一栅极和第一遮挡件，所述第一源极与所述第一漏极分别连接第一沟道，所述第一遮挡件设置于所述第一沟道背离所述第一栅极的一侧。
5.所述第一栅极与所述第一遮挡件对所述第一沟道层具有遮挡保护作用，可以使所述第一开关单元的特性改善，有利于所述第一开关单元的稳定性、所述像素电路的电路设计以及提升所述像素电路的性能。
6.第二方面，本技术还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列分布的多个发光单元、及如第一方面所述的与所述发光单元对应的多个像素电路，所述发光单元与所述像素电路的所述阳极电连接。
7.第三方面，本技术还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本体及第二方面所述的显示面板，所述本体用于承载所述显示面板。
附图说明
8.为了更清楚的说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
9.图1为本技术第一实施方式提供的第一开关单元剖视示意图。
10.图2为本技术一实施例提供的第一开关单元剖视示意图。
11.图3为本技术一实施例提供的第一开关单元剖视示意图。
12.图4为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。
13.图5为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。
14.图6为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。
15.图7为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。
16.图8为本技术一实施例提供的像素电路示意图。
17.图9为本技术一实施例提供的像素电路示意图。
18.图10为本技术一实施例提供的信号时序示意图。
19.图11为本技术一实施例提供的显示面板电路示意图。
20.图12为本技术一实施例提供的电子设备电路示意图。
具体实施方式
21.下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
22.本技术提供了一种像素电路1，请参阅图1，图1为本技术第一实施方式提供的第一开关单元剖视示意图。所述像素电路1包括第一开关单元t1，所述第一开关单元t1包括第一源极s1、第一漏极d1、第一沟道sd1、第一栅极g1和第一遮挡件ls1。所述第一源极s1与所述第一漏极d1分别连接第一沟道sd1，所述第一遮挡件ls1设置于所述第一沟道sd1背离所述第一栅极g1的一侧。
23.在一种可能的实施例中，请再次参阅图1，所述像素电路1还包括遮挡层ls、沟道层a、栅极层g、源漏极层sd以及阳极层p。所述第一遮挡件ls1设置于所述遮挡层ls，所述第一沟道sd1设置于所述沟道层a，所述第一栅极g1设置于所述栅极层g，所述第一源极s1和所述第一漏极d1设置于所述源漏极层sd。所述阳极层p设置有阳极a，所述第一源极s1电连接至所述阳极a。
24.具体的，所述像素电路1还包括基板b，所述第一遮挡件ls1设置于所述遮挡层ls邻近所述基板b的一侧，所述基板b用于承载所述遮挡层ls及所述第一遮挡件ls1。
25.具体的，所述第一源极s1与所述第一漏极d1通过导体由所述源漏极层sd延伸至所述沟道层a并分别通过导体连接所述第一沟道sd1。所述第一遮挡件ls1可遮挡由所述第一遮挡件ls1背离所述第一沟道sd1一侧进入所述第一沟道sd1的光线、电子流，以防止所述第一开关单元t1的稳定性受到光线、电子流的影响。
26.具体的，根据所述第一栅极g1与所述第一遮挡件ls1分别设置于所述第一沟道sd1的两侧，对所述第一沟道sd1遮挡，可减小所述第一开关单元t1的开启电压的变化量，也就是说，使得所述第一开关单元t1的漂移量变小。随着所述第一开关单元t1的工作时间的增加，所述第一开关单元t1的开启电压可能因温度等因素发生变化，所述第一开关单元t1的漂移量变小是指，所述第一开关单元t1的开启电压前后的变化值变小，使得所述第一开关单元t1的稳定性提高。进一步的，所述第一遮挡件ls1在所述沟道层a的正投影面积覆盖所述第一沟道sd1在所述沟道层a的正投影面积，使得所述第一遮挡件ls1起到更好的遮挡效果。
27.可以理解的，在一实施例中，所述第一栅极g1与所述第一遮挡件ls1连接不同的电压点位，所述第一栅极g1与所述第一遮挡件ls1对所述第一沟道sd1层具有遮挡保护作用，可以使所述第一开关单元t1的特性改善，有利于所述第一开关单元t1的稳定性、所述像素电路1的电路设计以及提升所述像素电路1的性能。
28.在一种可能的实施例中，所述遮挡层ls、所述沟道层a、所述栅极层g、所述源漏极层sd以及所述阳极层p在投影重合部分自下而上的叠层设置。
29.在一种可能的实施例中，所述第一遮挡件ls1为导电材料并电连接至预设电压点位。
30.具体的，所述预设电压点位是指具有电压的输出点，例如，可以是输出固定的电压的输出点，也可以是第一栅极g1、第一源极s1、第一漏极d1等。本技术对所述第一遮挡件ls1电连接的所述预设电压点位不加以限制。
31.具体的，根据所述第一栅极g1与所述第一遮挡件ls1电连接的电压点位的不同，还可以调整所述第一栅极g1分别与所述阳极a及所述第一源极s1形成的耦合电容的电容值，使得所述像素电路1中的发光单元更稳定的工作。
32.下面将详细说明所述第一遮挡件ls1电连接电压点位不同时，所述第一开关单元t1的工作原理。
33.在一种可能的实施例中，所述第一遮挡件ls1电连接至固定电位vint。在本实施例中，所述固定电位vint设置于所述源漏极层sd。
34.具体的，当所述固定电位vint为直流负压时，所述第一开关单元t1的开启电压正向漂移。当所述固定电位vint为直流正压时，所述第一开关单元t1的开启电压反向漂移。
35.具体的，由于控制所述第一开关单元t1开启关闭的所述第一栅极g1的电压为正压，且所述第一开关单元t1的所述第一栅极g1与所述第一源极s1之间的电压大于开启电压。当所述固定电位vint为直流负压时，使得控制所述第一开关单元t1开启关闭的所述第一栅极g1的电压增大，所述第一开关单元t1的开启电压正向漂移。同理，当所述固定电位vint为直流正压时，使得控制所述第一开关单元t1开启关闭的所述第一栅极g1的电压减小，所述第一开关单元t1的开启电压反向漂移。
36.具体的，所述第一开关单元t1的开启电压正向漂移或反向漂移，为根据所述像素电路1的电路设计进行的适应性调整。例如，所述第一开关单元t1的初始开启电压为1v，且所述像素电路1所需求的所述第一开关单元t1的开启电压为1.2v，则当所述固定电位vint为直流负压时，可调整所述第一开关单元t1的开启电压由1v正向漂移至1.2v。反之亦然，所述第一开关单元t1的初始开启电压为1v，且所述像素电路1所需求的所述第一开关单元t1的开启电压为0.8v，则当所述固定电位vint为直流正压时，可调整所述第一开关单元t1的开启电压由1v反向漂移至0.8v。
37.可以理解的，在本实施例中，所述第一遮挡件ls1电连接至固定电位vint，提高了所述像素电路1的适应性及电路设计性。
38.需要说明的是，所述第一开关单元t1的开启电压正向漂移或反向漂移，与上文中所描述的所述第一开关单元t1的特性漂移的区别在于，所述第一开关单元t1的特性漂移为被动的，减少所述第一开关单元t1的特性漂移可以使所述第一开关单元t1更加稳定。所述第一开关单元t1的开启电压正向漂移或反向漂移是主动调整的，可提高所述像素电路1的适应性及设计性。也就是说，两者是独立的技术方案，所达到的有益效果是不同的。
39.可以理解的，在本实施例中，可根据所述第一遮挡件ls1电连接的电压的正负，控制所述第一开关单元t1的开启电压。
40.在一种可能的实施例中，请一并参阅图2，图2为本技术一实施例提供的第一开关
单元剖视示意图。所述第一遮挡件ls1通过导体电连接至所述第一栅极g1。所述第一遮挡件ls1与所述第一栅极g1用于同时向所述第一沟道sd1施加电压。
41.具体的，在本实施例中，所述第一开关单元t1中的所述第一遮挡件ls1与所述第一栅极g1形成双栅结构，所谓双栅结构，即所述第一遮挡件ls1与所述第一栅极g1电连接，且所述第一遮挡件ls1与所述第一栅极g1同时向所述第一沟道sd1施加电压。此种设置方式加强了所述第一沟道sd1的电流稳定性，且增大了所述第一沟道sd1的开启程度，电流更大。同时，减少了所述第一开关单元t1的特性漂移，从而降低了所述第一开关单元t1的器件功耗。
42.在一种可能的实施例中，所述第一遮挡件ls1通过导体电连接至所述第一源极s1。
43.可以理解的，所述第一遮挡件ls1通过导体电连接至所述第一源极s1为本技术所包含的一种实施例。所述第一遮挡件ls1对所述第一沟道sd1层具有遮挡保护作用，可以使所述第一开关单元t1的特性改善，有利于所述第一开关单元t1的稳定性。
44.在本技术所包含的实施例中，所述第一栅极g1分别和所述阳极a及所述第一源极s1形成耦合电容。
45.具体的，如图2所示，由于所述第一栅极g1与所述第一遮挡件ls1电连接，相当于所述耦合电容由所述第一遮挡件ls1与所述阳极a之间形成的耦合电容。通常情况下，所述像素电路1还包括耦合电容，所述耦合电容为所述阳极层p的电极与所述栅极层g的电极之间形成的耦合电容，或者是所述源漏极层sd的电极与所述栅极层g的电极之间形成的耦合电容。所述耦合电容用于存储所述第一开关单元t1的驱动电压值，可保持所述像素电路1中的发光单元正常工作。
46.具体的，所述遮挡层ls、所述沟道层a、所述栅极层g、所述源漏极层sd以及所述阳极层p在投影重合部分自下而上的叠层设置，有利于所述耦合电容的形成。可以理解的，只要不影响所述耦合电容的形成，本技术对所述遮挡层ls、所述沟道层a、所述栅极层g、所述源漏极层sd以及所述阳极层p的设置次序不加以限制。
47.在一种可能的实施例中，请一并参阅图3，图3为本技术一实施例提供的第一开关单元剖视示意图。所述像素电路1还包括扩容电极g11，所述扩容电极g11设置于所述栅极层g和所述源漏极层sd之间。所述扩容电极g11电连接所述第一源极s1，所述第一遮挡件ls1电连接至所述扩容电极g11。
48.具体的，在本实施例中，所述耦合电容为所述扩容电极g11与所述第一栅极g1之间形成的耦合电容。所述第一遮挡件ls1通过所述扩容电极g11电连接至所述第一源极s1，可改变所述第一栅极g1与所述第一源极s1之间形成的交叠面积。根据电容公式：
[0049][0050]
其中，ε为极板之间介质的介电常数、s为极板的交叠面积、k为静电力常量、d为极板之间的距离。可以得出，极板之间的交叠面积越大，电容越大的。也就是说，所述第一遮挡件ls1通过导体电连接至所述第一源极s1，可以在布局大小不变的情况下，增大所述耦合电容的电容值。
[0051]
具体的，如图3所示，所述第一栅极g1的投影落入所述阳极a和所述扩容电极g11的投影内。
[0052]
可以理解的，所述第一栅极g1的投影落入所述阳极a和所述扩容电极g11的投影
内，以保证所述第一栅极g1与所述阳极a及所述扩容电极g11的重叠面积最大，从而增大所述耦合电容的电容值。
[0053]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图4，图4为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。所述像素电路1还包括第二开关单元t2，所述第二开关单元t2包括第二源极s2、第二漏极d2、第二沟道sd2、第二遮挡件ls2和第二栅极g2。所述第二源极s2与所述第二漏极d2分别连接所述第二沟道sd2。所述第二遮挡件ls2电连接至预设电压点位，且用于遮挡所述第二沟道sd2。所述第二遮挡件ls2设置于所述遮挡层ls，所述第二沟道sd2设置于所述沟道层a，所述第二栅极g2设置于所述栅极层g，所述第二源极s2和所述第二漏极d2设置于所述源漏极层sd。
[0054]
具体的，所述第二遮挡件ls2设置于所述遮挡层ls邻近所述基板b的一侧，所述基板b还用于承载所述遮挡层ls及所述第二遮挡件ls2。
[0055]
具体的，如图4所示，所述第一遮挡件ls1与所述第二源极s2电连接，所述耦合电容为所述第一遮挡件ls1与所述阳极a之间形成的耦合电容。所述第二遮挡件ls2及所第一栅极g1电连接至固定电位vint；所述第二源极s2通过导体连接至所述第一导电遮挡件。
[0056]
具体的，由于引入了所述第一遮挡件ls1，所述第一开关单元t1为底栅结构。当所述第一开关单元t1工作时，所述第一栅极g1电连接固定电位vint，使得所述第一开关单元t1特性漂移，所述第一开关单元t1的开启电压偏移量减小。所述第一遮挡件ls1可遮挡由所述第一沟道sd1背离所述第一遮挡件ls1一侧进入所述第一沟道sd1的电子流，所述第一栅极g1可遮挡由所述第一沟道sd1背离所述第一栅极g1进入所述第一沟道sd1的光线，提高所述第一开关单元t1的稳定性。同理，所述第二遮挡件ls2电连接固定电位vint，使得所述第二开关单元t2特性漂移，所述第二开关单元t2的开启电压偏移量减小。所述第二遮挡件ls2可遮挡由所述第二沟道sd2背离所述第二遮挡件ls2一侧进入所述第二沟道sd2的电子流，所述第二栅极g2可遮挡由所述第二沟道sd2背离所述第二栅极g2进入所述第一沟道sd1的光线，提高所述第一开关单元t1的稳定性。
[0057]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图5，图5为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。所述第二遮挡件ls2通过导体电连接至所述第二栅极g2，所述第一遮挡件ls1分别电连接至所述第二源极s2和所述第一栅极g1。
[0058]
具体的，如图5所示，所述耦合电容为所述第一遮挡件ls1与所述阳极a之间形成的耦合电容。本实施例与上述实施例的区别在于，所述第一开关单元t1为双栅结构，且所述第二遮挡件ls2通过导体电连接至所述第二栅极g2，所述第二开关单元t2形成双栅结构。所述第二遮挡件ls2与所述第二栅极g2同时向所述第二沟道sd2施加电压。此种设置方式加强了所述第二沟道sd2的电流稳定性，且增大了所述第二沟道sd2的开启程度，电流更大。同时，减少了所述第二开关单元t2的特性漂移，从而降低了所述第二开关单元t2的器件功耗。
[0059]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图6，图6为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。所述第二遮挡件ls2电连接至固定电位vint，所述第一栅极g1电连接至所述第一遮挡件ls1及所述第二源极s2。
[0060]
具体的，如图6所示，所述耦合电容为所述第一栅极g1与所述第一源极s1及所述阳极a之间形成的耦合电容。本实施例与上述实施例的区别在于，所述第一开关单元t1为双栅结构，且所述第二遮挡件ls2电连接固定电位vint。双栅结构及电连接固定电位vint的解释
请参阅上文描述，在此不再赘述。
[0061]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图7，图7为本技术一实施例提供的第一开关单元与第二开关单元的剖视示意图。所述像素电路1还包括扩容电极g11，所述扩容电极g11设置于所述栅极层g和所述源漏极层sd之间，所述扩容电极g11电连接所述第一源极s1。所述第一遮挡件ls1电连接至所述扩容电极g11，所述第二遮挡件ls2电连接至固定电位vint，所述第二源极s2导体连接至所述第一栅极g1。
[0062]
具体的，如图7所示，所述耦合电容为所述扩容电极g11与所述第一栅极g1之间形成的耦合电容。本实施例与上述实施例的区别之处在于所述第一遮挡件ls1电连接通过导体电连接所述扩容电极g11及所述第一源极s1，所述第二遮挡件ls2电连接固定电位vint。
[0063]
具体的，所述第一栅极g1的投影落入所述阳极a和所述扩容电极g11的投影内。
[0064]
可以理解的，由于所述第一遮挡件ls1电连接所述扩容电极g11，增大了所述扩容电极g11与所述阳极a及所述第一栅极g1的交叠面积，增大了所述耦合电容的电容值。所述第二遮挡件ls2电连接固定电位vint的解释请参阅上文描述，在此不再赘述。
[0065]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图8，图8为本技术一实施例提供的像素电路示意图。所述像素电路1还包括第三开关单元t3和第四开关单元t4，所述第三开关单元t3包括第三栅极g3、第三源极s3及第三漏极d3。所述第四开关单元t4包括第四栅极g4、第四源极s4及第四漏极d4。所述第一栅极g1电连接所述第二源极s2，所述第一源极s1电连接所述第四源极s4，所述第一漏极d1电连接所述第三源极s3。所述第二栅极g2电连接第一扫描信号scan(n)，所述第二漏极d2电连接数据信号vref/vdata，所述第三栅极g3电连接控制信号en，所述第三漏极d3电连接高电位vdd，所述第四栅极g4电连接第二扫描信号scan(n-1)，所述第四漏极d4电连接固定电位vint。
[0066]
具体的，所述像素电路1还包括存储电容c2，所述存储电容c2的一端电连接所述高电位vdd，所述存储电容c2的另一端电连接所述阳极a。所述存储电容c2用于存储所述高电位vdd与所述阳极a之间的电压值，使得所述高电位vdd对所述阳极a充电时的充电电流更加稳定。
[0067]
具体的，所述第一扫描信号scan(n)用于控制所述第二开关单元t2的通断，使得所述数据信号vref/vdata通过所述第二开关单元t2向所述第一开关单元t1传输。所述控制信号en用于控制所述第三开关单元t3的通断，用于将所述高电位vdd通过所述第三开关单元t3向所述阳极a传输。所述第二扫描信号scan(n-1)用于控制所述第四开关单元t4的通断，用于将固定电位vint通过所述第四开关单元t4传输至所述阳极a，进行电压复位。所述像素电路1通过所述数据信号vref/vdata驱动发光单元发光。
[0068]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图9，图9为本技术一实施例提供的像素电路示意图。所述第三开关单元t3包括第三沟道sd3，所述第三源极s3与所述第三漏极d3分别连接所述第三沟道sd3，所述第四开关单元t4包括第四沟道sd4，所述第四源极s4与所述第四漏极d4分别连接所述第四沟道sd4，所述第三源极s3与所述第三漏极d3之间形成第三沟道sd3，所述第四源极s4与所述第四漏极d4之间形成第四沟道sd4。所述第三开关单元t3还包括电连接预设电压点位且用于遮挡所述第三沟道sd3的第三遮挡件ls3。所述第四开关单元t4还包括电连接预设电压点位且用于遮挡所述第四沟道sd4的第四遮挡件ls4。
[0069]
可以理解的，在本实施例中，所述第三遮挡件ls3遮挡所述第三沟道sd3，增加了所
述第三开关单元t3的稳定性。所述第四遮挡件ls4遮挡所述第四沟道sd4，增加了所述第四开关单元t4的稳定性。
[0070]
具体的，所述第三遮挡件ls3电连接至第三栅极g3、第三源极s3、数字电位、固定电位vint中的至少一项。所述第四遮挡件ls4电连接至第四栅极g4、第四源极s4、数字电位、固定电位vint中的至少一项。
[0071]
根据所述第三遮挡件ls3电连接的电压点位的不同，所产生的有益效果不同。由于所述第三遮挡件ls3与所述第一遮挡件ls1结构及原理相似，所述第三遮挡件ls3电连接的电压点位不同时，所产生的有益效果请参阅所述第一遮挡件ls1电连接的电压点位的解释，在此不再赘述。同理，所述第四遮挡件ls4电连接的电压点位不同时，所产生的有益效果请参阅所述第一遮挡件ls1电连接的电压点位的解释，在此不再赘述。
[0072]
需要说明的是，只要不影响所述像素电路1的正常工作，上述实施例中的所述第一源极s1与所述第一漏极d1、所述第二源极s2与所述第二漏极d2、所述第三源极s3与所述第三漏极d3、所述第四源极s4与所述第四漏极d4的连接关系均可以对应置换，本技术对此不加以限制。
[0073]
在一种可能的实施例中，请一并参阅图9及图10，图10为本技术一实施例提供的信号时序示意图。在该像素电路1的初始化阶段m1，所述控制信号en输出低电平而使第三开关单元t3截止。
[0074]
具体的，所述像素电路1驱动发光单元发光的过程可分为四个阶段，且第一个阶段为所述初始化阶段m1。如图9及图10所示，在所述初始化阶段m1中，所述第二扫描信号scan(n-1)输出高电平使得所述第四开关单元t4打开，将固定电位vint输入至所述阳极a，进行复位。此时，所述控制信号en输出低电平使得所述第三开关单元t3截止，以防止所述高电位vdd通过所述第三开关单元t3传输至所述阳极a。通常情况下，所述阳极a的电压值大于所述固定电位vint的电压值。若所述第三开关单元t3开启，电流将由所述高电位vdd将通过所述第三开关单元t3、第一开关单元t1及所述第四开关单元t4传输至所述固定电位vint，从而增加了所述像素电路1的功耗。可以理解的，在本实施例中，在所述初始化阶段m1，所述控制信号en输出低电平而使第三开关单元t3截止，使得所述像素电路1的功耗减少。
[0075]
具体的，如图10所示，所述数据信号vref/vdata包括参考电压信号vref和数据电压信号vdata；所述第一扫描信号scan(n)在所述数据信号vref/vdata为参考电压信号vref时输出高电平；在所述第一扫描信号scan(n)在所述数据信号vref/vdata为数据电压信号vdata时输出低电平。
[0076]
具体的，所述参考电压信号vref用于初始化所述第二源极s2的电压点位，所述数据电压信号vdata传输至所述阳极a，用于驱动发光单元发光。
[0077]
具体的，在本实施例中，在所述像素电路1的初始化阶段m1的第一时间内，第一扫描信号scan(n)输出高电平，数据信号vref/vdata输出参考电压；在像素电路1的初始化阶段m1的第二时间内，第一扫描信号scan(n)输出低电平，数据信号vref/vdata输出数据电压。
[0078]
具体的，在初始化阶段m1中，所述第一扫描信号scan(n)输出高电平时，所述第二开关单元t2开启，将所述参考电压信号vref传输至所述第二源极s2。所述第一扫描信号scan(n)输出低电平时，所述第二开关单元t2截止。由于不同的所述数据电压信号vdata的
电压值可能不同，此种设置方式可使得每一次初始化阶段m1，传输至所述第二源极s2的电压值一致，不会对下一次初始化阶段m1产生影响，提高了所述像素电路1的稳定性。
[0079]
所述像素电路1驱动发光单元发光的第二个过程为补偿阶段m2。具体的，如10及图10所示，在补偿阶段m2中，所述第二扫描信号scan(n-1)输出低电平，控制所述第四开关单元t4截止，所述固定电位vint停止通过所述第四开关单元t4传输至所述阳极a。所述第一扫描信号scan(n)输出高电平，控制所述第二开关单元t2开启，再次将所述参考电压信号vref传输至所述第二源极s2。所述控制信号en输出高电平，控制所述第三开关单元t3开启，所述高电位vdd通过所述第三开关单元t3及所述第一开关单元t1向所述阳极a充电，直至所述第一栅极g1与第一源极s1之间的电压值等于所述第一开关单元t1的开启电压时，所述第一开关单元t1截止。此时，所述阳极a的电压值为所述参考电压信号vref的电压值与所述第一开关单元t1的开启电压的电压值的差值，即：
[0080]
vanode＝vref-vth
[0081]
其中，vanode为所述阳极a的电压值，vref为所述参考电压信号vref的电压值，vth为所述第一开关单元t1的开启电压值。通过合理的设置所述参考电压信号vref及所述固定电位vint的电压值，可以确保在补偿阶段m2结束时，所述阳极a的电压值小于发光单元的开启电压，换句话说，发光单元在补偿阶段m2不发光。
[0082]
所述像素电路1驱动发光单元发光的第三个过程为写入阶段m3。需要说明的是，根据显示画面的不同，所述数据电压信号vdata的电压值可以为正值，也可以为负值，换句话说，所述数据电压信号vdata的电压值可以大于、等于或小于所述参考电压信号vref的电压值。在写入阶段m3，如图9及图10所示，所述第二扫描信号scan(n-1)输出仍低电平，所述第四开关单元t4截止。所述控制信号en输出低电平，所述高电位vdd停止通过所述第三开关单元t3向所述阳极a充电，所述阳极a的电压值保持在补偿阶段m2的所述阳极a的电压值。所述第一扫描信号scan(n)输出高电平，控制所述第二开关单元t2开启，所述数据电压信号vdata经过所述第二开关单元t2传输至所述第二源极s2，此时，所述第二源极s2的电压改变，并通过所述耦合电容cst改变所述阳极a的电压。所述阳极a的电压变化值公式为：
[0083][0084]
其中，δanode为所述阳极a的电压变化值，δnst为所述第二源极s2的电压变化值，cst为所述耦合电容cst的电容值，c2为所述存储电容c2的电容值，coled为发光单元的电压值，vdata为所述数据电压信号vdata的电压值。
[0085]
所述像素电路1驱动发光单元发光的第三个过程为发光阶段m4。如图9及图10所示，所述第二扫描信号scan(n-1)输出仍低电平，所述第四开关单元t4截止。所述第一扫描信号scan(n)输出低电平，控制所述第二开关单元t2截止，所述耦合电容cst使所述第二源极s2的电压值保持为所述数据电压信号vdata的电压值。所述控制信号en输出高电平，控制所述第三开关单元t3开启，所述高电位vdd通过所述第三开关单元t3向所述阳极a充电，此时，所述第一开关单元t1的电流值为：
[0086][0087]
可以理解的，通过所述第一开关单元t1的电流值与通过发光单元的电流值相等，也就说是，所述第一开关单元t1的电流值消去了开启电压的影响，使得发光单元发光不受开启电压的影响，从而更加稳定的发光。
[0088]
本技术还提供了一种显示面板2，请一并参阅图11，图11为本技术一实施例提供的显示面板电路示意图。所述显示面板2包括阵列分布的多个发光单元21、及如上文所述的与所述发光单元21对应的多个像素电路1，所述发光单元21与所述像素电路1的所述阳极a电连接。
[0089]
具体的，所述多个发光单元21及所述多个像素电路1均设置于所述基板b上。所述像素电路1请参阅上文描述，在此不再赘述。通常情况下，所述发光单元21还电连接一低电位，且所述像素电路1用于根据所述数据信号vref/vdata输出的所述数据电压信号vdata的电压，传输至所述阳极a并结合所述低电位驱动所述发光单元发光，以达到显示画面的目的。
[0090]
本技术还提供了一种电子设备3，请一并参阅图12，图12为本技术一实施例提供的电子设备电路示意图。所述电子设备3包括本体31及上文所述的显示面板2，所述本体31用于承载所述显示面板2。
[0091]
本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。