信息处理装置和信息处理方法与流程

1.本发明涉及信息处理装置和信息处理方法。


背景技术：

2.在半导体制造工厂中，通常安装用于曝光基板的诸如半导体曝光装置之类的半导体制造装置，并且基板将被有效地处理同时检查每个装置的操作状况。另外，在半导体制造装置中出现故障的情况下，将迅速地执行用于克服故障的操作。
3.日本专利申请公开no.2009
‑
170612讨论了一种用于检测半导体制造装置中的故障的技术。具体地，半导体制造装置的处理结果以各自包括多个基板的批次为单位进行统计处理，并且统计处理的结果被显示为图表。这使用户容易立即标识已出现故障的批次。
4.根据基于各自包括多个基板的批次而显示的图表，当差异产生时，用户可以识别批次间的差异，但用户难以立即确定差异的原因。用户需要根据以批次的晶片为单位的数据来确定批次间的差异的原因。除非用户收集数据并分析数据，否则用户不能确定批次间的差异的原因，并且克服故障要花费大量的时间。


技术实现要素：

5.根据本发明的一个方面，一种信息处理装置包括：获取单元，被配置为获取关于基板处理的处理信息，处理信息包括处理数据和处理条件；以及显示控制单元，被配置为基于由获取单元获取的处理信息来控制显示装置上的显示，其中，显示控制单元被配置为在显示装置上选择性地显示第一画面和第二画面，第一画面逐批次地显示包括多个基板的批次的处理数据，第二画面逐基板地显示第一批次的处理数据，第一批次是由用户从第一画面上显示的批次中指定的批次。
6.根据以下参考附图对实施例的描述，本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
7.图1是图示物品制造系统的图。
8.图2是图示作为图案形成装置的示例的曝光装置的图。
9.图3是图示信息处理装置的硬件配置的图。
10.图4是图示管理装置的中央处理单元(cpu)的配置的图。
11.图5是图示显示装置的显示处理的流程图。
12.图6是图示根据第一实施例的批次数据的显示的图。
13.图7是图示根据第一实施例的处理数据的显示的图。
14.图8是图示指定批次的处理条件被突出显示的显示的图。
15.图9是图示同一画面上显示的批次数据和处理数据的图。
16.图10是图示根据第二实施例的批次数据的显示的图。
17.图11是图示根据第二实施例的处理数据的显示的图。
18.图12是图示根据第三实施例的批次数据的显示的图。
19.图13是图示根据第三实施例的处理数据的显示的图。
具体实施方式
20.以下将参考附图来详细地描述本发明的各种实施例。
21.在第一实施例中，将描述包括多个装置以及管理该多个装置的管理装置的物品制造系统。图1是图示了物品制造系统的图。根据本实施例的物品制造系统100包括图案形成装置200、处理装置201、检查装置202和管理装置300。图案形成装置200在晶片(基板)上形成图案。管理装置300管理图案形成装置200、处理装置201和检查装置202。另外，物品制造系统100的图案形成装置200、处理装置201和检查装置202各自包括一个或多个装置。
22.图案形成装置200包括曝光装置，曝光装置用光照明其上形成有图案的掩模(reticle)(掩模版、原始版)，并且用来自掩模的光将图案投影到晶片上的压射区域(shot region)上。另外，图案形成装置200包括压印装置，压印装置通过例如使馈送到晶片上的压印材料与铸件(cast)(原始版、模具)接触并对压印材料施加用于固化的能量来形成其上转印有铸造形状的组成物。另外，图案形成装置200包括绘图装置，绘图装置经由带电粒子光学系统用诸如电子束和离子束之类的带电粒子束在基板上执行绘图，以在基板上形成图案。图案形成装置200使用以上方法执行基板处理。
23.处理装置201包括在制造诸如设备之类的物品时执行除了由诸如曝光装置之类的装置执行的处理之外的处理的制造装置。制造装置的示例是将感光介质施加到基板表面的施加装置以及对其上转印有的图案的基板进行显影的显影装置。处理装置201还包括诸如刻蚀装置和膜形成装置之类的其它装置。
24.检查装置202包括例如覆盖检查装置、线宽检查装置、图案检查装置和电特性检查装置。覆盖检查装置是检查包括各自其上形成有图案的多个层的基板的上层的图案与下层的图案之间的位移的精度的装置。另外，线宽检查装置是检查形成在基板上的图案的诸如线宽之类的尺寸的精度的装置。另外，图案检查装置是检查由于其上形成有图案的基板上的异物颗粒或者由于缺少压印材料而导致不满足精度的图案的存在或不存在的装置。另外，电特性检查装置是检查根据其上形成有图案的基板而制造的半导体设备的电特性的精度的装置。
25.下面将描述用来自其上形成有图案的掩模的光对晶片进行曝光的曝光装置作为图案形成装置200的示例。图2是图示了作为图案形成装置200的示例的曝光装置的图。下面将描述在同步驱动掩模台和晶片台的同时执行曝光的步进扫描方法的曝光装置作为根据本实施例的曝光装置204。另外，曝光装置204不限于扫描仪，并且可以是在晶片台静止的情况下执行曝光的分步重复方法的曝光装置。在图2中图示的示例中，曝光装置204包括光源7、照明光学系统8、掩模台2、投影光学系统3、晶片台6、晶片卡盘5和控制单元13。曝光装置204还包括激光干涉仪9和激光干涉仪10、聚焦传感器、晶片输送单元12、掩模输送单元14和对准观察仪(alignment scope)15。另外，在图2中，与投影光学系统3的光轴平行的方向是z轴方向，并且在与z轴方向垂直的平面中且彼此正交的两个方向分别是x轴方向和y轴方向。
26.光源7是例如高压汞灯、氟化氩(arf)准分子激光器或氟化氪(krf)准分子激光器。另外，光源7不必位于曝光装置204的腔室内部，并且可以是外部光源。从光源7发射的光经
由照明光学系统8照射掩模1。在掩模1上绘制要被转印到其上施加有感光材料的晶片4上的图案，并且掩模1被放置在掩模台2上。掩模台2经由掩模卡盘通过吸力保持掩模1，并且通过例如线性电机可移动。
27.投影光学系统3将绘制在掩模1上的图案的图像投影到放置在晶片卡盘5上的晶片4上。在将图案的图像投影到晶片4上时，颠倒且缩小的图像经由投影光学系统3以投影倍率(例如，四分之一)被投影到晶片4上。投影有图案的图像的区域被称为压射区域，并且在晶片4上设置多个压射区域。在压射区域上顺次地重复执行投影。
28.晶片台6由线性电机的致动器驱动以在x方向和y方向上移动。晶片卡盘5被放置在晶片台6上并且保持晶片4。晶片台6在z方向、θ方向、ωx方向和ωy方向上定位晶片卡盘5。因此，由晶片卡盘5保持的晶片4通过晶片台6和晶片卡盘5的驱动来移动。
29.激光干涉仪9测量掩模台2在y方向上的位置，并测量掩模台2的定向。激光干涉仪9包括类似地测量掩模台2在x方向上的位置的激光干涉仪。激光干涉仪10测量其上放置有晶片4的晶片台6在y方向上的位置，并测量晶片台6的定向。此外，激光干涉仪10包括类似地测量晶片台6在x方向上的位置的激光干涉仪。掩模台2和晶片台6的位置基于由激光干涉仪9和激光干涉仪10测得的位置由以下描述的控制单元13来控制。
30.聚焦传感器包括将光投影到晶片4上的光投影系统11a、接收来自晶片4的反射光的光接收系统11b以及检测来自光接收系统11b的光并将检测信号输出到控制单元13的检测单元。光投影系统11a和光接收系统11b被定位成将投影光学系统3的发射部的附近夹在中间。光投影系统11a将斜入射光投影到晶片4上，并且光接收系统11b捕获在相对侧反射的光。下面描述的控制单元13根据由聚焦传感器检测到的检测信号来测量晶片4在z方向上的位置，并且通过晶片台6来控制晶片4的移动。
31.晶片输送单元12输送晶片4。晶片输送单元12将晶片4从用于存储晶片4的晶片存储容器输送到晶片台6。另外，晶片输送单元12将晶片4从晶片台6输送到晶片存储容器。
32.掩模输送单元14输送掩模1。掩模输送单元14将掩模1从用于存储掩模1的掩模存储容器输送到掩模台2。另外，掩模输送单元14将掩模1从掩模台2输送到掩模存储容器。
33.对准观察仪15获取形成在晶片4上的标记的捕获图像的数字图像信号，以定位(对准)保持在晶片卡盘5上的晶片4。对准观察仪15包括图像传感器和模拟/数字(a/d)转换单元。图像传感器输出基于来自晶片4的反射光的亮度
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即强度的强度图像信号。a/d转换单元将从图像传感器获取的强度图像信号转换成数字图像信号。下述的控制单元13使用所获取的数字图像信号来检测形成在晶片4上的标记的位置，基于检测到的标记的位置来控制晶片台6，并定位晶片4。
34.控制单元13通过控制曝光装置204的部件的操作和调整来控制晶片4上的曝光处理。控制单元13包括例如诸如现场可编程门阵列(fpga)之类的可编程逻辑器件(pld)、专用集成电路(asic)、其中嵌入有程序的计算机、或以上部件的所有或一些的组合。另外，控制单元13可以与曝光装置204的其它部分一体化(控制单元13和其它部分可以被设置在相同的壳体中)，或者可以与曝光装置204的其它部分分开设置(控制单元13和其它部分可以被设置在不同的壳体中)。另外，控制单元13应用从以下描述的存储装置获取的信息来控制晶片4上的曝光处理(图案形成处理)的执行。
35.接下来，将描述管理装置300。图3是图示了信息处理装置的硬件配置的图。信息处
理装置包括中央处理单元(cpu)301、只读存储器(rom)302、随机存取存储器(ram)303、存储装置304、输入装置305、显示装置306和通信装置307。信息处理装置的每个硬件基于程序来运行。在图3中图示的示例中，cpu 301是基于程序来执行用于控制的计算并控制连接到总线308的每个部件的处理装置。rom 302是用于读取数据的专用存储器，并存储程序和数据。ram 303是用于读取和写入数据的存储器，并用于存储程序和数据。ram 303用于临时存储诸如由cpu 301进行的计算的结果之类的数据。存储装置304用于存储程序和数据。存储装置304还用作用于临时存储信息处理装置的操作系统(os)的程序和数据的区域。
36.存储装置304在数据输入和输出方面比ram 303慢，但能够存储大量数据。存储装置304期望是将数据存储作为永久数据以用于长期参考的非易失性存储装置。存储装置304主要包括磁存储装置(硬盘驱动器(hdd))或固态驱动器(ssd)，但可以是诸如光盘(cd)、数字多功能盘(dvd)、存储卡等的外部介质被附接以读取和写入数据的装置。
37.输入装置305是用于向信息处理装置输入字符和数据的装置。输入装置305是各种键盘和鼠标。显示装置306是充当管理装置300的用户界面并显示信息处理装置的操作所需要的信息和处理结果的装置。显示装置306是阴极射线管(crt)或液晶监视器。可通过触摸诸如触摸面板之类的屏幕来操作的显示装置306也充当输入装置305。虽然输入装置305和显示装置306被描述为管理装置300的一部分，但输入装置305和显示装置306不限于所描述的这些，并且可以例如是图案形成装置200的一部分。
38.通信装置307用于通过连接到网络并基于诸如通过互联网协议的传输控制协议(tcp/ip)之类的通信协议执行数据通信来与其它装置通信。另外，信息处理装置可以包括图形处理单元(gpu)以使得能够进行高速计算处理。管理装置300是信息处理装置并经由通信装置307连接到多个曝光装置204，以与多个曝光装置204通信数据。
39.图4是图示了管理装置300的cpu 301的配置的图。cpu 301包括获取单元401、累积单元402、计算单元403和显示控制单元404。图5是图示了用于分析曝光装置204中出现的故障的显示装置306的显示处理的流程图。
40.将参考图4和图5描述根据本实施例的管理装置300的显示装置306的显示处理。在本实施例中，显示装置306的显示减少了分析曝光装置204中的故障的原因所需的时间。在本实施例中术语“故障”是指足以使曝光装置204停止的故障，并且还是指降低曝光装置204的精度以影响生产率的故障。
41.将描述图5中图示的流程图。在步骤s501中，获取单元401获取关于曝光装置204的处理信息。关于曝光装置204的处理信息包括曝光装置204的处理数据和在曝光处理中应用的处理条件。曝光装置204的处理数据是包括曝光装置204的操作结果和由曝光装置204曝光的晶片4的状态的信息。处理数据的内容具体地是同步精度数据和对准精度数据。同步精度数据是表示在例如在y轴方向上同步地驱动掩模台2和晶片台6以曝光目标压射区域的时段期间的掩模台2和晶片台6的相对位置的误差的数据。另外，对准精度数据是表示通过捕获在目标晶片4上形成的标记的图像而获取的数字图像信号的波形数据和数字图像信号的评估(波形数据的对称性、数字图像信号的对比度)的数据。
42.在曝光处理中应用的处理条件是指针对每个要制造的晶片的配方(recipe)确定的配方和针对每个曝光装置204确定的装置参数。配方是由多个曝光装置204共享和使用的处理条件。装置参数是不由多个曝光装置204共享的处理条件。例如，配方是晶片曝光时的
曝光量以及遵循曝光图案的个体校正值和校正算法的选择。装置参数是例如投影光学系统3的校正值、控制晶片台6的方法和控制参数。另外，在表702中显示的处理条件不限于以上描述的这些，并且可以显示定义其它处理条件的参数。
43.接下来，在步骤s502中，在步骤s501中获取的曝光装置204的处理数据和处理条件被累积在累积单元402中。关于处理数据，例如，基于晶片的(逐基板的)处理数据被累积在累积单元402中。
44.在步骤s503中，计算单元403基于累积单元402中累积的基于晶片的处理数据来计算作为基于批次的处理数据的批次数据。根据基于晶片的处理数据的统计值(例如，最大值、最小值、平均值、中值、标准偏差)来计算批次数据。另外，可以由曝光装置204替代计算单元403来计算批次数据。例如，获取单元401可以从曝光装置204获取由曝光装置204计算出的批次数据，并且处理前进到步骤s504。
45.在步骤s504中，显示控制单元404将批次数据输出到显示装置306，并控制显示装置306显示如图6中图示的批次数据。图6图示了显示批次数据的画面。图表601的水平轴表示由曝光装置204执行的批次的名称，并且垂直轴表示作为基于批次的处理数据的值的批次数据值。
46.在设定栏602中，可以输入或选择要在图表601中显示的内容。用户输入或选择曝光装置204所处的半导体生产线的名称、标识装置的信息(例如，标识装置的id)、要显示的数据以及用于计算统计值(例如，最大值、最小值、平均值、中值、标准偏差)的统计方法。显示装置306基于输入或选择的内容来更新图表601的显示内容。在图表601中，可以针对执行批次时的每个配方来改变显示时的颜色和/或形状。
47.在步骤s505中，显示控制单元404确定用户是否指定了批次。在批次被指定(步骤s505中为“是”)的情况下，处理前进至步骤s506。用户通过选择绘制在图表601上的批次数据或者通过输入批次名称来指定批次。批次指定方法是通过诸如鼠标、键盘或触摸面板之类的计算机的输入设备以及控制输入设备的程序来实现的。用户指定出现了故障的批次以通过下面描述的方法来标识故障的原因。
48.在步骤s506中，显示控制单元404将步骤s505中指定的批次的处理数据输出到显示装置306，并且显示装置306显示图7。图7图示了显示处理数据的图表701以及图示了曝光处理的处理条件的表702的画面。图表701的水平轴表示晶片编号，并且图表701的垂直轴表示作为基于晶片的处理数据的值的晶片数据值。
49.表702显示批次的名称和曝光装置204的处理条件。可以显示所有的处理条件，或者可以只显示与处理数据相关的处理条件。处理数据与和处理数据相关的处理条件之间的关系可以被存储在存储装置304中，并且用户可以静态地或动态地指定处理数据与和处理数据相关的处理条件之间的关系。
50.在图表701中，按与用户指定的批次的配方相同的配方经历了曝光处理的每个批次的处理数据也被显示作为相对于在步骤s506中指定的批次的显示比较目标。表702显示指定的批次和用于比较的批次的处理条件。虽然按与用户指定的批次的配方相同的配方经历了曝光处理的每个批次将被描述为比较目标批次，但比较目标批次不限于上述的批次，并且可以是使用与用户指定的批次的处理条件相同的一个或多个处理条件经历了曝光处理的批次。
51.用户检查在步骤s506中在显示装置306上显示的内容，并分析指定批次与其它批次之间的基于晶片的处理数据、趋势和处理条件中的差异。用户基于分析结果来标识曝光装置204中的故障的原因，并执行用于克服故障的操作。
52.在步骤s507中，在用户确定要结束画面的情况下，显示装置306上的显示结束。
53.下面，将通过将显示装置306上显示的画面与用户操作相关联来更详细地描述直到克服曝光装置204中的故障为止的上述处理。用户首先显示图6中图示的画面，以检查在曝光装置204中是否存在故障。通过检查图表601，用户识别出批次bbb的批次数据显著大于其它批次数据。然后，为了分析差异的原因，用户在画面上指定图表601的批次bbb。显示装置306的画面显示从图表601切换到图7中的图表701和表702。此时，还显示按与批次bbb的配方相同的配方经历了曝光处理的批次ccc和批次eee的基于晶片的处理数据和处理条件。
54.在图表701中显示的基于晶片的处理数据是计算在图表601中显示的批次数据的处理数据。通过检查图表701，用户可以识别出批次bbb的十个晶片中的第一个晶片的处理数据的值大于第二个晶片至第十个晶片以及其它批次的晶片的处理数据的值。还识别出在表702中显示的处理条件的设定值1至4当中的设定值1至3与其它批次的设定值不同。另外，设定值1和2是基本上相同的数值，并且因此被认为影响很小，使得确定了设定值3的差异是故障的原因。
55.结果，用户确定批次间的差异是由于设定值3产生的，并迅速执行诸如将处理条件改变为与其它批次的处理条件相同的处理条件之类的操作。为了使分析操作更有效，可以突出显示批次之间不同的每个处理条件。图8图示了突出显示的处理条件的示例。在用户指定批次bbb和批次eee的情况下，仅突出显示作为显示的处理条件当中的不同的处理条件的设定值1和3。这使用户容易在视觉上确定批次间的处理条件的差异。尽管在图8中图示的示例中通过改变字符以描绘字符来突出显示表中的显示，但例如字符的颜色、粗细和字体可以相对于其它内容的颜色、粗细和字体而改变，或者可以改变框架的颜色和粗细，或者可以使不同内容的每个部分闪烁。另外，如上所述，图6和图7中的显示可以被选择性地显示在显示装置306上，或者图表601、设定栏602、图表701和表702可以被显示在如图9中图示的同一画面上。
56.虽然在本实施例中描述了分析诸如曝光装置204之类的图案形成装置200中的故障的原因的示例，但根据本实施例的信息处理装置适用于除了图案形成装置200之外的半导体制造装置中的故障的原因的分析。例如，根据本实施例的信息处理装置适用于处理装置201和检查装置202中的故障的原因的分析。
57.如上所述，在本实施例中，指定批次的基于晶片的处理数据在显示装置306上被作为图表显示。这使得容易分析在哪个晶片中发生了故障。此外，由于还显示了处理条件，因此可以立即分析可能是故障的原因的处理条件。这减少克服故障所需的时间。
58.在第二实施例中，将描述比第一实施例中的情形更具体的情形。在本实施例中，将描述分析与曝光装置204的台同步精度相关的故障的方法。台同步精度是表示例如在y轴方向上同步地驱动掩模台2和晶片台6以曝光目标压射区域的时段中的掩模台2和晶片台6的相对位置的误差的数据。在本实施例中未描述的内容如在第一实施例中描述的。
59.用户在与第一实施例中的图5中的步骤s504对应的图10中图示的画面上的设定栏602中输入线名称(line name)(例如，标识工厂、建筑物或生产线的id)和装置名称(例如，
标识装置的id)。在图10中，“l1”和“t1”分别被输入作为线名称和装置名称。另外，用户在设定栏602中输入显示数据。在图10中，“同步精度测量结果”被输入作为显示数据。用户还在设定栏602中输入统计方法。统计方法是由计算单元403进行的批次数据的计算所采用的统计方法(例如，最大值、最小值、平均值、中值、标准偏差)。在图10中，为了比较批次的晶片4当中同步精度测量结果的最低精度的晶片4，用于计算最大值的设定“max”被输入作为统计方法。显示装置306基于在设定栏602中输入的设定来显示图表601。
60.通过检查图表601，用户可以识别出批次bbb的统计值大于其它批次的统计值。用户还可以识别出按与批次bbb的配方相同的配方经历了曝光处理的批次ccc和批次eee的值小于批次bbb的值。为了更详细地分析差异，用户指定批次bbb。
61.如图11中图示的，显示装置306显示在批次bbb中经历了曝光处理的晶片4的同步精度测量结果的图表、批次bbb的处理条件以及按与批次bbb的配方相同的配方经历了曝光处理的批次ccc和批次eee的同步精度测量结果和处理条件的图表。此时，可以在表702中仅显示与同步精度相关的处理条件。与台同步精度相关的处理条件是例如晶片台6的扫描速度、用于使用前馈(ff)技术来控制驱动晶片台6的线性电机的设定以及曝光期间的光源7的照度。通过检查图表701，用户可以识别出批次bbb中经历了曝光处理的所有晶片4的同步精度测量结果大于其它批次的同步精度测量结果。通过检查表702并比较批次的处理条件，用户可以确定批次bbb的扫描速度高于其它批次的扫描速度。
62.因此，用户可以分析同步精度测量结果的差异是由于扫描速度的差异而导致的，并可以立即执行用于克服曝光装置204中的故障的操作。
63.在第三实施例中，将描述出现与第二实施例中的故障不同的故障的情况。在本实施例中，将描述分析与曝光装置204的对准测量结果相关的故障的方法。对准测量结果是通过捕获在目标晶片4上形成的标记的图像而获取的数字图像信号的波形数据和数字图像信号的评估(波形数据的对称性、数字图像信号的对比度)的数据。在本实施例中未描述的内容如在第一实施例中描述的。
64.用户在与第一实施例中的图5中的步骤s504对应的图12中图示的画面上的设定栏602中输入线名称(例如，标识工厂、建筑物或生产线的id)和装置名称(例如，标识装置的id)。在图12中，“l2”和“t2”分别被输入作为线名称和装置名称。另外，用户在设定栏602中输入显示数据。在图12中，“对准测量结果”被输入作为显示数据。用户还在设定栏602中输入统计方法。统计方法是由计算单元403进行的批次数据的计算的统计方法(例如，最大值、最小值、平均值、中值、标准偏差)。在图12中，为了比较批次的晶片4的平均值，用于计算平均值的设定“ave”被输入作为统计方法。显示装置306基于在设定栏602中输入的设定来显示图表601。
65.通过检查图表601，用户可以识别出批次ggg的批次数据大于其它批次数据。用户还可以识别出按与批次ggg的配方相同的配方经历了曝光处理的批次hhh和批次jjj的批次数据小于批次ggg的批次数据。为了详细地分析差异，用户指定批次ggg。
66.如图13中图示的，显示装置306显示批次ggg上的曝光处理的对准测量结果的图表、批次ggg的处理条件以及按与批次ggg的配方相同的配方经历了曝光处理的批次hhh和批次jjj的对准测量结果和处理条件的图表。此时，可以在表702中仅显示与对准测量相关的处理条件。与对准测量相关的处理条件是例如照明模式、在出现故障的情况下选择是否
执行重试的设定、在晶片4上形成的标记的类型以及对准测量时的偏移值。通过检查图表701，用户可以识别出在批次ggg的晶片4当中首先被曝光的晶片4的对准测量结果显著不同，而其它晶片4的对准测量结果与其它批次的晶片4的对准测量结果没有显著不同。通过检查表702并比较批次的处理条件，用户可以识别出批次ggg的偏移值大于其它批次的偏移值。
67.因此，用户可以分析对准测量结果的差异是由于偏移值的差异而导致的，并可以立即执行用于克服曝光装置204中的故障的操作。
68.<物品制造方法的实施例>
69.根据本发明的实施例的物品制造方法适于制造诸如微器件
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即，半导体器件和具有精细结构的元件之类的物品。根据本实施例的物品制造方法可以包括使用物品制造系统在基板上形成原始版的图案以及处理其上形成有图案的基板。物品制造方法还可以包括其它已知的处理(氧化、膜形成、气相沉积、掺杂、平坦化、刻蚀、抗蚀剂去除、切片、接合、封装)。根据本实施例的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面比传统方法更有利。
70.本发明涉及有利于减少分析半导体制造装置中的故障的原因的时间的技术。
71.其它实施例
72.本发明的(一个或多个)实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(也可以被更完整地称为“非瞬态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能一个或多个电路(例如，专用集成电路(asic))的系统或装置的计算机来实现，以及通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而通过由系统或装置的计算机执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(cpu)、微处理单元(mpu))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络，以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供到计算机。存储介质可以包括例如硬盘、固态硬盘(ssd)、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(cd)、数字多功能盘(dvd)或蓝光盘(bd)
tm
)、闪存设备、存储卡等中的一个或多个。
73.其它实施例
74.本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(cpu)、微处理单元(mpu)读出并执行程序的方法。
75.虽然已经参考实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于所公开的实施例，而是由随附权利要求的范围限定。