显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年4月28日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0051356号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
3.本公开涉及一种显示装置，并且详细地，涉及一种用于防止漏光的显示装置。


背景技术：

4.液晶显示器是目前广泛使用的显示装置之一。液晶显示器通过对形成在彼此面对的两个基板上的电极(像素电极和公共电极)施加电压来控制介于所述电极之间的液晶层中的液晶的排列，以控制透射光的量。
5.该液晶显示器包括连接到电极的薄膜晶体管。薄膜晶体管用作在液晶显示器中独立地驱动每个像素的开关元件。
6.详细地，薄膜晶体管是开关元件，所述开关元件响应于通过每个像素中的栅极线提供的栅极信号来控制将要通过数据线提供给像素电极的数据信号，并且所述薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅电极、设置在栅电极上并形成沟道的半导体层、设置在半导体层上并连接到数据线的源电极以及与源电极间隔开的漏电极，半导体层介于源电极和漏电极之间。
7.由于近来已经应用了可弯曲的显示装置，因此在弯曲过程期间可能发生显示装置的两个基板之间的不对准。
8.在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发本明构思的背景的理解，并且因此，以上信息可能包含不构成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

9.示例性实施例将提供一种用于防止由于上部基板和下部基板的不对准引起的漏光的显示装置。
10.一种根据本发明构思的示例性实施例的显示装置，包括：第一基板；栅极线，所述栅极线设置在所述第一基板上，并且平行于第一方向延伸；存储电极线，所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上；数据线，所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘，并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸；漏电极，所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上，并且包括延伸部；第一电极，所述第一电极电连接到所述漏电极；间隔件，所述间隔件设置在所述第一电极上；第二基板，所述第二基板与所述第一基板重叠；以及光阻挡层，所述光阻挡层设置在所述第二基板上，并且具有暴露所述第一电极的开口，其中，所述漏电极的所述延伸部与所述数据线之间的沿着所述第一方向的分离距离为1μm至10μm。
11.所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第一方向的长度可以比所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第二方向的长度长。
12.所述存储电极线可以包括平行于所述第一方向设置的横向部分和沿着所述第二方向从所述横向部分突出的突出部分，并且所述存储电极线的突出部分可以被所述漏电极的所述延伸部完全覆盖。
13.所述存储电极线的所述延伸部的所述平面面积可以小于所述漏电极的所述延伸部的所述平面面积。
14.所述间隔件的沿着所述第一方向的长度比所述漏电极的所述延伸部的沿着所述第一方向的长度长。
15.所述第一电极的沿着所述第一方向的宽度与所述间隔件的沿着所述第一方向的宽度之差可以为20％或更小。
16.所述光阻挡层的平行于所述第一方向延伸的一个边缘与所述间隔件的平行于所述第一方向延伸的一个边缘之间的距离可以为5μm至10μm。
17.所述光阻挡层的平行于所述第一方向延伸的一个边缘与所述漏电极的所述延伸部的平行于所述第一方向延伸的一个边缘之间的距离可以为10μm或更小。
18.所述漏电极的所述延伸部的平行于所述第一方向延伸的一个边缘可以设置为比所述间隔件的沿着所述第一方向延伸的一个边缘更靠近所述光阻挡层的所述开口。
19.还可以包括设置在所述漏电极和所述第一电极之间的滤色器，所述滤色器可以包括与所述漏电极重叠的开口，并且所述间隔件可以设置为在平面图中与所述开口重叠。
20.所述第一电极可以包括：平行于所述第二方向延伸的主干部分；从所述主干部分延伸的微小分支部分；以及连接到所述漏电极的突出部分。所述突出部分和所述主干部分可以彼此间隔开。
21.所述栅极线可以包括：第一栅极线和平行于所述第一方向延伸的第二栅极线；以及连接所述第一栅线和所述第二栅线的栅电极，并且所述间隔件在平面图中可以与所述栅电极重叠。
22.一种根据本发明构思的另一示例性实施例的显示装置，包括：第一基板；栅极线，所述栅极线设置在所述第一基板上，并且平行于第一方向延伸；存储电极线，所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上；数据线，所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘，并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸；漏电极，所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上，并且包括延伸部；第一电极，所述第一电极电连接到所述漏电极；间隔件，所述间隔件设置在所述第一电极上；第二基板，所述第二基板与所述第一基板重叠；以及光阻挡层，所述光阻挡层设置在所述第二基板上，并且具有暴露所述第一电极的开口，其中，所述漏电极的所述延伸部包括第一区域和第二区域，所述第一区域的沿着所述第一方向的长度比所述第二区域的沿着所述第一方向的长度短，所述第二区域比所述第一区域更靠近所述光阻挡层的开口。
23.所述漏电极的所述延伸部的所述第一区域与所述数据线之间的沿着所述第一方向的分离距离可以为1μm至10μm。
24.所述间隔件的沿着所述第一方向的长度可以比所述漏电极的延伸部的沿着所述第一方向的长度长。
25.所述存储电极线可以包括平行于所述第一方向延伸的横向部分和从所述横向部分突出的突出部分，所述间隔件的沿着所述第一方向的长度比所述漏电极的所述延伸部的
沿着所述第一方向的长度长，并且在平面图中，所述存储电极线的所述横向部分可以与所述漏电极的所述延伸部的所述第一区域重叠。
26.所述存储电极线的整个突出部分可以被所述漏电极的所述延伸部覆盖。
27.根据本发明构思的另一示例性实施例的显示装置包括：第一基板；栅极线，所述栅极线设置在所述第一基板上，并且平行于第一方向延伸；存储电极线，所述存储电极线与所述栅极线设置在相同的层上；数据线，所述数据线与所述栅极线和所述存储电极线绝缘，并且平行于与所述第一方向垂直的第二方向延伸；漏电极，所述漏电极与所述数据线设置在相同的层上，并且包括延伸部；第一电极，所述第一电极电连接到所述漏电极；间隔件，所述间隔件设置在所述第一电极上；第二基板，所述第二基板与所述第一基板重叠；以及光阻挡层，所述光阻挡层设置在所述第二基板上，并且具有暴露所述第一电极的开口，其中，所述漏电极的所述延伸部包括平行于所述第一方向的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘设置为比所述第二边缘更靠近所述光阻挡层的所述开口，并且所述第一边缘的沿着所述第一方向的长度比所述第二边缘的沿着所述第一方向的长度长。
28.所述漏电极的所述延伸部的平面形状可以是梯形。
29.所述存储电极线可以包括平行于所述第一方向延伸的横向部分和沿着所述第二方向从所述横向部分突出的突出部分，并且所述存储电极线的所述横向部分设置为比所述漏电极的所述延伸部的所述第一边缘更靠近所述第二边缘。
30.所述漏电极的所述延伸部的所述第二边缘与所述数据线之间的沿着所述第一方向的分隔距离可以为1μm至10μm。
31.根据示例性实施例，提供了一种能够在上部基板和下部基板的不对准期间防止漏光的显示装置。
附图说明
32.图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的布局图。
33.图2是沿着图1的线ii
‑
ii'截取的截面图。
34.图3是沿着图1的线iii
‑
iii'截取的截面图。
35.图4是当间隔件不填充开口时简化液晶分子的取向的视图。
36.图5是示出根据本示例性实施例的当间隔件填充开口时的液晶分子的取向的视图。
37.图6是示出当发生上部基板和下部基板的不对准时的漏光的原理的视图。
38.图7是仅示出根据图1的示例性实施例的显示装置中的存储电极线和漏电极的局部配置的视图。
39.图8是示出根据另一示例性实施例的与图7的区域相同的区域的视图。
40.图9和图10是示出根据本发明构思的另一示例性实施例的与图7的区域相同的区域的视图。
具体实施方式
41.在下文中，将参照附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出了本发明构思的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本发明构思的精神或范围的
情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
42.为了清楚地解释本发明构思，省略了与本发明构思不直接相关的部分，并且在整个说明书中，相同的附图标记附加于相同或类似的构成元件。
43.此外，为了更好地理解和易于描述，任意地示出了附图中示出的每个配置的尺寸和厚度，但是本发明构思不限于此。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
44.将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在本说明书中，词语“在
……
上”或“在
……
上方”是指定位在目标部分上或下方，并且不一定是指基于重力方向定位在目标部分的上侧。
45.另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”以及诸如“包含”或“含有”的变体将被理解为隐含包括陈述的元件，但是不排除任何其他元件。
46.另外，在本说明书中，当提及“连接到”时，其不仅表示两个或更多个构成元件彼此直接连接，而且表示两个或更多个构成元件可以通过其他构成元件间接连接、物理连接和电连接，并且可以包括：尽管根据位置或功能被称作不同的名称，但是基本上一体的每个部分彼此连接。
47.此外，在整个本说明书中，短语“在平面上”是指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观察通过垂直切割目标部分所形成的截面。
48.图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的布局图。图2是沿着图1的线ii
‑
ii'截取的截面图。
49.图3是沿着图1的线iii
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iii'截取的截面图。现在，参照图1至图3详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
50.参照图1至图3，根据示例性实施例的包括像素的显示装置包括彼此面对的第一显示面板100和第二显示面板200以及介于第一显示面板100和第二显示面板200之间的液晶层3。
51.首先，描述第一显示面板100。参照图1至图3，第一显示面板100包括设置在由透明玻璃或塑料制成的第一基板110上的栅极线121。
52.栅极线121传输栅极信号并在第一方向dr1上延伸。栅极线121可以包括彼此平行的第一栅极线121a和第二栅极线121b。在第一栅极线121a和第二栅极线121b之间可以设置栅电极124，并且第一栅极线121a和第二栅极线121b可以通过栅电极124连接。在栅电极124上可以设置半导体层154、源电极173和漏电极175，以形成晶体管。
53.同时参照图1至图3，存储电极线131与栅极线121设置在相同的层上。存储电极线131可以与栅极线121通过相同的工艺形成，并且可以包括相同的材料。
54.存储电极线131可以包括平行于第二方向dr2延伸的纵向部分131b和平行于第一方向dr1延伸的横向部分131c。设置在第一电极191的两个边缘上的两个纵向部分131b可以通过横向部分131c连接。
55.横向部分131c的一部分在第二方向dr2上朝向第一电极191突出，以形成突出部分131a。稍后将单独描述这一点，但是存储电极线131的突出部分131a可以在第三方向dr3上与漏电极175的延伸部177重叠，从而形成电容器。稍后将单独描述这一点，但是存储电极线
131的突出部分131a的平面面积可以小于漏电极175的延伸部177的平面面积，并且存储电极线131的整个突出部分131a可以在第三方向dr3上与漏电极175的延伸部177重叠。因此，即使当在显示装置的制造工艺期间发生存储电极线131的突出部分131a的不对准时，由于存储电极线131的整个突出部分131a与漏电极175的延伸部177重叠，因此漏电极175的延伸部177仍完全覆盖存储电极线131的突出部分131a，并且可以稳定地保持电容器。
56.参照图1至图3，在栅极线121和存储电极线131上设置栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以包括氧化硅或氮化硅。栅极绝缘层140可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同的物理性质的至少两个绝缘层。
57.半导体层154设置在栅极绝缘层140上。半导体层154可以设置为与栅电极124重叠。参照图1，多个半导体图案155可以与半导体层154设置在相同的层上。多个半导体图案155可以设置在栅极线121和数据线171彼此交叉的位置处。可能由于数据线171与栅极线121交叉的区域中的导电粒子而发生栅极线121和数据线171之间的短路。当半导体图案155设置在交叉区域中时，可以减少短路的可能性。
58.两条数据线171沿着第一方向dr1布置。数据线171传输数据信号并在第二方向dr2上延伸，从而与栅极线121交叉。源电极173从数据线171延伸，与半导体层154和栅电极124重叠，并且可以具有近似u形。
59.漏电极175与数据线171间隔开，并且从源电极173的u形的中心向上延伸。漏电极175可以包括连接到第一电极191的延伸部177。漏电极175的延伸部177与存储电极线131重叠。具体地，延伸部177可以设置为与存储电极线131中的存储电极线131的突出部分131a完全重叠。
60.一个栅电极124、一个源电极173和一个漏电极175与半导体层154一起形成一个晶体管，并且所述晶体管的沟道区被形成在源电极173和漏电极175之间的半导体层154中。
61.参照图1，漏电极175的延伸部177的在第一方向dr1上的长度可以比漏电极175的延伸部177的在第二方向dr2上的长度长。此外，漏电极175的延伸部177具有比存储电极线131的突出部分131a的平面面积大的平面面积，并且存储电极线131的整个突出部分131a可以被设置为与漏电极175的延伸部177重叠。
62.漏电极175的延伸部177的在第一方向dr1上的长度可以类似于或小于在第一方向dr1上设置在漏电极175的延伸部177的两侧处的两条数据线171之间的距离。即，漏电极175的延伸部177可以设置为在第一方向dr1上与数据线171分离。
63.参照图1和图3，在这种情况下的漏电极175的延伸部177与数据线171之间的在第一方向dr1上的分离距离t1可以是1μm至10μm。该分离距离t1旨在确保当在制造工艺期间在存储电极线131与数据线171之间发生短路时的修复的空间。即，当在存储电极线131与数据线171之间发生短路时，可以将数据线171与漏电极175的延伸部177之间的存储电极线131切断以进行修复。
64.如图1至图3中所示，漏电极175的延伸部177设置为覆盖两条邻近的数据线171之间的在第一方向dr1上的大部分区域。由于漏电极175的延伸部177如上所述地在第一方向dr1上宽阔地设置，因此漏电极175的延伸部177在第一方向dr1上形成大面积的光阻挡部分，并且即使当上部基板与下部基板之间发生不对准时，也防止漏光。
65.参照图1，漏电极175的延伸部177的平行于第一方向dr1延伸的一个边缘可以设置
为与光阻挡层220的一个边缘相邻。在平面图中，漏电极175的延伸部177的平行于第一方向dr1延伸的所述一个边缘可以设置为与光阻挡层220的所述一个边缘重合。
66.在本说明书中，与光阻挡层220的一个边缘相邻的含义是指光阻挡层220的一个边缘与漏电极175的延伸部177的一个边缘之间的距离为10μm或更小。即，当考虑到在工艺中可能发生的不对准时，如果漏电极175的延伸部177的一个边缘与光阻挡层220的一个边缘之间的距离为10μm或更小，则可以认为是相邻地设置。
67.因此，即使光阻挡层220的开口的位置由于上部基板和下部基板之间的不对准而改变，漏电极175的延伸部177也起到光阻挡部分的作用，因此可以防止漏光。
68.接下来，在数据线171上设置多个滤色器230。滤色器230可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。每个滤色器230可以在由多条栅极线121和多条数据线171的交叉点所限定的区域中逐个地设置。然而，根据示例性实施例，可以设置有机膜以替代滤色器230。
69.接下来，设置绝缘层180。绝缘层180可以由有机绝缘体、诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘体或低介电常数绝缘材料制成。例如，绝缘层180可以是有机层，并且有机层的厚度可以是2μm至3μm。绝缘层180可以防止滤色器230的材料扩散到液晶层3中。然而，根据示例性实施例，可以省略绝缘层180。
70.绝缘层180和滤色器230包括暴露漏电极175的开口185。第一电极191通过开口185物理连接且电气连接到漏电极175，从而从漏电极175接收数据电压。
71.第一电极191可以包括诸如ito或izo的透明导体。
72.第一电极191可以包括沿着第二方向dr2延伸的主干部分192和从主干部分192延伸的微小分支部分193。微小分支部分193的边缘可以由外部部分194连接。第一电极191包括与漏电极175的延伸部177重叠的突出部分195，并且可以在突出部分195中连接到漏电极175的延伸部177。
73.第一电极191还可以包括平行于第一方向dr1延伸的屏蔽部196。屏蔽部196可以设置在存储电极线131和栅极线121之间，并且可以连接到突出部分195。根据示例性实施例，可以省略屏蔽部196。
74.第一电极191的微小分支部分193的一部分可以不连接到外部部分194。此外，第一电极191的突出部分195和主干部分192可以彼此分离。这是用于改善在第一电极191的边缘处的液晶的取向(alignment)的结构。
75.第一电极191可以是像素电极，并且可以从漏电极175接收像素电压。
76.在第一电极191上设置间隔件310。由于形成在滤色器230和绝缘层180中的开口185，间隔件310可以在填充凹入空间的同时而设置。因此，在开口185附近的区域中，能够防止由于开口185引起的台阶导致液晶的失准(misalignment)。
77.图4是当间隔件310不填充开口185时简化液晶分子31的取向的视图。在图4至图6中，为了更好地理解和易于描述，仅简要示出了一些构成元件。
78.参照图4，液晶分子31的取向方向由于开口185的倾斜部分而改变。在图4中，可以由箭头表示取向方向的改变。
79.图5是示出了根据本示例性实施例的当间隔件310填充开口185时的液晶分子31的取向的视图。如图5中所示，当间隔件310填充开口185的空的空间(具体地，开口185的倾斜
部分)时，液晶分子31可以在整体上均匀地取向。即，在本示例性实施例中，可以确认液晶分子31在相同的方向上取向。
80.图6是示出当发生上部基板和下部基板的不对准时的漏光的原理的视图。在图6中，光阻挡层220的开口由虚线表示。如图6中所示，当光阻挡层220的开口的位置由于下部面板和上部面板之间的不对准而移位时，如图6中所示，间隔件310可能被暴露。然而，间隔件310不能利用有机材料阻挡光，因此在暴露的区域中发生漏光。
81.然而，参照图1至图3，在根据本示例性实施例的显示装置中，漏电极175的延伸部177在第一方向dr1上伸长。因此，即使当发生上部基板和下部基板之间的不对准时，也可以由漏电极175的延伸部177阻止漏光，因此可以有效地防止漏光。即，如图1和图2中所确认，漏电极175的延伸部177的在第一方向dr1上的一个边缘可以设置为比间隔件310的一个边缘更靠近光阻挡层220的一个边缘，间隔件310的所述一个边缘设置为与漏电极175的延伸部177的所述一个边缘和光阻挡层220的所述一个边缘相邻，并且即使当发生上部基板和下部基板之间的不对准时，也由漏电极175的延伸部177阻挡光，从而防止漏光。
82.参照图1，间隔件310的在第一方向dr1上的宽度可以类似于第一电极191的在第一方向dr1上的宽度。在本说明书中，词语“类似”表示差异为20％或更小。
83.由于间隔件310的在第一方向dr1上的宽度和第一电极191的在第一方向dr1上的宽度类似，因此可以防止在第一电极191上取向的大部分液晶分子31的失准。即，间隔件310防止液晶分子31在相反的方向上排列，并且可以提高显示装置的显示质量。
84.接下来，参照图1至图3来描述第二显示面板200。第二显示面板200包括设置在由透明玻璃或塑料制成的第二基板210上的光阻挡层220。光阻挡层220在与第一显示面板100的第一电极191重叠的区域中具有开口。根据图1，光阻挡层220设置为与数据线171、栅极线121等重叠，并且与大部分第一电极191不重叠。
85.参照图1，在光阻挡层220的设置为与第一电极191的一个边缘相邻且平行于第一方向dr1延伸的一个边缘和间隔件310的平行于第一方向dr1的一个边缘之间的距离t2可以是5μm至10μm。
86.接下来，在光阻挡层220上设置覆盖层250。根据示例性实施例，可以省略覆盖层250。接下来，在覆盖层250上设置第二电极270。第二电极270可以是公共电极，并且可以接收公共电压。
87.液晶层3包括液晶分子31。液晶层3的液晶分子31通过第一电极191和第二电极270之间的电压来取向，从而显示图像。
88.如上所述，在根据本示例性实施例的显示装置中，漏电极175的延伸部177设置为平行于第一方向dr1延伸，并且漏电极175的延伸部177的平行于第一方向dr1延伸的一个边缘设置为靠近光阻挡层220的平行于第一方向dr1延伸的一个边缘。因此，即使光阻挡层220的开口的位置由于上部基板和下部基板之间的不对准而改变，也由漏电极175的延伸部177阻挡光，并且可以防止漏光。
89.图7是仅示出根据图1的示例性实施例的显示装置中的存储电极线131和漏电极175的局部配置的视图。如图7中所示，漏电极175的延伸部177设置为在第一方向dr1上延伸，并且漏电极175的延伸部177与数据线171之间的在第一方向dr1上的分离距离t1可以为1μm至10μm。以此方式，可以切割定位在漏电极175的延伸部177和数据线171被分离的区域
中的存储电极线131以进行修复。参照图7，在根据本示例性实施例的显示装置中，存储电极线131的突出部分131a被漏电极175的延伸部177完全覆盖。即，存储电极线131的突出部分131a的平面面积小于漏电极175的延伸部177的平面面积。因此，在制造工艺中，即使存储电极线131的位置和突出部分131a的位置有少许改变，由于它们仍然被漏电极175的延伸部177覆盖，因此漏电极175的延伸部177和存储电极线131的突出部分131a在第三方向dr3上重叠的区域也保持相同。漏电极175的延伸部177和存储电极线131的突出部分131a的重叠区域起到电容器的作用，从而一致地保持电容器的电容。
90.图8是示出根据另一个示例性实施例的与图7的区域相同的区域的视图。参照图8，在本示例性实施例的情况下，存储电极线131可以包括突出部分131a和平行于第一方向dr1延伸的横向部分131c，并且在平面图中，存储电极线131的突出部分131a未被漏电极175的延伸部177完全覆盖。在这种情况下，存储电极线131的突出部分131a和漏电极175的延伸部177的重叠区域可以由于在存储电极线131的形成期间的对准误差或在漏电极175的形成期间的对准误差而改变。在这种情况下，由于改变了显示装置的电容，因此可能降低显示装置的可靠性。此外，在图8的示例性实施例的情况下，由于漏电极175的延伸部177没有沿着第一方向dr1伸长到足以防止漏光的程度，因此在漏电极175和数据线171之间的区域中可能发生漏光。
91.然而，再次参照图7，在根据本示例性实施例的显示装置中，存储电极线131的突出部分131a设置为被漏电极175的延伸部177完全覆盖，并且漏电极175的延伸部177沿着第一方向dr1伸长到足以防止漏光的程度。因此，即使发生上部基板与下部基板之间的不对准，也可以防止漏光，并且即使在存储电极线131或漏电极175的形成期间发生了不对准，也可以使显示装置的电容保持相同。
92.接下来，描述根据本发明构思的另一示例性实施例的显示装置。图9和图10是示出根据本发明构思的另一示例性实施例的与图7的区域相同的区域的视图。
93.参照图9，除了漏电极175的延伸部177包括在第一方向dr1上具有较长的长度的第二区域177b和在第一方向dr1上具有较短的长度的第一区域177a这一点之外，根据本示例性实施例的显示装置与根据图7的示例性实施例的显示装置相同。省略了对相同构成元件的详细描述。
94.参照图9，根据本示例性实施例的显示装置的漏电极175的延伸部177包括在第一方向dr1上具有不同的长度的第一区域177a和第二区域177b。第二区域177b的在第一方向dr1上的长度比第一区域177a的在第一方向dr1上的长度长，并且第二区域177b设置为比第一区域177a更靠近光阻挡层的开口(未示出)。
95.即，可能发生漏光的与光阻挡层的开口相邻的区域可以在第一方向dr1上具有增加的长度以阻止漏光，并且应当确保修复空间的与存储电极线131的重叠区域可以在第一方向dr1上具有缩短的长度以确保修复空间。在这种情况下，在通过第一区域177a确保足够的修复空间的同时，可以通过第二区域177b有效地防止漏光。
96.图10是示出根据本发明构思的另一示例性实施例的与图7的区域相同的区域的视图。
97.参照图10，除了漏电极175的延伸部177的在第一方向dr1上的长度在上侧和下侧上不同这一点之外，根据本示例性实施例的显示装置与根据图7的示例性实施例的显示装
置相同。省略了相同构成元件的详细描述。
98.参照图10，在漏电极175的延伸部177的各侧中的与光阻挡层的开口(未示出)相邻的一侧的长度d1比与所述一侧相对的另一侧的长度d2长。因此，漏电极175的延伸部177的平面形状可以是如图10中所示的梯形。
99.因此，由于在漏电极175的延伸部177的各侧中的与光阻挡层的开口(未示出)相邻的一侧的长度d1比靠近存储电极线的另一侧的长度d2长，因此可以在有效地防止漏光的同时确保足够的修复空间。即，可以通过具有长度d1的长边来阻止在光阻挡层的开口处的漏光，并且可以通过具有长度d2的短边来确保漏电极175的延伸部177和数据线171之间的足够距离，从而确保修复空间。
100.虽然已经结合目前被认为是实际示例性实施例的示例性实施例描述了本发明构思，但是将理解，本发明构思不限于所公开的实施例。相反，本发明构思旨在涵盖被包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。