用于液体的等离子体活化的装置和方法与流程

技术特征：
1.一种用于向医疗器械（11）供应等离子体活化的液体的装置（10），具有用于供应等离子体（30）的等离子体发生器（34），具有等离子体施加装置（25），在其中液体（f）能够与所述等离子体（30）接触，并且具有出口，以便将液体从所述等离子体施加装置（25）排出并将所述液体供应到所述器械（11），具有传感器装置（36），其用于检测在所述等离子体施加装置（25）中的等离子体暴露期间和/或之后所述液体（f）的至少一个化学或物理参数。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述等离子体施加装置（25）包括：等离子体施加器（29），所述等离子体施加器（29）具有气体通道（31）和至少一个电极（33），所述至少一个电极（33）与来自所述气体通道的气体接触；以及与所述液体电接触的电极（35），两个电极（33、35）都连接到所述等离子体发生器（34）。3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述等离子体施加装置（25）的出口被连接到存储容器（41），所述存储容器（41）能够与所述器械（11）连接。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）和/或控制装置（19）被连接到至少一个控制元件，以便控制所述液体（f）在所述等离子体施加装置（25）中的停留时间。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述等离子体发生器（34）能够按照所供应的电压、电流、功率、所供应的电流或所供应的电压的波峰因数或波形来控制。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）和/或控制装置（19）被连接到所述等离子体发生器（34），以便根据所检测到的参数来控制它。7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述气体通道（31）被连接到气体源（32），所述气体源（32）能够按照气流来控制。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）和/或控制装置（19）被连接到所述气体源（32），以便根据所检测到的参数来控制其气流。9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）被构造成检测特定化学化合物的温度和/或传导率和/或酸度（ph值）和/或化学组分和/或浓度。10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）被构造成检测所述等离子体活化的液体中的等离子体产生的物质的浓度，所述等离子体产生的物质形式为水合氢离子（h3o

）和/或氢氧离子（oh
‑
）和/或过氧化氢（h2o2）和/或亚硝酸根离子（no2‑
）和/或硝酸根离子（no3‑
）和/或羟基自由基（
∙
oh）。11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）被构造成通过光谱法，例如电磁辐射、特别是光、特别是可见光的吸收光谱法，来检测所述等离子体活化的液体（f）中的等离子体产生的物质的浓度。12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）被构造成检测所述等离子体活化的液体（f）中的等离子体产生的物质的浓度，所述等离子体产生的物质形式为单线态氧（1o2）和/或臭氧（o3）和/或氧（o2）和/或超氧自由基离子（o2‑
）和/或氢过氧自由基（hoo
∙
）和/或过氧亚硝酸根离子（onoo
‑
）和/或氮氧化物，例如一氧化氮（no）或二氧化氮（no2）。13.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述传感器装置（36）被构造
成借助于磷光或电子自旋共振光谱法，来检测所述等离子体活化的液体（f）中的等离子体产生的物质的浓度。14.一种用于提供等离子体活化的处理液体的方法，其中：等离子体（30）通过等离子体发生器（34）提供，液体（f）在等离子体施加装置（25）中与所述等离子体（30）接触，并且被供应到器械（11），在所述等离子体施加装置（25）中的等离子体暴露期间和/或之后，所述液体（f）的至少一个化学或物理参数借助于传感器装置（36）来检测，其中，所述等离子体发生器（34）的操作和/或经等离子体处理的液体在存储容器（41）中的停留时间受到控制，以便影响所述参数。

技术总结
本发明涉及用于液体的等离子体活化的装置和方法。利用本发明，提供了一种用于产生具有限定特性的等离子体活化的液体（F）的装置（10）。该装置（10）包括设有等离子体施加器（29）的等离子体施加装置（25），其中，在等离子体施加装置（25）中，使液体（F）与气体等离子体（30）接触。传感器装置（36）用于至少按照通过等离子体处理产生的物种来分析经等离子体处理的液体（F）的组分。基于传感器装置（36）检测到的一种或多种物种的浓度，可调整或修改等离子体施加装置（25）中的液体（F）的处理参数。由此，提供了用于患者的处理的具有限定特性的经等离子体处理的液体（F）。体处理的液体（F）。体处理的液体（F）。


技术研发人员：K
受保护的技术使用者：厄比电子医学有限责任公司
技术研发日：2021.04.16
技术公布日：2021/10/28